本实用新型专利技术提供了一种电平转换逻辑电路与电子设备,包括:第一耗尽型逻辑管、第二耗尽型逻辑管与第一增强型逻辑管;所述第一耗尽型逻辑管与所述第二耗尽型逻辑管均为具有负压开启特性的逻辑管;所述第一耗尽型逻辑管的第一端直接或间接连接至所述第一增强型逻辑管的控制端,所述第一增强型逻辑管的第一端连接电压源,所述第一增强型逻辑管的第二端连接所述第二耗尽型逻辑管的第一端;所述第一耗尽型逻辑管的控制端与所述第二耗尽型逻辑管的控制端均接地;所述第一增强型逻辑管的第二端与所述第二耗尽型逻辑管的第一端还连接信号输出端,所述第一耗尽型逻辑管的第二端与所述第二耗尽型逻辑管的第二端均连接信号输入端。二耗尽型逻辑管的第二端均连接信号输入端。二耗尽型逻辑管的第二端均连接信号输入端。
【技术实现步骤摘要】
电平转换逻辑电路与电子设备
[0001]本技术涉及射频信号处理领域,尤其涉及一种电平转换逻辑电路与电子设备。
技术介绍
[0002]电平转换逻辑电路,可理解为能够对输入的信号进行电平转换,进而输出转换后信号的电路,其也可表征为LevelShifter逻辑电路。
[0003]其中,可利用逻辑管实现电平转换的功能,现有相关技术中,可利用增强型逻辑管形成多级反相器,进而,当输入的信号等于0时,两级反相器可输出低电平,当输入的信号逐渐升高至高于某个阈值时,两级反相器可输出高电平。
[0004]其中,由于增强型逻辑管的开启电压较低,通常为0.25V左右,所以,当输入端信号的电平有扰动时,很容易出现电平的误翻转。
技术实现思路
[0005]本技术提供一种电平转换逻辑电路与电子设备,以解决很容易出现电平的误翻转的问题。
[0006]根据本技术的第一方面,提供了一种电平转换逻辑电路,包括:第一耗尽型逻辑管、第二耗尽型逻辑管与第一增强型逻辑管;所述第一耗尽型逻辑管与所述第二耗尽型逻辑管均为具有负压开启特性的逻辑管;
[0007]所述第一耗尽型逻辑管的第一端直接或间接连接至所述第一增强型逻辑管的控制端,所述第一增强型逻辑管的第一端连接电压源,所述第一增强型逻辑管的第二端连接所述第二耗尽型逻辑管的第一端;所述第一耗尽型逻辑管的控制端与所述第二耗尽型逻辑管的控制端均接地;
[0008]所述第一增强型逻辑管的第二端与所述第二耗尽型逻辑管的第一端还连接信号输出端,所述第一耗尽型逻辑管的第二端与所述第二耗尽型逻辑管的第二端均连接信号输入端。
[0009]可选的,所述的电平转换逻辑电路,还包括有源偏置模块,所述有源偏置模块连接于所述第一增强型逻辑管的控制端,以向所述第一增强型逻辑管提供偏置电压。
[0010]可选的,所述有源偏置模块包括第三耗尽型逻辑管与多个第二增强型逻辑管;
[0011]所述第三耗尽型逻辑管的第一端连接所述电压源,所述多个第二增强型逻辑管中的第一个第二增强型逻辑管的第一端连接所述第三耗尽型逻辑管的第二端,除所述第一个第二增强型逻辑管之外,每个第二增强型逻辑管的第一端均连接上一个第二增强型逻辑管的第二端,所述多个第二增强型逻辑管中的最后一个第二增强型逻辑管的第二端连接所述第三耗尽型逻辑管的控制端、所述第一耗尽型逻辑管的第一端,以及所述第一增强型逻辑管的控制端;每个第二增强型逻辑管的第一端均连接该第二增强型逻辑管的控制端。
[0012]可选的,所述第二增强型逻辑管与所述第三耗尽型逻辑管的大小,以及所述第二
增强型逻辑管的数量匹配于满足要求的静态电流。
[0013]可选的,所述第二增强型逻辑管的数量为三个。
[0014]可选的,所述第一耗尽型逻辑管与所述第二耗尽型逻辑管的关断电压处于
‑
0.75伏至
‑
1.25伏的范围内。
[0015]可选的,所述第一耗尽型逻辑管与所述第二耗尽型逻辑管的关断电压为
‑
1伏。
[0016]可选的,所述电平转换逻辑电路是采用ED
‑
pHEMT工艺制作的。
[0017]可选的,输入至所述信号输入端的信号为射频信号,或者:输入所述信号输入端的信号是基于所述射频信号形成的。
[0018]根据本技术的第二方面,提供了一种电子设备,包括第一方面及其可选方案涉及的电平转换逻辑电路。
[0019]本技术提供的电平转换逻辑电路与电子设备中,输入信号的变化可改变耗尽型逻辑管的状态,与此同时,可改变第一增强型逻辑管的状态,进而,第一增强型逻辑管与第二耗尽型逻辑管间的输出信号可匹配变化,实现输出信号与输入信号之间的转换,其中,由于所述第一增强型逻辑管与所述第二耗尽型逻辑管均为负压开启的逻辑管,进而,两个耗尽型逻辑管可在输入信号为0V(或接近0V)时导通,在输入信号升高至一定幅度时(即输入信号与地之间形成关断电压时),可驱动两个耗尽型逻辑管关断,由于负压开启的逻辑管的关断电压的绝对值大于增强型逻辑管的开启电压,进而,可避免输入信号的扰动而造成的误翻转,起到抗干扰的作用。
[0020]针对于部分工艺(例如ED
‑
pHEMT工艺),其所能形成的器件有限,由于本技术主要采用耗尽型逻辑管、增强型逻辑管实现,可便于在ED
‑
pHEMT工艺或其他可形成耗尽型逻辑管、增强型逻辑管的工艺实现。
[0021]进一步的方案中,通过逻辑管所形成的有源偏置模块,还可起到低功耗、大驱动能力、减小逻辑电路面积的积极效果。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本技术一实施例中电平转换逻辑电路的电路示意图一;
[0024]图2是本技术一实施例中电平转换逻辑电路的电路示意图二;
[0025]图3是本技术一实施例中电平转换逻辑电路的电路示意图三。
[0026]附图标记说明:
[0027]1‑
有源偏置模块;
[0028]DT1
‑
第一耗尽型逻辑管;
[0029]DT2
‑
第二耗尽型逻辑管;
[0030]ET1
‑
第一增强型逻辑管;
[0031]ET2、ET3、ET4
‑
第二增强型逻辑管;
[0032]DT3
‑
第三耗尽型逻辑管;
[0033]Vdd
‑
电压源。
具体实施方式
[0034]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0035]本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0036]下面以具体地实施例对本技术的技术方案进行详细说明。下面这几个具体本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电平转换逻辑电路,其特征在于,包括:第一耗尽型逻辑管、第二耗尽型逻辑管与第一增强型逻辑管;所述第一耗尽型逻辑管与所述第二耗尽型逻辑管均为具有负压开启特性的逻辑管;所述第一耗尽型逻辑管的第一端直接或间接连接至所述第一增强型逻辑管的控制端,所述第一增强型逻辑管的第一端连接电压源,所述第一增强型逻辑管的第二端连接所述第二耗尽型逻辑管的第一端;所述第一耗尽型逻辑管的控制端与所述第二耗尽型逻辑管的控制端均接地;所述第一增强型逻辑管的第二端与所述第二耗尽型逻辑管的第一端还连接信号输出端,所述第一耗尽型逻辑管的第二端与所述第二耗尽型逻辑管的第二端均连接信号输入端。2.根据权利要求1所述的电平转换逻辑电路,其特征在于,还包括有源偏置模块,所述有源偏置模块连接于所述第一增强型逻辑管的控制端,以向所述第一增强型逻辑管提供偏置电压。3.根据权利要求2所述的电平转换逻辑电路,其特征在于,所述有源偏置模块包括第三耗尽型逻辑管与多个第二增强型逻辑管;所述第三耗尽型逻辑管的第一端连接所述电压源,所述多个第二增强型逻辑管中的第一个第二增强型逻辑管的第一端连接所述第三耗尽型逻辑管的第二端,除所述第一个第二增强型逻辑管之外,每个第二增强型逻辑管的第一端均连接上一个第二增强型逻辑管的第二端...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑新年,钟林,孙凯,柯庆福,
申请(专利权)人:晋江三伍微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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