【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】密封装置、部件及光刻设备
[0001]本专利技术涉及光刻设备的密封装置,涉及一种包括该类型密封装置的光刻设备的部件,以及涉及一种包括该类型密封装置和/或该类型部件的光刻设备。
技术介绍
[0002]优先权申请案DE 10 2019 204 699.1的内容以引用方式完整并入本文中。
[0003]光刻技术用来生产微型结构部件,例如集成电路。光刻制程使用具有照明系统以及投射系统的光刻设备来执行。藉由照明系统所照明的掩模(掩模母版)的影像,在此案例中由投射系统投射至基板(例如硅晶片)上,该基板涂上感光层(光刻胶)并配置在该投射系统的像平面内,以便将掩模结构转印至基板的感光涂层。
[0004]在集成电路生产中对越来越小结构需求的驱使之下,当前正在开发的是使用波长在0.1nm至30nm范围内、特别是13.5nm的光的EUV光刻设备。在这种EUV光刻设备的情况下,由于大多数材料对该波长的光有高吸收力,因此必须使用反射光学单元,即反射镜,而不是像以前那样使用折射光学单元,即透镜元件。
[0005]如上所述EUV光刻设备包括具有冷却回路的部件,该回路例如用于用水冷却各个部件,或具有冲洗回路,该回路例如用于使用冲洗气体,特别是惰性气体,冲洗各个部件。这类型的部件可为例如所谓的致动传感器单元,借助于该单元可使分面反射镜、例如场分面反射镜或光瞳分面反射镜的各分面偏转。在这种情况下,为了使分面偏转,将所谓的致动传感器封装分配给每个分面。该致动传感器封装应相对于致动传感器单元的主体或框架以流体密封方式密封。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种密封装置(300),用于相对于光刻设备(100A、100B)的多个第二部件部分(206)来密封该光刻设备(100A、100B)的第一部件部分(202),包括:多个密封环(302),以及多个连接位置(304),其中所述密封环(302)借助于所述连接位置(304)彼此连接。2.如权利要求1所述的密封装置,其中所述连接位置(304)各自包括用于将相应密封环(302)挤压在该第一部件部分(202)与该第二部件部分(206)中的一个之间的屈服体积(226、308)。3.如权利要求2所述的密封装置,其中每一密封环(302)都包括内部轮廓(306),在每个内部轮廓中能够容纳至少部分第二部件部分(206),并且其中,该屈服体积(226)通过该内部轮廓(306)在该连接位置(304)处加宽而形成。4.如权利要求3所述的密封装置,其中该内部轮廓(306)在该连接位置(304)处包括连接半径(R304),其中该内部轮廓(306)在各个情况下在两个相邻连接位置(304)之间包括中间半径(R11、R12、R21、R22),并且其中该中间半径(R11、R12、R21、R22)和该连接半径(R304)以其绝对值表示时彼此不同,以使该内部轮廓(306)在该连接位置(304)处变宽并且在两个相邻连接位置(304)之间变窄。5.如权利要求4所述的密封装置,其中该中间半径(R11、R12、R21、R22)大于该连接半径(R304)。6.如权利要求5所述的密封装置,其中该内部轮廓(306)包括第一中间半径(R11、R12)和第二中间半径(R21、R22),其中该第一中间半径(R11、R12)和该第二中间半径(R21、R22)的幅度相等或不等。7.如权利要求6所述的密封装置,其中该第二中间半径(R21、R22)的幅度大于该第一中间半径(R11、R12)的幅度。8.如权利要求6或7所述的密封装置,其中其间设置有该第一中间半径(R11、R12)的两个相邻连接位置(304),以及其间设置有该第二中间半径(R21、R22)的两个相邻连接位置(304),以彼此以相同距离或不同距离相隔的方式布置。9.如权利要求6至8中任一项所述的密封装置,其中该中间半径(R11、R12、R21、R22)的中心点(MR11、MR12、MR21、MR22)相对于该连接半径(R304)的中心点(MR304
‑1‑
MR304
‑
4)偏移布置。10.如权利要求9所述的密封装置,其中该第一中间半径(R11、R12)的中心点(MR21、MR22)相对于该连接半径(R304)的中心点(MR304
‑1‑
MR3...
【专利技术属性】
技术研发人员:D巴德,A奥斯滕多夫,O弗吕格,
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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