薄膜上倒装片封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜上倒装片封装结构，其包括挠性基底、倒装片及第一散热片。挠性基底具有上表面和下表面。倒装片被固定于挠性基底的上表面上，并且与挠性基底形成电连接。第一散热片被设置于挠性基底下表面上，用以散逸倒装片工作过程中所产生的热量。此外，第一散热片亦有提高封装结构的强度的作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种薄膜上倒装片封装结构(Flip-chip-on-film packagestructure)，尤其涉及一种可有效散逸倒装片工作过程中所产生的热量的薄膜上倒装片封装结构。
技术介绍
现今的电子产业中，高效能的芯片以倒装片方式设置于挠性基底(Flexible substrate)上，以实现薄膜上倒装片(Chip on film)的封装。薄膜上倒装片封装结构能运用于体积轻薄短小的电子产品中，例如驱动IC芯片。然而，在电子产品工作过程中，芯片将产生热量且不易逸散。此外，在封装与使用过程中，因封装结构的整体强度不足，芯片容易随挠性基底弯折而损伤，进而导致产品使用寿命缩短。请参阅图1，图1为现有的薄膜上倒装片封装结构10的示意图。薄膜上倒装片封装结构10包括挠性基底12、倒装片14及密封胶16。挠性基底12具有上表面(Upper surface)120和形成于上表面120上的引线层(Leadlayer)122。倒装片14具有有源表面(Active surface)140以及背面142。至少一个凸块(Bump)144形成于倒装片14的有源表面140上。当倒装片14被固定至挠性基底12上时，凸块144与挠性基底12的引线层122形成电连接。密封胶(Sealant)16被涂布于倒装片14与挠性基底12之间。在所述薄膜上倒装片封装结构10中，倒装片14在工作过程中将产生热能，热能仅由倒装片14的背面142逸散，因此无法达到最佳散热效果。此外，当挠性基底12的强度不足以支撑在其上方的倒装片14时，在封装与使用过程中，倒装片14将因碰撞而受损。因此，提供一种可解决上述问题的薄膜上倒装片封装结构已成为当前的重要课题之一。
技术实现思路
据此，本专利技术要解决的技术问题是，提供一种薄膜上倒装片封装结构以克服上述缺陷。根据本专利技术一方面，提供一种薄膜上倒装片封装结构，其在挠性基底的下表面设置散热片，用以散逸倒装片工作过程中所产生的热量。根据本专利技术另一方面，提供一种薄膜上倒装片封装结构，其在挠性基底的下表面设置散热片，用以提高封装结构的强度。根据本专利技术的一优选实施方式，此薄膜上倒装片封装结构(Flip-chip-on-film package structure)包括挠性基底(Flexible substrate)、倒装片(Flip chip)以及第一散热片(Heat sink)。挠性基底具有上表面(Uppersurface)以及下表面(Lower surface)。倒装片被固定于挠性基底的上表面上，并且与挠性基底形成电连接。第一散热片被设置于挠性基底的下表面上，用以散逸倒装片工作过程中所产生的热量。此外，第一散热片亦有提高该封装结构的强度的作用。因此，借助于本专利技术的薄膜上倒装片封装结构不仅可有效地散逸倒装片工作过程中所产生的热量，并且可提高封装结构的强度。关于本专利技术的优点与构思可通过以下结合附图对本专利技术作出的详细描述得到进一步了解。附图说明图1为现有的薄膜上倒装片封装结构的示意图；图2为本专利技术第一优选实施方式的薄膜上倒装片封装结构的示意图；图3为本专利技术第二优选实施方式的薄膜上倒装片封装结构的示意图；图4为图3所示的薄膜上倒装片封装结构的上视图；图5为本专利技术第三优选实施方式的薄膜上倒装片封装结构的示意图；图6为本专利技术第四优选实施方式的薄膜上倒装片封装结构的示意图；图7为本专利技术第五优选实施方式的薄膜上倒装片封装结构的示意图；图8为本专利技术第六优选实施方式的薄膜上倒装片封装结构的示意图；图9为图8所示的薄膜上倒装片封装结构的上视图；图10为本专利技术第七优选实施方式的薄膜上倒装片封装结构的示意图。附图标记说明10、30、50、60、70、80、90、100薄膜上倒装片封装结构 12、32、52、72、82、92 挠性基底120、320 上表面122、324、524 引线层14、34、54、64、74、84、94、104倒装片140、340、540 有源表面142、640 背面144、40凸块16、38 密封胶322、722、822 下表面36、56、76、86、106第一散热片42 虚凸块526、926 导热孔62 第二散热片具体实施方式请参阅图2，图2为本专利技术第一优选实施方式的薄膜上倒装片封装结构30的示意图。薄膜上倒装片封装结构(Flip-chip-on-film package structure)30包括挠性基底(Flexible substrate)32、倒装片(Flip chip)34、第一散热片(Heat sink)36以及密封胶(Sealant)38。挠性基底32可为聚酰亚胺(Polyimide，PI)基底或其他具有相同功能的类似基底。挠性基底32具有上表面(Upper surface)320、下表面(Lower surface)322和形成于上表面320上的引线层324。倒装片34被固定于挠性基底32的上表面320上，并且具有有源表面(Active surface)340，至少一凸块(Bump)40形成于有源表面340上并与挠性基底32的引线层324形成电连接。密封胶38被涂布于倒装片34和挠性基底32之间，其中，密封胶38选自由底部填充材料(Under-filling material)、树脂(Resin)、各向异性的导电胶糊(Anisotropicconductive paste，ACP)及各向异性的导电胶膜(Anisotropic conductive film，ACF)组成的组中的任一种材料。如图2所示，第一散热片36被设置于挠性基底32的下表面322上且位于倒装片34的正下方，用以散逸倒装片34工作过程中所产生的热量。第一散热片36可以粘贴方式设置于挠性基底32的下表面322上，其中粘贴第一散热片36的粘胶可选自由树脂(Resin)、导热胶糊(Heat conductivepaste)、各向异性的导电胶糊(Anisotropic conductive paste，ACP)以及各向异性的导电胶膜(Anisotropic conductive film，ACF)组成的组中的任一种材料。第一散热片亦可通过溅射工序、涂覆工序或溅射后再电镀的工序形成于挠性基底32的下表面322上。在此实施方式中，第一散热片的尺寸大于倒装片。请参阅图3及图4，图3为本专利技术第二优选实施方式的薄膜上倒装片封装结构50的示意图。图4为图3所示的薄膜上倒装片封装结构50的上视图。薄膜上倒装片封装结构50与薄膜上倒装片封装结构30的主要不同之外在于薄膜上倒装片封装结构50的挠性基底52具有至少一导热孔(Heat-conducting hole)526，而在倒装片54的有源表面540上形成至少一虚凸块(Dummy bump)42，如图3所示。在薄膜上倒装片封装结构50中，虚凸块42与导热孔526分别与引线层524热耦合，使得倒装片54工作过程中所产生的热量可通过虚凸块42、引线层524以及导热孔526传递至第一散热片56，如图4所示。据此，薄膜上倒装片封装结构50可更有效地散逸倒装片54工作过程中所产生的热量。图3所示的薄膜上倒装片封装结构50的原理与图2所示的薄膜上倒装片封装结构30相同，在此不再赘述。请参阅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜上倒装片封装结构，包括：挠性基底，该挠性基底具有上表面及下表面；倒装片，该倒装片被固定于所述挠性基底的上表面上，并且与所述挠性基底形成电连接；及第一散热片，该第一散热片被设置于所述挠性基底的下表面上，用以散逸 所述倒装片工作过程中所产生的热量。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜上倒装片封装结构，包括挠性基底，该挠性基底具有上表面及下表面；倒装片，该倒装片被固定于所述挠性基底的上表面上，并且与所述挠性基底形成电连接；及第一散热片，该第一散热片被设置于所述挠性基底的下表面上，用以散逸所述倒装片工作过程中所产生的热量。2.如权利要求1所述的薄膜上倒装片封装结构，其中，还包括涂布于所述倒装片与挠性基底之间的密封胶。3.如权利要求2所述的薄膜上倒装片封装结构，其中，所述密封胶选自由底部填充材料、树脂、各向异性的导电胶糊及各向异性的导电胶膜组成的组中的任一种材料。4.如权利要求1所述的薄膜上倒装片封装结构，其中，所述挠性基底还包括形成于所述上表面上并与所述倒装片形成电连接的引线层。5.如权利要求4所述的薄膜上倒装片封装结构，其中，所述倒装片具有有源表面，在该有源表面上形成至少一凸块，所述凸块与所述挠性基底的引线层电连接。6.如权利要求4所述的薄膜上倒装片封装结构，其中，所述挠性基底还具有至少一导热孔，所述倒装片工作过程中所产生的热量经由所述至少一导热孔传递至所述第一散热片。7.如权利要求6所述的薄膜上倒装片封装结构，其中，所述引线层与所述至少一导热孔热耦合。8.如权利要求7所述的薄膜上倒装片封装结构，其中，所述倒装片具有有源表面，该有源表面上形成至少一虚凸块，所述虚凸块与所述引线层热耦合，致使所述倒装片在工作过程中所产生的热量经由所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈更新，蔡坤宪，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，百慕达南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]