一种用于冷氢化的一体式洗涤塔制造技术

技术编号:31893564 阅读:19 留言:0更新日期:2022-01-15 12:23
本实用新型专利技术公开了一种用于冷氢化的一体式洗涤塔,属于多晶硅生产技术领域,包括塔本体,所述塔本体为内部中空的筒体,底部为漏斗形结构,所述塔本体的下部设有进气口,所述塔本体内部设有与进气口连接的气体分布器,塔本体底部设有液体出口;顶部设有气相出口;上部设有进液口,所述塔本体内上部设有分离板,所述分离板交错固定在塔本体内壁上,所述分离板下方设有穿流板,穿流板交错固定在塔本体内壁上,所述进液口设置在分离板上方,解决了现有技术中采用鼓泡罐与喷淋塔分离式系统工艺,洗涤后的部分金属络合物会随气相带入连接管道中,从而附着在管道内壁形成管道缩颈甚至堵塞的现象,影响正常工艺的运行。影响正常工艺的运行。影响正常工艺的运行。

【技术实现步骤摘要】
一种用于冷氢化的一体式洗涤塔


[0001]本技术属于多晶硅生产
,具体涉及一种用于冷氢化的一体式洗涤塔。

技术介绍

[0002]目前的多晶硅生产方法已由传统的改良西门子法发展到“改进型”改良西门子法,即增加冷氢化单元,用于处理传统的改良西门子法产生的副产物四氯化硅,将四氯化硅与氢气、硅粉进行反应生产原料三氯氢硅。
[0003]鼓泡罐目的是将冷氢化工段得到的混合气体进行初次鼓泡,将大部分的金属络合物与少量残留的硅粉通过与液相的接触进行洗涤,洗涤后的混合气相通过鼓泡罐上部气相管线进入洗涤塔进行金属杂质的洗涤,洗涤塔洗涤后的液相通过底部连通管再进入鼓泡罐,多次循环后,将金属络合物与硅粉滞留在洗涤塔塔底,富集后再排出这部分固化物。
[0004]目前国内大部分多晶硅厂家采用的是鼓泡罐与喷淋塔分开的工艺,这也是目前比较成熟的设备,这样的设备系统在使用中发现,由于冷氢化副产物的特殊性质,通过鼓泡罐的时候产品气会产生明显的降温过程,由于冷氢化系统压力较高,气体流速较快,洗涤后的部分金属络合物会随气相带入气相管道,从而附着在管道内壁形成管道缩颈甚至堵塞的现象。
[0005]因此,如何更加有效的将冷氢化产品气中的金属络合物有效的从系统中分离,保证系统相关设备运行正常及管道通量保持正常,成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0006]本技术旨在解决现有技术中使用鼓泡罐与喷淋塔分离式工艺,洗涤后的部分金属络合物会随气相带入连接管道中,从而附着在管道内壁形成管道缩颈甚至堵塞的现象,影响正常工艺的运行。
[0007]为了实现上述专利技术目的,本技术的技术方案如下:
[0008]一种用于冷氢化的一体式洗涤塔,包括塔本体,所述塔本体为内部中空的筒体,底部为漏斗形结构,所述塔本体的下部设有进气口,所述塔本体内部设有与进气口连接的气体分布器,塔本体底部设有液体出口;顶部设有气相出口;上部设有进液口,所述塔本体内上部设有分离板,所述分离板交错固定在塔本体内壁上,所述分离板下方设有穿流板,穿流板交错固定在塔本体内壁上,所述进液口设置在分离板上方。
[0009]进一步地,所述分离板和穿流板上均有开孔,所述分离板上的孔径小于穿流板上的孔径。
[0010]进一步地,所述气体分布器为U型气体分布器。
[0011]进一步地,所述塔本体下部内侧设有破泡器,所述破泡器位于气体进口下方。
[0012]进一步地,相邻所述分离板间距为400

550mm;相邻所述穿流板间距为400

550mm。
[0013]进一步地,所述塔本体下部外侧设有保温支撑圈,保温支撑圈所在塔本体部位设有温度传感器。
[0014]进一步地,所述塔本体上部外侧设有保温支撑圈I,所述保温支撑圈I所在塔本体部位设有温度传感器。
[0015]进一步地,所述塔本体顶部还设有安全放空口。
[0016]进一步地,所述塔本体中部和安全放空口处均设有压力计。
[0017]本技术的有益效果:
[0018]一、本技术中,采用本一体式洗涤塔,将原有的鼓泡罐和喷淋塔集合在一个设备中,取消了连接管道,避免由于在连接管道中的冷却作用,使金属络合物附着在管道内壁形成管道缩颈甚至堵塞的情况,同时,这样的设备更便于控制局部温度,保证得到的气相是叫纯净的目标气体。
[0019]二、本技术中,所述分离板和穿流板上均有开孔,所述分离板上设有开孔,用于防止金属络合物在塔板上富集,所述穿流板设有开孔,用于通过富集有较多金属络合物和硅粉的液相,所述穿流板上的孔径大于分离板上的孔径,分离板上的孔的数量多于穿流板上的孔,这样有利于从进液口进入的液相通过分离板对混合气体进行分离,拦截混合气体中的金属络合物和硅粉,穿流板上设有的较大孔,利于快速通过富集金属络合物和硅粉的液相。
[0020]三、本技术中,所述气体分布器为U型气体分布器,气相通过U型管能保证冷氢化产品气全部进入到设定的液相区域,达到较好的“鼓泡”效果,截留大部分混合气体中的固化物。
[0021]四、本技术中,所述塔本体下部内侧设有破泡器,所述破泡器位于气体进口下方,破泡器的安装位置一般位于正常液位的50%处,使用破泡器目的是防止小气泡汇成大气泡导致气液相的比表面积减小,不利于设备的正常运行。
[0022]五、本技术中,相邻所述分离板间距为400

550mm;相邻所述穿流板间距为400

550mm。
[0023]六、本技术中,所述塔本体下部外侧设有保温支撑圈,所述保温支撑圈可选用硅酸铝材料支撑,具有优异的保温效果,保证空间内温度在预期范围内,利于分离出相应的产品气体,保温支撑圈所在塔本体部位设有温度传感器,用于检测相应部位的温度。
[0024]七、本技术中,所述塔本体上部外侧设有保温支撑圈I,所述保温支撑圈I所在塔本体部位设有温度传感器,所述保温支撑圈I与保温支撑圈的目的、效果相同。
[0025]八、本技术中,所述塔本体顶部还设有安全放空口,可根据生产需要,调节塔本体内的气压,利于该洗涤塔的安全、正常、稳定运行。
[0026]九、本技术中,所述塔本体中部和安全放空口处均设有压力计,用于检测洗涤塔内的气压。
附图说明
[0027]图1为本技术的结构示意图。
[0028]图2是较优实施方式的结构示意图。
[0029]其中,1、进气口;2、气体分布器;3、液体出口;4、气相出口;5、进液口;6、分离板;7、
穿流板;8、破泡器;9、保温支撑圈;10、温度传感器;11、保温支撑圈I;12、安全放空口;13、压力计。
具体实施方式
[0030]下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明,但本技术的实施方式不限于此。
[0031]实施例1
[0032]一种用于冷氢化的一体式洗涤塔,属于多晶硅生产
,包括塔本体,所述塔本体为内部中空的筒体,参考图1,底部为漏斗形结构,所述塔本体的下部设有进气口,所述塔本体内部设有与进气口连接的气体分布器,塔本体底部设有液体出口;顶部设有气相出口;上部设有进液口,所述塔本体内上部设有分离板,所述分离板交错固定在塔本体内壁上,所述分离板下方设有穿流板,穿流板交错固定在塔本体内壁上,所述进液口设置在分离板上方。
[0033]本实施例是最基本的实施方式,本一体式洗涤塔底部盛有液相四氯化硅至合适液位,再将从冷氢化工段得到产品气相(含约25%的三氯氢硅、部分金属络合物等高沸物、少量硅粉的混合气体)通过进气口进入气体分布器后,通入至该一体式洗涤塔中,所述气体分布器的出气端没入液相四氯化硅中,所述液相四氯化硅通过加热设备,辅以保温装置,保证液相的温度在140

170℃,进入塔本体下部的产品气体与液相接触后,气相中的固废(金属络合物、硅粉等高沸点的物质)被截留在本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于冷氢化的一体式洗涤塔,其特征在于:包括塔本体,所述塔本体为内部中空的筒体,底部为漏斗形结构,所述塔本体的下部设有进气口(1),所述塔本体内部设有与进气口(1)连接的气体分布器(2),塔本体底部设有液体出口(3);顶部设有气相出口(4);上部设有进液口(5),所述塔本体内上部设有分离板(6),所述分离板(6)交错固定在塔本体内壁上,所述分离板(6)下方设有穿流板(7),穿流板(7)交错固定在塔本体内壁上,所述进液口(5)设置在分离板(6)上方。2.根据权利要求1所述的一种用于冷氢化的一体式洗涤塔,其特征在于:所述分离板(6)和穿流板(7)上均有开孔,所述分离板(6)上的孔径小于穿流板(7)上的孔径。3.根据权利要求2所述的一种用于冷氢化的一体式洗涤塔,其特征在于:所述气体分布器(2)为U型气体分布器(2)。4.根据权利要求3所述的一种用于冷氢化的一体式洗涤塔,其特征在于:所述塔本体下部内侧设有破泡器(8),所述破泡器(8)...

【专利技术属性】
技术研发人员:向春林宋垒晏涛李兵
申请(专利权)人:四川永祥新能源有限公司
类型:新型
国别省市:

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