一种永磁电机堵转检测方法及系统技术方案

本发明专利技术的实施例提供一种永磁电机堵转检测方法及系统。该永磁电机堵转检测方法包括：周期性地检测永磁电机的控制器中三相MOS器件的温度；在检测到任一相MOS器件的温度上升时，绘制三相MOS器件的三相温度曲线；根据三相温度曲线之间的差异确定永磁电机是否发生堵转。采用本发明专利技术实施例的技术方案，能够及时且准确地检测出永磁电机堵转情况的发生，从而避免温度过高损坏MOS器件及电机。度过高损坏MOS器件及电机。度过高损坏MOS器件及电机。

【技术实现步骤摘要】
一种永磁电机堵转检测方法及系统


[0001]本专利技术涉及电机控制
，特别涉及一种永磁电机堵转检测方法及系统。

技术介绍

[0002]在永磁电机的使用中，因功率不足导致遇到复杂的工况电机出现负载过大的情况，例如电机堵转，会使交流电变为直流电，最严重情况下会导致交流电的峰值变为实际运行中的直流电，在所使用的控制器中的MOSFET器件以及电机端流过，如果持续一段时间会造成电机以及控制器不可逆转性损伤。
[0003]目前，大部分检测电机堵转的方法都是通过电机电流以及转速检测实现的，这些方法在某些特殊的工况下可能会产生误检测，导致电机工作异常。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种永磁电机堵转检测方法及系统，可以及时且准确地检测出电机状态提高永磁电机堵转检测的准确度能够及时且准确地检测出永磁电机堵转情况的发生，从而避免温度过高损坏MOS器件及电机。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的实施例提供了一种永磁电机堵转检测方法，包括；周期性地检测永磁电机的控制器中三相MOS器件的温度；在检测到任一相MOS器件的温度上升时，绘制三相MOS器件的三相温度曲线；根据三相温度曲线之间的差异确定永磁电机是否发生堵转。
[0006]可选地，根据三相温度曲线之间的第一差异确定永磁电机是否发生堵转，包括：对比三相温度曲线，获取三相温度曲线之间的第一差异；对比三相温度曲线与预设的三相温度曲线模板，获取三相温度曲线与三相温度曲线模板之间的第二差异；根据第一差异和第二差异确定永磁电机是否发生堵转。
[0007]可选地，根据第一差异和第二差异确定永磁电机是否发生堵转，包括：在第一差异指示三相温度曲线中任两相温度曲线之间的差异值超过第一预设阈值时，且第二差异指示三相温度曲线中任一相超过对应温度曲线模板第二预设阈值时，确定永磁电机发生堵转。
[0008]可选地，三相温度曲线模板为永磁电机正常运行时的最差工况所对应的三相MOS器件的温度曲线。
[0009]可选地，方法还包括：将三相温度曲线与预设的三相温度曲线模板进行初比较，并在三相温度曲线中任一相温度曲线超过对应温度曲线模板时开始计时；在计时达到计时阈值时，对比三相温度曲线以及对比三相温度曲线与三相温度曲线模板。
[0010]可选地，方法还包括在确定永磁电机发生堵转时，执行电机堵转处理程序。
[0011]可选地，方法还包括在检测到三相MOS器件的温度均下降到阈值以下时，退出电机堵转处理程序。
[0012]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种永磁电机堵转检测系统，永磁电机
堵转检测系统包括；温度检测装置，用于周期性地检测永磁电机的控制器中三相MOS器件的温度；曲线绘制模块，用于在检测到任一相MOS器件的温度上升时，绘制三相MOS器件的三相温度曲线；判断模块，用于根据三相温度曲线之间的差异确定永磁电机是否发生堵转。
[0013]可选地，判断模块包括：对比单元，用于对比三相温度曲线，获取三相温度曲线之间的第一差异；对比三相温度曲线与预设的三相温度曲线模板，获取三相温度曲线与三相温度曲线模板之间的第二差异；判断单元，用于根据第一差异和第二差异确定永磁电机是否发生堵转。
[0014]本专利技术实施例提供的一种永磁电机堵转检测方法及系统，通过检测永磁电机控制器中三相MOS器件的温度，并根据三相MOS器件的温度曲线之间的差异判断电机是否发生堵转，有效地提高了永磁电机堵转检测的及时性和准确性；相对于现有技术中根据电流来检测电机堵转的方式，可以避免在特殊工况下造成的误检测，从而保证能够检测出电机堵转情况的发生，保证电机正常工作。
附图说明
[0015]图1为本专利技术实施例一的一种永磁电机堵转检测方法的流程图；图2为本专利技术实施例二的一种永磁电机堵转检测方法的流程图；图3为本专利技术实施例三的一种永磁电机堵转检测系统的结构示意图。
具体实施方式
[0016]下面结合附图（若干附图中相同的标号表示相同的元素）和实施例，对本专利技术实施例的具体实施方式作进一步详细说明。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。
[0017]本领域技术人员可以理解，本专利技术实施例中的“第一”、“第二”等术语仅用于区别不同步骤、设备或模块等，既不代表任何特定技术含义，也不表示它们之间的必然逻辑顺序。
[0018]实施例一图1示出了根据本专利技术实施例一的一种永磁电机堵转检测方法的流程图。该永磁电机堵转检测方法可用于在永磁电机运行过程中，根据三相MOS器件的温度差异来检测永磁电机是否发生堵转，从而有效地提高永磁电机堵转检测的准确度。
[0019]根据本专利技术的示例性实施例中，本专利技术的一种永磁电机堵转检测方法的执行主体可以是永磁电机控制器，但本领域技术人员应当明了，在实际应用中，任意具有相应的数据采集和处理功能的其他设备，均可以参考本实施例执行本专利技术的永磁电机堵转检测方法。例如，可以采用独立于永磁电机控制器的控制设备，或集成在永磁电机控制器中的控制单元，来执行该永磁电机堵转检测方法。
[0020]如图1所示，本实施例的一种工业车辆的危险识别方法包括以下步骤：步骤S101，周期性地检测永磁电机的控制器中三相MOS器件的温度。
[0021]在本专利技术实施例中，待检测三相MOS器件包括三个MOS器件，具体为永磁电机控制器每一相电路中的一个MOS器件。在进行温度检测时，可通过在三相MOS器件处设置例如热敏电阻元件的温度检测设备，来检测三相MOS器件的温度，执行此步骤，可周期性地获取温
度检测设备实时检测到的温度数据，并存储获取的温度数据。
[0022]步骤S102，在检测到任一相MOS器件的温度上升时，绘制三相MOS器件的三相温度曲线。
[0023]可选地，在根据检测到的温度数据判断三相MOS器件中的任一相MOS器件的温度上升时，开始根据检测到的温度数据绘制三相温度曲线，包括三条温度随时间变化的温度曲线，也即，每一相MOS器件绘制一条温度曲线。
[0024]步骤S103，根据所述三相温度曲线之间的差异确定永磁电机是否发生堵转。
[0025]由于电机堵转的情况发生时，直流电会造成三相MOS器件所通过的电流不等，相应地，三相MOS器件的热温度变化会产生差异。基于此，本专利技术实施例的一种永磁电机堵转检测方法，根据三相MOS器件的温度曲线之间的差异，可包括三相温度曲线对应点温度值之间的差异以及三相温度曲线的斜率之间的差异等，来判断永磁电机是否发生堵转，可以准确地检测出电机的堵转情况发生。
[0026]本专利技术实施例的一种永磁电机堵转检测方法，通过检测永磁电机控制器中三相MOS器件的温度，并根据三相MOS器件的温度曲线之间的差异判断电机是否发生堵转，有效地提高了永磁电机堵转检测的及时性和准确性；而且，相对于现有技术中根据电流来检测电机堵转的方式，可以避免在特殊工况下造成的误检测，从而保证检测出电机堵转情况的发生，保证电机正常工作。
[0027]实施例二图2示出了根据本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种永磁电机堵转检测方法，其特征在于，所述永磁电机堵转检测方法包括；周期性地检测永磁电机的控制器中三相MOS器件的温度；在检测到任一相MOS器件的温度上升时，绘制三相MOS器件的三相温度曲线；根据所述三相温度曲线之间的差异确定永磁电机是否发生堵转。2.根据权利要求1所述的一种永磁电机堵转检测方法，其特征在于，所述根据所述三相温度曲线之间的第一差异确定永磁电机是否发生堵转，包括：对比所述三相温度曲线，获取所述三相温度曲线之间的第一差异；对比所述三相温度曲线与预设的三相温度曲线模板，获取所述三相温度曲线与三相温度曲线模板之间的第二差异；根据所述第一差异和所述第二差异确定永磁电机是否发生堵转。3.根据权利要求2所述的一种永磁电机堵转检测方法，其特征在于，所述根据所述第一差异和所述第二差异确定永磁电机是否发生堵转，包括：在所述第一差异指示所述三相温度曲线中任两相温度曲线之间的差异值超过第一预设阈值时，且所述第二差异指示所述三相温度曲线中任一相超过对应温度曲线模板第二预设阈值时，确定永磁电机发生堵转。4.根据权利要求2所述的一种永磁电机堵转检测方法，其特征在于，所述三相温度曲线模板为永磁电机正常运行时的最差工况所对应的三相MOS器件的温度曲线。5.根据权利要求2所述的一种永磁电机堵转检测方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述三相温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱绍宇，李飞，姚欣，
申请(专利权)人：郑州嘉晨电器有限公司，
类型：发明
国别省市：