本发明专利技术公开了一种集成光感应器的显示装置及制备工艺，所述显示装置包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括显示区和非显示区，在非显示区集成光感应器，所述光感应器包括正极、负极以及位于正极和负极之间的PIN型或NIP型太阳能电池结构。本发明专利技术利用TFT阵列基板制备时已经存在的源极漏极的金属层，有源层，透明像素电极或公共电极层，在制备光感应器时，在金属层上增加PIN层，形成一个PIN型的太阳能电池结构，在不同的环境光照强度下，产生不同数量的载流子，从而可以根据光感应器的电压、电流值的大小来调节背光源亮度，大大节省了显示装置的成本，降低了显示装置的厚度，提高了可靠性。靠性。靠性。
【技术实现步骤摘要】
一种集成光感应器的显示装置及制备工艺
[0001]本专利技术属于液晶显示
，具体涉及一种集成光感应器的显示装置及制备工艺。
技术介绍
[0002]LCD液晶显示器本身不能发光，需要背光提供背光源来达到显示图像的目的，液晶显示 器使用过程中，由于外界环境光随着所处环境的不同而不同，导致显示屏需要进行一定的亮 度调节，改善用户体验，让显示屏亮度根据环境光条件自行调整到最佳状态，在高强环境光 下，需要提高背光亮度，来提高显示屏亮度而看清楚显示内容，光线暗的时候，需要降低背 光亮度提高用眼舒适度；同时背光照明的耗电量是显示屏中的最主要耗电量，实行动态的背 光亮度控制，可大量节省显示屏电量损耗。
[0003]目前市场上液晶显示产品一把都是在液晶显示屏上额外增加光感应器模组，通过贴合的 方式，集成到显示模组中，这会导致器件厚度增加,同时增加生产工艺及产品成本，如果将 光感应器利用现有工艺制作在显示屏上，将会改善器件厚度，降低产品成本。
技术实现思路
[0004]本专利技术需要解决的技术问题是提供一种集成光感应器的显示装置及制备工艺，该显示装 置将光感应器集成在显示屏上，器件厚度变薄，工艺简化，降低了产品成本。
[0005]为解决上述问题，本专利技术所采取的技术方案是：
[0006]一种集成光感应器的显示装置，所述显示装置包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包 括显示区和非显示区，在非显示区集成光感应器，所述光感应器包括正极、负极以及位于正 极和负极之间的PIN型或NIP型太阳能电池结构。
[0007]进一步的，所述光感应器的正极和负极与TFT阵列基板显示区的金属层或像素电极或公 共电极在同一制程下沉积蚀刻。
[0008]进一步的，所述光感应器的PIN型太阳能电池结构由p层、i层以及n层构成，其中n 层与TFT阵列基板显示区晶体管的欧姆接触层n+a
‑
Si位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。
[0009]进一步的，所述光感应器的i层与TFT阵列基板显示区晶体管的有源层a
‑
Si位于同一 层，在同一制程下沉积蚀刻。
[0010]进一步的，所述光感应器的正极或负极与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏极金属层位 于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的正极或负极的走线保护层与TFT阵列基 板显示区晶体管的源漏极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的 负极或正极与TFT阵列基板显示区的透明像素电极或透明公共电极位于同一层，在同一制程 下沉积蚀刻。
[0011]进一步的，所述光感应器的正极与TFT阵列基板显示区晶体管的栅极金属层位于同一层， 在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的正极的走线保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的 栅极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极与
TFT阵列基板 显示区的透明像素电极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。
[0012]进一步的，所述光感应器的负极及其走线的保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏 极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。
[0013]进一步的，所述TFT阵列基板显示区上阵列OLED，所述光感应器的正极或负极与TFT 阵列基板显示区OLED的阳极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极或正 极与TFT阵列基板显示区OLED的阴极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。
[0014]进一步的，所述光感应器为两个以上，光感仪器之间的连接方式为串联连接。
[0015]一种集成光感应器的显示装置的制备工艺，包括TFT阵列基板上晶体管的制备工艺，以 及光感应器的制备工艺，所述光感应器制备步骤包括：光感应器正极或负极的沉积蚀刻、PIN 型或NIP型太阳能电池结构的制备以及光感应器负极或正极的沉积蚀刻；其中PIN型或NIP 型太阳能电池结构的制备包括p层沉积蚀刻、i层沉积蚀刻以及n层沉积蚀刻。
[0016]进一步的，所述光感应器的正极和负极与TFT阵列基板显示区的金属层或像素电极或公 共电极在同一制程下沉积蚀刻。
[0017]进一步的，所述光感应器的n层与TFT阵列基板显示区晶体管的欧姆接触层在同一制程 下沉积蚀刻。
[0018]进一步的，所述光感应器的i层与TFT阵列基板显示区晶体管的有源层a
‑
Si在同一制 程下沉积蚀刻。
[0019]进一步的，所述光感应器制备步骤如下：所述光感应器的正极或负极与TFT阵列基板显 示区晶体管的源漏极金属层在同一制程下沉积蚀刻，之后依次沉积蚀刻光感应器正极或负极 的走线保护层、p层或n层、i层、n层或P层，以及光感应器的负极或正极，所述光感应器 正极或负极的走线保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏极绝缘保护层在同一制程下沉 积蚀刻，所述光感应器的负极或正极与TFT阵列基板显示区的透明像素电极或透明公共电极 在同一制程下沉积蚀刻，最后再做一层PI配向层。
[0020]进一步的，所述光感应器制备步骤如下：所述光感应器的正极与TFT阵列基板显示区晶 体管的栅极金属层在同一制程下沉积蚀刻，之后依次沉积蚀刻光感应器正极的走线保护层、p 层、i层、n层，以及光感应器的负极，所述光感应器的正极的走线保护层与TFT阵列基板显 示区晶体管的栅极绝缘保护层在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极与TFT阵列基板 显示区的透明像素电极在同一制程下沉积蚀刻。
[0021]进一步的，所述光感应器制备步骤如下：所述光感应器的负极沉积蚀刻之后，再做一层 负极及其走线的保护层，该保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏极绝缘保护层在同一 制程下沉积蚀刻。
[0022]进一步的，所述光感应器制备步骤如下：先制作光感应器的正极或负极，所述光感应器 的正极或负极与TFT阵列基板显示区OLED的阳极在同一制程下沉积蚀刻，然后依次制作PIN 型太阳能电池结构，或者依次制作OLED的的空穴传输层、活性层、电子传输层，之后依次制 作OLED的的空穴传输层、活性层、电子传输层或者依次制作NIP型或PIN型太阳能电池结构， 最后制作光感应器的负极或正极，所述光感应器的负极或正极与TFT阵列基板显示区OLED的 阴极在同一制程下沉积蚀刻。
[0023]采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
[0024]本专利技术利用TFT阵列基板制备时已经存在的源极漏极的金属层，有源层，透明像素
电极 或公共电极层，在制备光感应器时，在金属层上增加PIN层，形成一个PIN型的太阳能电池 结构，在不同的环境光照强度下，产生不同数量的载流子，从而可以根据光感应器的电压、 电流值的大小来调节背光源亮度，该专利技术充分利用TFT阵列基本的制程和材料，集成光感应 器，大大节省了显示装置的成本，降低了显示装置的厚度，提高了可靠性。
附图说明
[0025]图1是本专利技术实施例1结构示意图；
[0026]图2是本专利技术实施例2结构示意图；
[0027]图3是本本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述显示装置包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括显示区和非显示区，在非显示区集成光感应器，所述光感应器包括正极、负极以及位于正极和负极之间的PIN型或NIP型太阳能电池结构。2.根据权利要求1所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的正极和负极与TFT阵列基板显示区的金属层或像素电极或公共电极在同一制程下沉积蚀刻。3.根据权利要求2所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的PIN型太阳能电池结构由p层、i层以及n层构成，其中n层与TFT阵列基板显示区晶体管的欧姆接触层n+ a
‑
Si位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。4.根据权利要求3所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的i层与TFT阵列基板显示区晶体管的有源层a
‑
Si位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。5.根据权利要求1或2所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的正极或负极与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏极金属层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的正极或负极的走线保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极或正极与TFT阵列基板显示区的透明像素电极或透明公共电极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。6.根据权利要求1
‑
4任一项所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的正极与TFT阵列基板显示区晶体管的栅极金属层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的正极的走线保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的栅极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极与TFT阵列基板显示区的透明像素电极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。7.根据权利要求6所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器的负极及其走线的保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。8.根据权利要求1所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述TFT阵列基板显示区上阵列OLED，所述光感应器的正极或负极与TFT阵列基板显示区OLED的阳极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极或正极与TFT阵列基板显示区OLED的阴极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。9.根据权利要求1
‑
4、7、8任一项所述的一种集成光感应器的显示装置，其特征在于：所述光感应器为两个以上，光感仪器之间的连接方式为串联连接。10.一种集成光感应器的显示装置的制备工艺，其特征在于，包括TFT阵列基板上晶体管的制备工艺，以及光感应器的制备工艺，所述光感应器制备步骤包括：光感应器正极或负极的沉积蚀刻、PIN型或NIP型太阳能电池...
【专利技术属性】
技术研发人员：眭斌，谢雄才，李源，张文进，杨亮，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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