显示元件的形成方法及其结构技术

本发明专利技术提供一种形成显示元件的方法，包括：于基板上形成第一金属、绝缘层、第二金属、保护层，并且形成有机光致抗蚀剂层于保护层上。接着，对有机光致抗蚀剂层进行光刻步骤，以形成图案化有机光致抗蚀剂层。接着，以图案化有机光致抗蚀剂层作为掩模，执行干蚀刻步骤，使得在第一金属上形成第一接触孔和在第二金属上形成第二接触孔，并分别曝露出第一金属和第二金属。接下来，采用热处理的方式，处理图案化有机光致抗蚀剂层，使得图案化有机光致抗蚀剂层产生相变，并朝向第一接触孔的侧壁和第二接触孔的侧壁流动，且覆盖在第一接触孔和第二接触孔的侧壁上。通过图案化有机光致抗蚀剂层覆盖接触孔的侧壁，以控制接触孔侧壁的倾斜角度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜显示元件，特别是在形成接触孔的步骤时，形成图案化光致抗蚀剂层之后，直接进行蚀刻步骤，以形成接触孔，然后再对图案化光致抗蚀剂层进行热处理，使得图案化光致抗蚀剂层产生相变，而朝向接触孔的侧壁流动，并且覆盖在接触孔的侧壁上。
技术介绍
参考图1，是表示现有技术形成显示元件各步骤的流程图。首先步骤100表示提供基板；步骤110表示形成第一金属于基板上；步骤120表示形成绝缘层以覆盖第一金属和基板；步骤130表示形成第二金属在绝缘层上；步骤140表示形成保护层覆盖在第二金属和绝缘层上；步骤150形成有机光致抗蚀剂层(organic layer)在保护层上。接着，步骤151表示对有机光致抗蚀剂层进行光刻工艺。接着，步骤152表示对有机光致抗蚀剂层进行固化工艺，使得有机光致抗蚀剂层产生交联(cross-linking)。接着，进行步骤160，分别于第一金属和第二金属上方形成第一接触孔和第二接触孔；步骤170，利用氧气等离子体移除集成电路连接(IC bonding)区域的有机光致抗蚀剂层；和步骤180，沉积透明电极层于第一接触孔和第二接触孔的侧壁上，并且与曝露出第一接触孔的第一金属和曝露出第二接触孔的第二金属连接。参考图2A至图2B，是根据上述流程所述各步骤的示意图，其中图2A中，参考标号200为基板、202A和202B分别为第一金属和第二金属、204为绝缘层、206为保护层、208为有机光致抗蚀剂层、而标号210为表示在光刻工艺中，对有机光致抗蚀剂层208进行曝光、显影等步骤，至此有机光致抗蚀剂层208变成图案化有机光致抗蚀剂层208a(patterned organicphotoresist layer)，接着再对图案化有机光致抗蚀剂层208a进行漂白和固化(curing)等步骤。图2B是利用SF6/O2气体进行干蚀刻步骤，依次蚀刻保护层206和绝缘层204，因此，在第一金属202A上方形成第一接触孔220A、并曝露出第一金属202A的表面，在第二金属202B上方形成第二接触孔220B、并曝露出第二金属202B的表面。接着，利用氧气等离子体对面板驱动集成电路连接区域较薄的图案化有机光致抗蚀剂层208a移除，使得残留部分的图案化有机光致抗蚀剂层208a位于保护层206上，且邻近于第一接触孔220A和第二接触孔220B。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，在形成显示元件的工艺中，形成图案化有机光致抗蚀剂层于保护层时，先进行干蚀刻步骤以形成至少一个接触孔，然后再对图案化有机光致抗蚀剂层进行固化(curing)步骤，使得图案化有机光致抗蚀剂层朝向接触孔的侧壁流动，并通过固化而覆盖于接触孔的侧壁上。根据以上所述的目的，本专利技术提供一种形成显示元件的方法，包括形成第一金属于基板上，形成绝缘层于基板上并覆盖第一金属，形成第二金属于绝缘层上，形成保护层以覆盖绝缘层和第二金属，和形成有机光致抗蚀剂层于保护层上。接着，对有机光致抗蚀剂层进行曝光、显影等光刻步骤，以形成图案化有机光致抗蚀剂层。接着，以图案化有机光致抗蚀剂层作为掩模，执行干蚀刻步骤，因此在第一金属上形成第一接触孔，并且在第二金属上形成第二接触孔。接下来，利用热处理的方式处理图案化有机光致抗蚀剂层，使得图案化有机光致抗蚀剂层朝向第一接触孔的侧壁和第二接触孔的侧壁流动，并且覆盖第一接触孔的侧壁和第二接触孔的侧壁。接着，于图案化有机光致抗蚀剂层上形成透明电极层，并且因此第一接触孔和第二接触孔分别与第一金属和第二金属电连接。附图说明图1是根据现有技术形成薄膜晶体的各个步骤的流程图；图2A至图2B是根据图1的流程图所示的各步骤形成的示意图；图3是根据本专利技术所揭示的形成薄膜晶体管的各步骤的流程图；图4A至图4D是根据本专利技术所揭示的技术，通过热处理方式以形成保护层倾斜角度较大的接触孔各步骤的示意图；和图5A至图5E是根据本专利技术所揭示的另一优选实施例，通过热处理方式以控制接触孔的倾斜角度的各步骤示意图。简单符号说明 1-8形成薄膜晶体管的步骤流程图10基板 12金属14保护层141保护层侧壁16图案化有机光致抗蚀剂层20接触孔22热处理工艺50基板52A第一金属 52B第二金属54绝缘层541绝缘层侧壁56保护层561保护层侧壁58有机光致抗蚀剂层60A第一接触孔 60B第二接触孔62透明电极层100-180现有技术形成薄膜晶体管之各步骤流程图200基板202A第一金属202B第二金属204绝缘层 206保护层208有机光致抗蚀剂层 208a图案化有机光致抗蚀剂层210光刻工艺 220A第一接触孔220B第二接触孔具体实施方式本专利技术的一些实施例将详细描述如下。然而，除了详细描述外，本专利技术还可以广泛地在其它的实施例施行，且本专利技术的范围不受限定，其以所附权利要求为准。再者，为提供更清楚的描述及更易理解本专利技术，附图中各部分并没有依照其相对尺寸绘制，某些尺寸与其它相关尺度相比已经被夸张；不相关的细节部分也未完全绘出，以便清晰。参考图3，是表示本专利技术所揭示形成显示元件的各步骤的示意图，步骤1是提供基板；步骤2是形成第一金属于基板上；步骤3是形成绝缘层以覆盖第一金属，并覆盖于基板上；步骤4是形成第二金属于绝缘层上；步骤5是形成保护层覆盖于第二金属上，并形成于绝缘层上；步骤6是将有机光致抗蚀剂层涂敷在保护层上，形成的方式可利用旋转涂敷法(spin coating)或狭缝式涂敷(slit coating)。接着，步骤601是对有机光致抗蚀剂层进行光刻工艺(lithography process)，其光刻工艺包括曝光(exposure)、显影(developing)和漂白等步骤，使得有机光致抗蚀剂层变成图案化光致抗蚀剂层(patternedphotoresist layer)。接下来，步骤7是以图案化光致抗蚀剂层作为掩模，依次蚀刻保护层和绝缘层，以形成第一接触孔和第二接触孔。步骤8是对图案化光致抗蚀剂层进行固化，使得图案化光致抗蚀剂层产生回流(reflow)，朝向接触孔的侧壁流动，并覆盖于接触孔的侧壁上，因此，产生倾斜角度较缓的接触孔。根据上述形成步骤，本专利技术揭示一种形成接触孔的方法，如图4A至图4C所示，首先参考图4A，表示在基板10上形成金属12，其中基板10可以是透明基板(transparent substrate)，例如玻璃基板。接着，在基板10上形成保护层(passivation layer)14，并且覆盖金属12。接着，将图案化有机光致抗蚀剂层16以涂敷的方式，形成在保护层14上，并且曝露出部分保护层14表面，在此，形成图案化有机光致抗蚀剂层16的步骤包括沉积有机光致抗蚀剂层(未标示)于保护层14上；对有机光致抗蚀剂层进行光刻工艺，例如曝光、显影和漂白等人们熟知的光刻工艺，通过该光刻工艺将有机光致抗蚀剂层形成为图案化有机光致抗蚀剂层16，且其倾斜角度(taper angle)比图案化有机光致抗蚀剂层先进行固化之后的倾斜角度陡峭。接着参考图4B，在对有机光致抗蚀剂层16进行光刻工艺之后，以SF6/O2作为蚀刻气体，且以干蚀刻的方式，移除部分的保护层14，以形成至少一个接触孔20于金属12上方，且曝露出部分的金属12表面。在此，当利用SF6/O2蚀刻气体对保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成显示元件的方法，包括：提供基板；形成第一金属于该基板上方；形成绝缘层于该基板上，并覆盖该第一金属；形成第二金属于该绝缘层上；形成保护层，覆盖于该绝缘层和该第二金属上；形成图案化有机光致 抗蚀剂层，以覆盖该保护层；以该图案化有机光致抗蚀剂层作为掩模，执行蚀刻步骤，以形成第一接触孔位于该第一金属上方，和第二接触孔位于该第二金属上方；热处理该图案化有机光致抗蚀剂层，使该图案化有机光致抗蚀剂层朝向该第一接触孔的一个 侧壁，和该第二接触孔的一个侧壁流动，并覆盖和固化该第一接触孔的该侧壁和该第二接触孔的该侧壁；并且形成电极层位于该图案化有机光致抗蚀剂层上，通过该第一接触孔和该第二接触孔分别与该第一金属和该第二金属连接。

【技术特征摘要】
1.一种形成显示元件的方法，包括提供基板；形成第一金属于该基板上方；形成绝缘层于该基板上，并覆盖该第一金属；形成第二金属于该绝缘层上；形成保护层，覆盖于该绝缘层和该第二金属上；形成图案化有机光致抗蚀剂层，以覆盖该保护层；以该图案化有机光致抗蚀剂层作为掩模，执行蚀刻步骤，以形成第一接触孔位于该第一金属上方，和第二接触孔位于该第二金属上方；热处理该图案化有机光致抗蚀剂层，使该图案化有机光致抗蚀剂层朝向该第一接触孔的一个侧壁，和该第二接触孔的一个侧壁流动，并覆盖和固化该第一接触孔的该侧壁和该第二接触孔的该侧壁；并且形成电极层位于该图案化有机光致抗蚀剂层上，通过该第一接触孔和该第二接触孔分别与该第一金属和该第二金属连接。2.如权利要求1所述的方法，还包括固化该图案化有机光致抗蚀剂层。3.如权利要求1所述的方法，其中形成该图案化有机光致抗蚀剂层的方法包括旋转涂敷法或狭缝式涂敷。4.如权利要求1所述的方法，还包括移除该第一金属上方的部分该图案化有机光致抗蚀剂层。5.如权利要求1所述的方法，其中该热处理该图案化有机光致抗蚀剂层的步骤是利用热风式工艺进行。6.如权利要求1所述的方法，其中该热处理该图案化有机光致抗蚀剂层的步骤是利用加热板工艺进行。7.如权利要求1所述的方法，其中该热处理该图案化有机光致抗蚀剂层的步骤是利用红外线加热装置进行。8.如权利要求1所述的方法，其中该电极层的材料包括铟锡氧化物。9.一种形成显示元件的方法，包括提供透明基板；形成第一金属于该透明基板上；形成绝缘层于该第一金属和该透明基板上；形成第二金属于该绝缘层上；形成保护层覆盖于该第一金属上方的该绝缘层上，并且覆盖于该第二金属上；形成图案化光致抗蚀剂层于该保护层上方；于该图案化光致抗蚀剂层上执行第一次蚀刻步骤，以移除位于该第一金属上的部分该保护层以曝露出该绝缘层，并且曝露位于该第二金属上方的该保护层；以该图案化光致抗蚀剂层作为掩模，执行第二蚀刻步骤以移除位于该第一金属上方的该绝缘层并且蚀刻部分该保护层的一个侧壁，以曝露出该第一金属的一个上表面，以形成第一接触孔位于该第一金属上方，并且移除位于该第二金属上方的该保护层，以曝露出该第二金属层之上表面，及蚀刻部分该保护层的一个侧壁，以形成第二接触孔位于该第二金属上方；移除部分该图案化光致抗蚀剂层；热...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刘中，潘信桦，黄国有，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]