像素电极及其形成方法、电光学装置和电子仪器制造方法及图纸

提供一种像素电极及其形成方法、和具备该像素电极的电光学装置、电子仪器，可对像素电极进行细微的图案形成，并防止气体或水分的影响引起的特性变化或透过率的下降。像素电极的形成方法，具备：在基板（Ｐ）上，形成围堰（Ｂ４）的工序；在由围堰（Ｂ４）划分的区域中，利用液滴喷出法配置含有透明导电性微粒子的第１功能液的工序；干燥处理第１功能液，作成第１层膜（１９ｃ）的工序；在第１层膜（１９ｃ）上，利用液滴喷出法来配置含有硅化合物的第２功能液的工序；和一起烧成第１层膜（１９ｃ）与第２功能液，形成由第１层膜（１９ｃ）与填埋该膜中的空孔的硅氧化物构成之透明导电层（１９ａ），同时，在该透明导电层上形成硅氧化物层（１９ｂ），并形成层叠透明导电层（１９ａ）与硅氧化物层（１９ｂ）的像素电极（１９）的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种主要用于电光学装置的透明像素电极及其形成方法、和具备该像素电极的电光学装置、电子仪器。
技术介绍
在液晶显示装置等电光学装置中，当在显示侧形成像素电极时，为了使光透过该像素电极中，通过由ITO(铟锡氧化物)等构成的透明导电膜来形成像素电极。在形成这种由ITO构成的透明导电膜的情况下，一般多采用溅射法或蒸镀法等气相法。在溅射法等气相法中，由于在成膜之后需要进行图案形成(布图)，所以通常使用光刻法来进行图案形成。但是，使用光刻法的图案形成在成膜处理和蚀刻处理时，需要真空装置等大型设备与复杂的工序，另外，材料使用效率为百分之几左右，基本上被废弃，不仅制造成本高，而且生产性也低。在这种背景下，提供一种利用液相法来形成透明导电膜的技术。例如，已知如下方法，通过使ITO的微粒子分散到树脂和有机溶剂中，利用浸渍涂布、旋涂、漂浮、网印、照相凹版术、胶印等涂布法或印刷法来涂布得到的分散液，再干燥、烧成，由此形成透明导电膜(例如参照专利文献1)。在该方法中，由于尤其是由ITO的微粒子得到的膜具有空孔，所以为了防止受到气体或水分的影响，导电性(比电阻)变化，形成金属氧化物膜以填埋空孔，难以受到气体或水分的影响。专利文献1特开平9-194233号公报但是，在使用形成液晶显示装置的晶体管(例如由非晶硅构成的TFT)的基板侧，使用所述方法来形成透明像素电极(透明导电膜)的情况下，尤其存在如下所示的课题。在浸渍涂布或旋涂、漂浮(floating)等涂布法中，由于在整个面中形成ITO微粒子与金属氧化物的混合膜，所以不能进行细微的图案形成(蚀刻处理)。即，这是因为通常由盐酸类的蚀刻液对ITO膜进行湿蚀刻，进行图案形成，相反，对于作为金属氧化物例如硅氧化物，利用氢氟酸类的蚀刻液进行湿蚀刻，并图案形成，所以对这些混合膜没有能良好地蚀刻其的蚀刻液。另外，在网印、照相凹版术、胶印等印刷法中，难以在先图案形成的ITO膜上，以其侧端面也良好覆盖的状态形成金属氧化物层。因此，在如此形成透明电极(透明导电膜)的情况下，会从其侧端面引起吸湿，导电性(比电阻)变化。另一方面，为了侧端面也良好覆盖，还考虑厚地形成金属氧化物层，但此时，透明电极的表面电阻会因该金属氧化物层而变高，另外，透过率也会降低。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题而做出，其目的在于提供一种像素电极及其形成方法、和具备该像素电极的电光学装置、电子仪器，可对像素电极进行细微的图案形成，并防止气体或水分的影响引起的特性变化或透过率的下降。为了实现所述目的，本专利技术的像素电极的形成方法在基板上形成像素电极，其中具备在基板上，形成对应于所述像素电极的形成区域的围堰(bank)的工序；在由所述围堰划分的区域中，利用液滴喷出法配置含有透明导电性微粒子的第1功能液的工序；干燥处理所述第1功能液，作成第1层膜的工序；在所述第1层膜上，利用液滴喷出法配置含有硅化合物的第2功能液的工序；和一起烧成所述第1层膜与第2功能液，形成由所述第1层膜与填埋该第1层膜中的空孔的硅氧化物构成的透明导电层，同时，在该透明导电层上形成硅氧化物层，并形成层叠该透明导电层与硅氧化物层的像素电极的工序。根据该像素电极的形成方法，由于利用液滴喷出法在由围堰划分的区域中依次配置第1功能液、第2功能液，形成像素电极，所以通过事先对应于期望的像素电极图案来形成围堰，即便是例如细微的图案，也可高精度地图案形成而形成该像素电极。另外，由于在围堰内形成像素电极，所以尤其是将该像素电极的侧端面覆盖在围堰上，从而可不伴随透过率的下降地抑制从侧端面的吸湿引起的像素电极的导电性变化。另外，就所述像素电极的形成方法而言，优选使所述干燥处理后得到的第1层膜的厚度设为400nm以下。据此，可更好地确保得到的像素电极的透明性。另外，就所述像素电极的形成方法而言，优选使所述硅氧化物层的厚度设为10nm以上、100nm以下。不足10nm，该硅氧化物层的平坦性降低，所以担心透过率降低，若超过100nm，则担心会在该硅氧化物层中形成电容。因此，通过设所述范围，可抑制像素电极的透过率下降，并且可防止形成电容。另外，就所述像素电极的形成方法而言，优选使用玻璃制基板，作为所述基板。据此，由于尤其是通过层叠透明导电层与硅氧化物层来形成像素电极，所以硅氧化物层具有基本上与玻璃相同的透过率，故像素电极自身也具有接近玻璃的透过率。因此，通过像素电极与玻璃制基板之间的折射率足够小，尤其是在将该像素电极用于电光学装置中的情况下，可使电光学装置的显示性能提高。本专利技术的像素电极的特征在于其在基板上形成围堰，并在由所述围堰划分的区域，层叠设置透明导电层与硅氧化物层而成，其中所述透明导电层，由透明导电性微粒子构成的第1层膜与填埋该第1层膜中的空孔的硅氧化物构成；所述硅氧化物层，覆盖该透明导电层而形成。根据该像素电极，由于在由围堰划分的区域中，层叠设置有透明导电层与覆盖该透明导电层形成的硅氧化物层，所以通过事先对应于期望的像素电极图案来形成围堰，即便是例如细微的图案，也可高精度地图案形成该像素电极。另外，由于在围堰内形成透明导电层与硅氧化物层，所以这些层的侧端面覆盖在围堰上，从而可不伴随透过率的下降地抑制尤其是从侧端面的吸湿引起的透明导电层的导电性变化。本专利技术的电光学装置的特征在于具备了由所述形成方法得到的像素电极、或所述的像素电极。根据该电光学装置，可细微化像素电极，从而可精细化显示。另外，由于不伴随透过率的下降地抑制像素电极的导电性变化，所以可稳定显示。本专利技术的电子仪器的特征在于具备了所述的电光学装置。根据该电子仪器，可通过该电光学装置来精细地稳定显示。附图说明图1是涉及实施方式的液晶显示装置的等效电路图。图2是表示涉及实施方式的液晶显示装置的整体构成的平面图。图3是表示涉及实施方式的液晶显示装置的1像素区域的平面构成图。图4是表示涉及实施方式的液晶显示装置的TFT阵列基板的局部截面构成图。图5(a)是表示液滴喷出装置的一例的图，(b)是喷出头的示意图。图6是用于说明薄膜晶体管的制造方法的截面工序图。图7是用于说明薄膜晶体管的制造方法的截面工序图。图8是用于说明薄膜晶体管的制造方法的截面工序图。图9是用于说明薄膜晶体管的制造方法的截面工序图。图10是表示电子仪器的一例的立体构成图。图中P...玻璃基板(基板)、19...像素电极、19a...透明导电层、19b...硅氧化物层、19c...第1层膜、33...半导体层、34...源极电极、35...漏极电极、60...TFT(薄膜晶体管)、80...栅极电极层、81...盖(cap)层、82...导电图案、83...栅极绝缘膜、84...非晶硅层、85...N+硅层、B1...第1围堰、B2...第2围堰、B3...第3围堰、B4...第4围堰(围堰)、100...液晶显示装置(电光学装置)具体实施方式下面，参照附图来详细说明本专利技术。参照的各图中，为了构成附图上可识别的大小，有时比例对每层或每个部件都不同。(电光学装置)首先，说明本专利技术的电光学装置的一实施方式。图1是表示作为本专利技术电光学装置的一实施方式的液晶显示装置100的等效电路图。该液晶显示装置100中，在构成像素显示区域的配置成矩阵状的多个点上，分别形成像素电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电极的形成方法，在基板上形成像素电极，其中，具备：在基板上，形成对应于所述像素电极的形成区域的围堰的工序；在由所述围堰划分的区域中，利用液滴喷出法配置含有透明导电性微粒子的第１功能液的工序；干燥处理所述第１功 能液，作成第１层膜的工序；在所述第１层膜上，利用液滴喷出法配置含有硅化合物的第２功能液的工序；和一起烧成所述第１层膜与第２功能液，形成由所述第１层膜与填埋该第１层膜中的空孔的硅氧化物构成的透明导电层，同时，在该透明导电层上形 成硅氧化物层，并形成层叠该透明导电层与硅氧化物层而成的像素电极的工序。

【技术特征摘要】
JP 2005-5-27 2005-1550021.一种像素电极的形成方法，在基板上形成像素电极，其中，具备在基板上，形成对应于所述像素电极的形成区域的围堰的工序；在由所述围堰划分的区域中，利用液滴喷出法配置含有透明导电性微粒子的第1功能液的工序；干燥处理所述第1功能液，作成第1层膜的工序；在所述第1层膜上，利用液滴喷出法配置含有硅化合物的第2功能液的工序；和一起烧成所述第1层膜与第2功能液，形成由所述第1层膜与填埋该第1层膜中的空孔的硅氧化物构成的透明导电层，同时，在该透明导电层上形成硅氧化物层，并形成层叠该透明导电层与硅氧化物层而成的像素电极的工序。2.根据权利要求1所述的像素电极的形成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：传田敦，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]