一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，且公开了一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备，包括主体，所述主体左右两侧均活动连接有作用杆。该区熔实用性的智能制造降温设备，通过作用杆通电从外部推动金属块往靠近主体的方向运动，作用杆由两根相同的杆组成，外部的杆推动连接在金属块上的辅助杆运动，辅助杆通过支撑杆与金属块相连接，使半导体具有了区熔的功能，偏移条受力而往中间驱动并插接至中心块内部，对内部中间的晶圆进行提炼，从而使设备具有了联动的作用，保证了设备的下一道工艺的持续加工和制造，方便了人们使用，同时具有了偏转折叠的功能，为设备增大了预留出了适度更大的空间，操作相对也比较方便。操作相对也比较方便。操作相对也比较方便。

【技术实现步骤摘要】
一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体为一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备。

技术介绍

[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种，半导体主要经过多晶硅、区熔或直拉、单晶提炼、滚、切、磨、抛、硅片等几道工艺，半导体的重要性是非常巨大的，大部分的电子产品都和半导体有着极为密切的关联。
[0003]然而在半导体的制造加工设备当中，普遍在对区熔和单晶提炼两道工艺进行加工的时候，常常还需要拉来另外一台设备，从而保持设备下一道工艺的持续加工和制造，但是这种情况相对非常麻烦，机器相对体积也比较大，很不利于人们的实际应用，另外，半导体镜片在封装后，外表的温度普遍都比较高，硬度相对变的会比较低，很容易造成内部半导体镜片的变形和报废，因此一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备应运而生。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备，具备提高半导体提炼晶圆实用性和及时风冷避免半导体零部报废的优点，有效的解决了上述问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述提高半导体提炼晶圆实用性和及时风冷避免半导体零部报废的目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0008]一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备，包括主体，所述主体左右两侧均活动连接有作用杆，作用杆后端且位于主体左右两侧开设有凹槽，作用杆后侧活动连接有支撑杆，凹槽外部活动连接有金属块，作用杆正下方活动安装有金属件，金属块下端活动连接有中心块，金属件前端且位于中心块左右两侧均活动连接有偏移条，偏移条前端活动连接有钢丝绳，中心块外侧且远离作用杆的那一端活动连接有底座；
[0009]所述钢丝绳左右两侧均活动连接有管道，管道下端活动安装有防护座，防护座左侧活动连接有撞击块，撞击块左侧活动安装有吹动口，吹动口下端活动连接有伸缩囊，伸缩囊外部活动连接有防护条，伸缩囊下方且远离防护条的那一端活动连接有弹簧杆，弹簧杆中间活动连接有底腿。
[0010]优选的，所述主体左右两侧且位于金属件前端活动连接有作用杆，支撑杆前端且位于金属块顶端活动连接有凹槽，这种结构具有稳定性和易用性。
[0011]优选的，所述中心块外侧且位于远离钢丝绳的那一端活动连接有底座，底座为一
种不锈钢材质且关于主体中心对称，这种结构具有适配性和安全性。
[0012]优选的，所述金属件前端且位于钢丝绳后端活动连接有偏移条，偏移条与钢丝绳规格尺寸相互适配且相等联动，这种结构具有易用性和联动性。
[0013]优选的，所述防护座左端且位于撞击块内侧活动连接有吹动口，吹动口与伸缩囊的中轴线在同一直线上且相邻的两个伸缩囊之间的距离和角度相同，这种结构具有易用性和稳定性。
[0014]优选的，所述中心块下端且位于主体左右两侧均活动连接有底座，底座的规格尺寸均相同且以主体的中心为参照呈均匀分布，这种具有安全性和对称性。
[0015](三)有益效果
[0016]与现有技术相比，本专利技术提供了一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备，具备以下有益效果：
[0017]1、该区熔实用性的智能制造降温设备，通过作用杆通电从外部推动金属块往靠近主体的方向运动，金属块起始状态默认压在金属件上端，作用杆由两根相同的杆组成，外部的杆推动连接在金属块上的辅助杆运动，辅助杆通过支撑杆与金属块相连接，支撑杆起到了支撑设备稳固运动的作用，偏移条内部的扭转弹簧逐渐开始扭转，偏移条受力而往中间驱动并插接至中心块内部，对内部中间的晶圆进行提炼，从而使设备具有了联动的作用，保证了设备的下一道工艺的持续加工和制造，方便了人们使用，同时具有了偏转折叠的功能，为设备增大了预留出了适度更大的空间，相对也比较方便。
[0018]2、该提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备，通过偏移条往内部偏移的时候带动钢丝绳运动，钢丝绳从松弛状变为拉紧状，并且使管道内部穿入的钢丝绳逐渐收缩，管道起到了一个支撑传输的功能，防护座右端受到缠绕收紧的钢丝绳影响而被推动，防护座推动撞击块运动，金属板挤压伸缩囊运动，弹簧杆起到一定的缓冲减震作用，伸缩囊受到内部的挤压作用而往上喷气，对设备内部中间上下吹动，从而使设备具有了全方位散热的功能，避免外部温度比较高，硬度变得相对都比较高，减小了变形和报费率。
附图说明
[0019]图1为本专利技术主体结构正面示意图；
[0020]图2为本专利技术作用杆结构正面示意图；
[0021]图3为本专利技术钢丝绳结构正面示意图；
[0022]图4为本专利技术底座结构正面示意图；
[0023]图5为本专利技术伸缩囊结构正面示意图。
[0024]图中：1、主体；2、作用杆；3、凹槽；4、支撑杆；5、金属块；6、金属槽；7、中心块；8、偏移条；9、钢丝绳；10、底座；11、管道；12、防护座；13、撞击块；14、吹动口；15、伸缩囊；16、防护条；17、弹簧杆；18、底腿；19、提炼块。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他
实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]请参阅图1
‑
5：
[0027]一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备，包括主体1，主体1左右两侧且位于金属件6前端活动连接有作用杆2，支撑杆4前端且位于金属块5顶端活动连接有凹槽3，这种结构具有稳定性和易用性；主体1左右两侧均活动连接有作用杆2，作用杆2后端且位于主体1左右两侧开设有凹槽3，作用杆2后侧活动连接有支撑杆4，凹槽3外部活动连接有金属块5，作用杆2正下方活动安装有金属件6，金属件6前端且位于钢丝绳9后端活动连接有偏移条8，偏移条8与钢丝绳9规格尺寸相互适配且相等联动，这种结构具有易用性和联动性；金属块5下端活动连接有中心块7，中心块7下端且位于主体1左右两侧均活动连接有底座10，底座10的规格尺寸均相同且以主体1的中心为参照呈均匀分布，这种具有安全性和对称性；中心块7外侧且位于远离钢丝绳9的那一端活动连接有底座10，底座10为一种不锈钢材质且关于主体1中心对称，这种结构具有适配性和安全性；金属件6前端且位于中心块7左右两侧均活动连接有偏移条8，偏移条8前端活动连接有钢丝绳9，中心块7外侧且远离作用杆2的那一端活动连接有底座10；
[0028]钢丝绳9左右两侧均活动连接有管道11，管道11下端活动安装有防护座12，防护座12左端且位于撞本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备，包括主体(1)，其特征在于：所述主体(1)左右两侧均活动连接有作用杆(2)，作用杆(2)后端且位于主体(1)左右两侧开设有凹槽(3)，作用杆(2)后侧活动连接有支撑杆(4)，凹槽(3)外部活动连接有金属块(5)，作用杆(2)正下方活动安装有金属件(6)，金属块(5)下端活动连接有中心块(7)，金属件(6)前端且位于中心块(7)左右两侧均活动连接有偏移条(8)，偏移条(8)前端活动连接有钢丝绳(9)，中心块(7)外侧且远离作用杆(2)的那一端活动连接有底座(10)；所述钢丝绳(9)左右两侧均活动连接有管道(11)，管道(11)下端活动安装有防护座(12)，防护座(12)左侧活动连接有撞击块(13)，撞击块(13)左侧活动安装有吹动口(14)，吹动口(14)下端活动连接有伸缩囊(15)，伸缩囊(15)外部活动连接有防护条(16)，伸缩囊(15)下方且远离防护条(16)的那一端活动连接有弹簧杆(17)，弹簧杆(17)中间活动连接有底腿(18)。2.根据权利要求1所述的一种提高半导体体区熔实用性的智能制造降温设备，其特征在于：所述主体(1)左右两...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓宏成，
申请(专利权)人：邓宏成，
类型：发明
国别省市：