【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种,特别是涉及一种先利用一可移除的接合媒介将一晶片接合于一承载晶片上,再进行一晶片薄化工艺薄化晶片厚度的方法,藉此晶片厚度可达到100微米之下。
技术介绍
许多半导体元件与微机电元件,基于功能考量或是尺寸需求,必须进行晶片薄化工艺,以将晶片缩减至适当厚度。现行晶片薄化工艺以研磨(polish)与蚀刻工艺为主,而对于上述任一种方法而言,晶片厚度的极限仅能达到约100微米。一般而言,晶片薄化工艺可于制作元件之前进行,或是待元件制作完成后再由晶片的背面进行。对于前者的作法而言,当晶片厚度低于100微米以下时(一般称之为超薄晶片),过薄的厚度使晶片在固定于传送上产生问题,因而易造成晶片破裂。对于后者的作法而言,不仅同样具有晶片不易固定于传送的问题,同时在元件已制作于晶片的正面的情况下,使用研磨方式易造成元件应力改变问题,而使用蚀刻方式则易于蚀刻工艺本身以及后续清洗工艺时造成元件受损等问题。由上述可知,现有在应用上有其极限,已无法满足现今对晶片厚度的要求,而犹待进一步的改善。鉴于此,申请人根据此缺点及依据多年相关经验,悉心观察且研究而提出改良的本专利技术,以提高晶片薄化工艺的极限。
技术实现思路
据此,本专利技术的主要目的在于提供一种,以解决现有技术无法克服的难题,进而提高晶片薄化工艺的极限。根据本专利技术的权利要求,提供一种。首先,提供一晶片,且该晶片包括一正面与一背面。接着提供一承载晶片,并利用一接合媒介将该晶片的该背面与该承载晶片接合。随后进行一晶片薄化工艺,自该晶片的该正面薄化该晶片。最后去除该接合媒介以分离该晶片与该承载晶片。由于本专利技术 ...
【技术保护点】
一种薄化晶片的方法,包括:提供一晶片,且该晶片包括一正面与一背面;提供一承载晶片;利用一接合媒介将该晶片的该背面与该承载晶片接合;进行一晶片薄化工艺,自该晶片的该正面薄化该晶片;以及去除该接合媒介以分 离该晶片与该承载晶片。
【技术特征摘要】
1.一种薄化晶片的方法,包括提供一晶片,且该晶片包括一正面与一背面;提供一承载晶片;利用一接合媒介将该晶片的该背面与该承载晶片接合;进行一晶片薄化工艺,自该晶片的该正面薄化该晶片;以及去除该接合媒介以分离该晶片与该承载晶片。2.如权利要求1所述的方法,其中该接合媒介选自热分离胶带、紫外线胶带、光致抗蚀剂、腊与蓝膜中的任一种。3.如权利要求1所述的方法,其中该晶片薄化工艺为一干式蚀刻工艺。4.如权利要求3所述的方法,其中该干式蚀刻为一等离子体蚀刻工艺。5.如权利要求1所述的方法,其中该晶片薄化工艺为一湿式蚀刻工艺。6.如权利要求1所述的方法,还包括于该晶片薄化工艺之后于该晶片的该正面形成多个元件。7.如权利要求1所述的方法,还包括于接合该晶片的该背面与该承载晶片之前先进行一初步晶片薄化工艺。8.如权利要求7所述的方法,其中于该初步晶片薄化工艺之后,该晶片的厚度大于100微米。9.如权利要求1所述的方法,其中于该晶片薄化工艺之后,该晶片的厚度小于100微米。10.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨辰雄,
申请(专利权)人:探微科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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