本发明专利技术的实施例提供一种MOS器件温度检测装置。该MOS器件温度检测装置包括：电压检测组件，用于检测MOS器件的电压，获得电压采样值；电流检测组件，用于检测MOS器件的电流，获得电流采样值；处理器，处理器分别与电压检测组件和电流检测组件通讯连接，用于根据电压采样值和MOS器件对应的预设电阻值计算出MOS器件的电流计算值，并根据电流计算值和电流采样值进行对比校验获得精确电流值；以及，根据精确电流值和电压采样值计算出MOS器件的电阻值，并根据电阻值和MOS器件的电阻与温度之间的预设对应关系，确定MOS器件的当前温度值。采用本发明专利技术实施例的技术方案，可以及时且准确地检测出MOS器件的温度，防止MOS器件因温度过高出现损坏。坏。坏。
【技术实现步骤摘要】
一种MOS器件温度检测装置
[0001]本专利技术涉及MOSFET器件
，特别涉及一种MOS器件温度检测装置。
技术介绍
[0002]电机控制器中的温度监控方法通常是用热敏电阻做温度采样，该方法能够检测到各元器件的温度，但是对于MOSFET器件（以下简称MOS器件），检测到的温度数据与MOS器件实际工作温度存在差异，当出现电机堵转等极端工况时，MOS器件会急剧发热时，而热敏电阻不能及时准确地反应MOS器件的实际温度，可能会导致MOS器件失效击穿，造成电机及其控制器出现不可逆转的损伤。
技术实现思路
[0003]本专利技术的实施例提供一种MOS器件温度检测装置，以及时且准确地检测出MOS器件的温度，防止MOS器件因温度过高出现损坏。
[0004]为达到上述目的，本专利技术的实施例提供了一种MOS器件温度检测装置，包括：电压检测组件，用于检测MOS器件的电压，获得电压采样值；电流检测组件，用于检测MOS器件的电流，获得电流采样值；处理器，处理器分别与电压检测组件和电流检测组件通讯连接，用于根据电压采样值和MOS器件对应的预设电阻值计算出MOS器件的电流计算值，并根据电流计算值和电流采样值进行对比校验获得精确电流值；以及，根据精确电流值和电压采样值计算出MOS器件的电阻值，并根据电阻值和MOS器件的电阻与温度之间的预设对应关系，确定MOS器件的当前温度值。
[0005]可选地，MOS器件温度检测装置还包括：温度检测组件，用于检测MOS器件的温度，获得温度采样值；处理器还与温度检测组件通讯连接，用于在温度采样值与当前温度值均大于预设温度阈值时，执行过温保护处理。
[0006]可选地，处理器还用于在温度采样值与当前温度值之间的差值大于第二预设阈值时，执行过温保护处理。
[0007]可选地，根据电流计算值和电流采样值进行对比校验获得精确电流值，包括：在电流计算值与电流采样值之间的差值小于第一预设阈值时，以电流采样值为精确电流值。
[0008]可选地，处理器还用于在电流采样值与电流计算值均超过预设电流阈值时，执行限流保护处理。
[0009]可选地，预设电阻值为规格书中与MOS器件对应的典型值。
[0010]可选地，预设对应关系包括规格书中与MOS器件对应的电阻与温度曲线。
[0011]可选地，MOS器件为三相MOS器件中任一相上下桥臂中MOS器件中的一个；电压检测组件和电流检测组件用于在MOS器件的驱动器启动时，分别检测MOS器件的电压和电流。
[0012]本专利技术实施例提供的一种MOS器件温度检测装置，通过检测MOS器件的电压和电流，根据电压采样值和预设电阻值计算出MOS器件的电流计算值，再将电流计算值与电流采样值进行对比校验获得MOS器件的精确电流值，以及根据精确电流值和电压采样值计算出
MOS器件的电阻值，并通过MOS器件的电阻与温度之间的预设对应关系，确定MOS器件的当前温度值，从而以间接检测的方式实现了MOS器件的温度检测，有效地提高了MOS器件温度检测的及时性和准确性，进而解决热敏电阻等方法检测温度不准确造成MOS器件损坏的问题。
附图说明
[0013]图1为本专利技术实施例的一种MOS器件温度检测装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例的一种MOS器件温度检测装置的部分结构示意图。
[0014]附图标号说明：1、处理器；2、电压检测组件；3、电流检测组件；4、温度检测组件；5、驱动器。
具体实施方式
[0015]下面结合附图（若干附图中相同的标号表示相同的元素）和实施例，对本专利技术实施例的具体实施方式作进一步详细说明。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。
[0016]图1示出了本专利技术实施例的一种MOS器件温度检测装置的结构示意图，本专利技术实施例的一种MOS器件温度检测装置可以设置在例如电机控制器等设备中，用于对设备中的MOS器件的温度进行检测，从而可实时地准确检测出MOS器件的温度，防止MOS器件因温度过高而损坏，保证设备的正常运行。
[0017]参照图1所示，本专利技术的实施例的一种MOS器件温度检测装置包括处理器1、电压检测组件2和电流检测组件3。其中，电压检测组件2可通过以电压检测电路的方式与待测MOS器件电连接，用于检测MOS器件的电压，获得电压采样值。电流检测组件3可通过以电流检测电路的方式与待测MOS器件电连接，用于检测MOS器件的电流，获得电流采样值。处理器1分别与电压检测组件2和电流检测组件3通讯连接，用于接收电压检测组件2检测到的电压采样值以及电流检测组件3检测到的电流采样值，以根据电压采样值和MOS器件对应的预设电阻值计算出MOS器件的电流计算值，并根据电流计算值和电流采样值进行对比校验获得精确电流值；以及，根据精确电流值和电压采样值计算出MOS器件的电阻值，并根据电阻值和MOS器件的电阻与温度之间的预设对应关系，确定计算的电阻值对应的温度值，将该温度值确定为MOS器件的当前温度值。
[0018]本专利技术实施例的MOS器件温度检测装置，通过检测MOS器件的电压和电流，根据电压采样值和预设电阻值计算出MOS器件的电流计算值，再将电流计算值与电流采样值进行对比校验获得MOS器件的精确电流值，以及根据精确电流值和电压采样值计算出MOS器件的电阻值，并通过MOS器件的电阻与温度之间的预设对应关系，确定MOS器件的当前温度值，从而以间接检测的方式实现了MOS器件的温度检测，有效地提高了MOS器件温度检测的准确性，进而解决热敏电阻等方法检测温度不准确造成MOS器件损坏的问题。
[0019]如图1和图2所示，待测MOS器件可以为三相MOS器件中任一相上下桥臂中MOS器件中的一个；电压检测组件2和电流检测组件3用于在MOS器件的驱动器6启动时，分别检测MOS器件导通时的电压和电流。在实际的应用场景中，待测MOS器件可包括三相MOS器件中的两个，也即，检测两相MOS器件的电流和电压，第三相MOS器件的电流和电压可通过计算得到。具体地，如图2所示，在检测u相电的MOS器件时，检测到的电压采样值可记为，检测到的电流
采样值可记为。
[0020]一种可选的实施方式中，在计算MOS器件的电流值时，所采用的预设电阻值为规格书中与MOS器件对应的典型值。例如，对于u相电的MOS器件，电流计算值，其中，为与待测MOS器件相对应的规格书中的典型值。
[0021]可选地，根据电流计算值和电流采样值进行对比校验，可在电流计算值与电流采样值之间的差值小于第一预设阈值时，以电流采样值为精确电流值。也即，在电流计算值与电流采样值之间的差值小于第一预设阈值时，以为精确电流值。其中，第一预设阈值可根据MOS器件及所处设备的实际工况进行设定。
[0022]可选地，在计算MOS器件的温度值时，所采用的预设对应关系包括规格书中与MOS器件对应的电阻与温度曲线。具体地，对于u相电的MOS器件，计算得到的电阻值，通过规格书中与待测MOS器件对应的电阻与温度曲线，将与对应的温度值确定为待测MOS器件的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOS器件温度检测装置，其特征在于，所述MOS器件温度检测装置包括：电压检测组件（2），用于检测MOS器件的电压，获得电压采样值；电流检测组件（3），用于检测MOS器件的电流，获得电流采样值；处理器（1），所述处理器（1）分别与所述电压检测组件（2）和电流检测组件（3）通讯连接，用于根据所述电压采样值和MOS器件对应的预设电阻值计算出MOS器件的电流计算值，并根据所述电流计算值和电流采样值进行对比校验获得精确电流值；以及，根据所述精确电流值和电压采样值计算出MOS器件的电阻值，并根据所述电阻值和MOS器件的电阻与温度之间的预设对应关系，确定MOS器件的当前温度值。2.根据权利要求1所述的一种MOS器件温度检测装置，其特征在于，所述MOS器件温度检测装置还包括：温度检测组件（4），用于检测MOS器件的温度，获得温度采样值；所述处理器（1）还与所述温度检测组件（4）通讯连接，用于在所述温度采样值与当前温度值均大于预设温度阈值时，执行过温保护处理。3.根据权利要求2所述的一种MOS器件温度检测装置，其特征在于，所述处理器（1）还用于在所述温度采样值与当前温度值...
【专利技术属性】
技术研发人员：印宗杰，季金炎，李飞，姚欣，
申请(专利权)人：郑州嘉晨电器有限公司，
类型：发明
国别省市：
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