半导体电路的过热检测方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体电路的过热检测方法、装置、设备及存储介质，半导体电路包括金属基板、功率芯片和热敏电阻，功率芯片所产生的热量通过金属基板传递给热敏电阻，过热检测方法包括：获取热敏电阻的阻值以及其在预设时间内的波动值；若热敏电阻的阻值大于预设阈值，则判断半导体电路的内部温度过高；和/或，若波动值超出预设的波动范围，则判断半导体电路的内部温度过高。本发明专利技术所提出的半导体电路的过热检测方法，其不仅可根据热敏电阻的阻值判断半导体电路的温度是否过高，同时还可根据热敏电阻的阻值在预设时间内的波动值判断半导体电路的温度是否过高，如此，可避免出现因温度突变而导致的功率器件损坏，从而保证半导体电路的使用安全。路的使用安全。路的使用安全。

【技术实现步骤摘要】
半导体电路的过热检测方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及功率半导体领域，特别涉及一种半导体电路的过热检测方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，其将功率开关器件和高压驱动电路集成在一起，并内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路。
[0003]一般方案，有些半导体电路没有热敏电阻，也没有相应的采样控制功能。有些方案在内部放置有热敏电阻，可以将功率芯片产生的热量通过基板和塑封料传递，从而改变其阻值。内部驱动芯片或外部MCU通过引脚，检测热敏电阻的阻值，通过软件比较运算，判断半导体电路的温度是否过高。
[0004]但是，在一些异常情况发生时，往往温升不会缓慢增加，而是存在一个突然的跳变。比如负载短路，输入电压异常等，造成功率器件的快速温升，此时如果还是依靠监测热敏电阻检测到的绝对温度做衡量，因为温度传导时差的存在，可能在热敏电阻达到温度上限之前，功率器件就已经被损坏。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提出一种半导体电路的过热检测方法，旨在解决现有的半导体电路的过热检测方法可能会导致功率器件损坏的技术问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提出一种半导体电路的过热检测方法，所述半导体电路包括金属基板、功率芯片和热敏电阻，所述功率芯片和所述热敏电阻分别设于所述金属基板上并与其电连接，所述功率芯片所产生的热量通过所述金属基板传递给所述热敏电阻，所述半导体电路的过热检测方法包括：
[0007]获取所述热敏电阻的阻值以及其在预设时间内的波动值；
[0008]若所述热敏电阻的阻值大于预设阈值，则判断所述半导体电路的内部温度过高；和/或，
[0009]若所述波动值超出预设的波动范围，则判断所述半导体电路的内部温度过高。
[0010]优选地，当判断所述半导体电路的内部温度过高时，所述半导体电路的过热检测方法还包括：
[0011]控制所述半导体电路降频。
[0012]优选地，当判断所述半导体电路的内部温度过高时，所述半导体电路的过热检测方法还包括：
[0013]控制所述半导体电路减小电流。
[0014]优选地，当判断所述半导体电路的内部温度过高时，所述半导体电路的过热检测方法还包括：
[0015]控制所述半导体电路关断。
[0016]本专利技术还提出一种半导体电路的过热检测装置，所述半导体电路包括金属基板、功率芯片和热敏电阻，所述功率芯片和所述热敏电阻分别设于所述金属基板上并与其电连接，所述功率芯片所产生的热量通过所述金属基板传递给所述热敏电阻，所述半导体电路的过热检测装置包括：
[0017]数据获取模块，用于获取热敏电阻的阻值以及其在预设时间内的波动值；
[0018]第一判断模块，用于若所述热敏电阻的阻值大于预设阈值，则判断所述半导体电路的内部温度过高；和/或，
[0019]第二判断模块，用于若所述波动值超出预设的波动范围，则判断所述半导体电路的内部温度过高。
[0020]优选地，所述半导体电路的过热检测装置还包括：
[0021]第一控制模块，用于控制所述半导体电路降频。
[0022]优选地，所述半导体电路的过热检测装置还包括：
[0023]第二控制模块，用于控制所述半导体电路减小电流。
[0024]优选地，所述半导体电路的过热检测装置还包括：
[0025]第三控制模块，用于控制所述半导体电路关断。
[0026]本专利技术进一步提出一种半导体电路的过热检测设备，该半导体电路的过热检测设备包括：
[0027]存储器，用于存储计算机程序；
[0028]处理器，用于执行所述计算机程序时，实现前述所记载的半导体电路的过热检测方法，该半导体电路的过热检测方法至少包括以下步骤：
[0029]获取所述热敏电阻的阻值以及其在预设时间内的波动值；
[0030]若所述热敏电阻的阻值大于预设阈值，则判断所述半导体电路的内部温度过高；和/或，
[0031]若所述波动值超出预设的波动范围，则判断所述半导体电路的内部温度过高。
[0032]本专利技术还进一步提出一种存储介质，该存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，实现前述所记载的半导体电路的过热检测方法，该半导体电路的过热检测方法至少包括以下步骤：
[0033]获取所述热敏电阻的阻值以及其在预设时间内的波动值；
[0034]若所述热敏电阻的阻值大于预设阈值，则判断所述半导体电路的内部温度过高；和/或，
[0035]若所述波动值超出预设的波动范围，则判断所述半导体电路的内部温度过高。
[0036]与现有技术相比，本专利技术实施例的有益技术效果在于：
[0037]本专利技术所提出的半导体电路的过热检测方法，其不仅可根据热敏电阻的阻值判断半导体电路的温度是否过高，同时还可根据热敏电阻的阻值在预设时间内的波动值判断半导体电路的温度是否过高，如此，可避免出现因温度突变而导致的功率器件损坏，从而保证半导体电路的使用安全。
附图说明
[0038]图1为本专利技术一实施例中半导电路的过热检测方法的流程图；
[0039]图2为本专利技术实施例中半导体电路的结构示意图；
[0040]图3为本专利技术一实施中半导体电路的过热检测装置的功能模块图。
具体实施方式
[0041]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0042]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0043]另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0044]本专利技术提到的半导体电路，是一种将功率开关器件和高压驱动电路等集成在一起，并在外表进行密封封装的一种电路模块，在电力电子领域应用广泛，如驱动电机的变频器、各种逆变电压、变频调速、冶金机械、电力牵引、变频家电等领域应用。这里的半导体电路还有多种其他的名称，如模块化智能功率系统(Modular Intelligent Power System，MIPS)、智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)，或者称为混合集成电路、功率半导体模块、功率模块等名称。在本专利技术的以下实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路的过热检测方法，所述半导体电路包括金属基板、功率芯片和热敏电阻，所述功率芯片和所述热敏电阻分别设于所述金属基板上并与其电连接，所述功率芯片所产生的热量通过所述金属基板传递给所述热敏电阻，其特征在于，所述半导体电路的过热检测方法包括：获取所述热敏电阻的阻值以及其在预设时间内的波动值；若所述热敏电阻的阻值大于预设阈值，则判断所述半导体电路的内部温度过高；和/或，若所述波动值超出预设的波动范围，则判断所述半导体电路的内部温度过高。2.根据权利要求1所述的半导体电路的过热检测方法，其特征在于，当判断所述半导体电路的内部温度过高时，所述半导体电路的过热检测方法还包括：控制所述半导体电路降频。3.根据权利要求1所述的半导体电路的过热检测方法，其特征在于，当判断所述半导体电路的内部温度过高时，所述半导体电路的过热检测方法还包括：控制所述半导体电路减小电流。4.根据权利要求1所述的半导体电路的过热检测方法，其特征在于，当判断所述半导体电路的内部温度过高时，所述半导体电路的过热检测方法还包括：控制所述半导体电路关断。5.一种半导体电路的过热检测装置，所述半导体电路包括金属基板、功率芯片和热敏电阻，所述功率芯片和所述热敏电阻分别设于所述金属基板上并与其电连接，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，潘志坚，张土明，左安超，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：