半导体封装件制造技术

公开一种半导体封装件，其包括：封装基板；基板，所述基板位于所述封装基板上；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片安装在所述基板上；和加强件结构，所述加强件结构位于所述封装基板上并且具有孔。所述加强件结构与所述基板横向间隔开。所述孔穿透所述加强件结构的顶表面和所述加强件结构的底表面。当在俯视图中观察时，所述孔与所述封装基板的拐角区域交叠。叠。叠。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0086265的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。


[0003]本专利技术构思涉及半导体封装件，更具体地，涉及包括加强件(stiffener)结构的半导体封装件。

技术介绍

[0004]提供半导体封装件来实现用于电子产品的集成电路芯片。通常，半导体封装件被配置为使得半导体芯片安装在印刷电路板(PCB)上，并且接合线或凸块被用于将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展，已经进行了各种研究来改善半导体封装件的可靠性和耐久性。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一些示例实施例提供了具有提高的可靠性的半导体封装件。
[0006]根据本专利技术构思的一些示例实施例，半导体封装件可以包括：封装基板；基板，所述基板位于所述封装基板上；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片安装在所述基板上；和加强件结构，所述加强件结构位于所述封装基板上，所述加强件结构具有孔。所述加强件结构可以与所述基板横向间隔开。所述孔可以穿透所述加强件结构的顶表面和所述加强件结构的底表面。当在俯视图中观察时，所述孔可以与所述封装基板的拐角区域交叠。
[0007]根据本专利技术构思的一些示例实施例，半导体封装件可以包括：封装基板，当在俯视图中观察时，所述封装基板具有第一区域和包围所述第一区域的第二区域；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述封装基板的所述第一区域上；加强件结构，所述加强件结构位于所述封装基板的所述第二区域上，所述加强件结构具有孔；和粘合层，所述粘合层位于所述封装基板与所述加强件结构之间。所述孔可以穿透所述加强件结构的顶表面和所述加强件结构的底表面。所述粘合层可以延伸到所述加强件结构的所述孔中。
[0008]根据本专利技术构思的一些示例实施例，半导体封装件可以包括：封装基板，所述封装基板具有中央区域、第一边缘区域和第二边缘区域；中介基板，所述中介基板位于所述封装基板的所述中心区域的顶表面上；多个中介凸块，所述多个中介凸块位于所述封装基板与所述中介基板之间；底部填充层，所述底部填充层位于所述封装基板与所述中介基板之间的间隙中，所述底部填充层包封所述中介凸块；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片安装在所述中介基板的顶表面上；多个第一凸块，所述多个第一凸块位于所述中介基板与所述第一半导体芯片之间；芯片堆叠，所述芯片堆叠安装在所述中介基板的所述顶表面上，并且与所述第一半导体芯片间隔开，所述芯片堆叠包括多个堆叠的第二半导体芯片；多个第二凸块，所述多个第二凸块位于所述第二半导体芯片之间；加强件结构，所述加强件结构位于
所述封装基板的所述第一边缘区域的顶表面和所述第二边缘区域的顶表面上，所述加强件结构具有孔；和粘合层，所述粘合层位于所述封装基板与所述加强件结构的底表面之间。所述孔可以穿透所述加强件结构的顶表面和所述加强件结构的底表面。所述孔可以位于所述封装基板的所述第一边缘区域上。所述封装基板的所述第一边缘区域可以与所述封装基板的两个相邻的侧表面彼此汇合处的拐角相邻。
附图说明
[0009]图1A示出了显示根据示例实施例的半导体封装件的俯视图。
[0010]图1B示出了沿着图1A的线I
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I'截取的截面图。
[0011]图1C示出了显示图1B的部分A的放大图。
[0012]图1D示出了沿着图1A的线II
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II'截取的截面图。
[0013]图2A示出了显示根据示例实施例的粘合层和加强件结构的截面图。
[0014]图2B示出了显示根据示例实施例的粘合层和加强件结构的截面图。
[0015]图3A示出了显示根据示例实施例的在半导体封装件中包括的加强件结构的孔的俯视图。
[0016]图3B示出了显示根据示例实施例的在半导体封装件中包括的加强件结构的孔的俯视图。
[0017]图4A示出了显示根据示例实施例的半导体封装件的俯视图。
[0018]图4B示出了沿着图4A的线I
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I'截取的截面图。
[0019]图4C示出了沿着图4A的线II
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II'截取的截面图。
[0020]图5示出了显示根据示例实施例的制造半导体封装件的方法的截面图。
具体实施方式
[0021]在本说明书中，相同的附图标记指示相同的组件。现在将在下面描述根据本专利技术构思的半导体封装件及其制造方法。
[0022]图1A示出了显示根据示例实施例的半导体封装件的俯视图。图1B示出了沿着图1A的线I
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I'截取的截面图。图1C示出了显示图1B的部分A的放大图。图1D示出了沿着图1A的线II
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II'截取的截面图。
[0023]参照图1A、图1B、图1C和图1D，半导体封装件可以包括封装基板100、第一半导体芯片310、加强件结构(stiffener structure)500和粘合层600。半导体封装件还可以包括选自外部端子150、中介基板(interposer substrate)200、中介凸块(interposer bump)250、底部填充层240、第二半导体芯片320、第三半导体芯片330和模制层400中的至少一种。
[0024]当在如图1A所示的俯视图中观察时，封装基板100可以包括第一区域R1和第二区域R2。第一区域R1可以是封装基板100的中央区域。第二区域R2可以是封装基板100的边缘区域。第二区域R2可以与第一区域R1间隔开。当在俯视图中观察时，第二区域R2可以包围第一区域R1。第二区域R2可以介于第一区域R1与封装基板100的侧表面100c之间。第二区域R2可以包括第一边缘区域ER1和第二边缘区域ER2。第一边缘区域ER1可以对应于封装基板100的拐角区域。例如，每个第一边缘区域ER1可以与封装基板100的两个相邻侧表面100c彼此汇合的拐角100z相邻。封装基板100的每个第二边缘区域ER2可以设置在两个第一边缘区域
ER1之间并且与封装基板100的一个侧表面100c相邻。
[0025]如图1B和图1D所示，封装基板100可以包括电介质基体层110、基板焊盘120和内部线130。电介质基体层110可以包括多个堆叠的层。或者，电介质基体层110可以是单个层。基板焊盘120可以暴露在封装基板100的顶表面上。例如，基板焊盘120的顶表面可以与封装基板100的顶表面共面。内部线130可以设置在电介质基体层110中，并且结合到基板焊盘120。短语“两个组件彼此电连接/结合”可以包括两个组件彼此直接连接/结合，或通过不同的导电组件间接连接/结合。在本说明书中，短语“电连接/结合到封装基板100”可以表示“电连接/结合到内部线130”的含义。基板焊盘120和内部线130可以包括金属，例如铜、铝、钨和钛中的一种或更多种。例如，封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基板；基板，所述基板位于所述封装基板上；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片安装在所述基板上；和加强件结构，所述加强件结构位于所述封装基板上，所述加强件结构具有孔，其中，所述加强件结构与所述基板横向间隔开，其中，所述孔穿透所述加强件结构的顶表面和所述加强件结构的底表面，并且其中，当在俯视图中观察时，所述孔与所述封装基板的拐角区域交叠。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：粘合层，所述粘合层位于所述封装基板与所述加强件结构之间，其中，所述粘合层延伸到所述加强件结构的所述孔中，并且覆盖所述孔的侧壁的至少一部分。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述粘合层的刚度小于所述加强件结构的刚度。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述粘合层的杨氏模量是所述加强件结构的杨氏模量的1/3000至1/100。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述粘合层的杨氏模量在0.01GPa至1GPa的范围内，并且其中，所述加强件结构的杨氏模量在100GPa至300GPa的范围内。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：多个第二半导体芯片，所述多个第二半导体芯片堆叠在所述基板上，其中，所述第一半导体芯片的类型不同于所述第二半导体芯片的类型。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：粘合层，所述粘合层位于所述封装基板与所述加强件结构之间，其中，所述粘合层包括基体层，并且其中，所述基体层包括有机硅类聚合物或有机硅类橡胶。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述粘合层还包括在所述基体层中的填料，其中，所述填料包括与所述基体层的材料不同的材料。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：多个中介凸块，所述多个中介凸块介于所述封装基板与所述基板之间，并且电连接到所述封装基板和所述基板；底部填充层，所述底部填充层位于所述封装基板与所述基板之间的间隙中，所述底部填充层包封所述中介凸块；和粘合层，所述粘合层位于所述封装基板与所述加强件结构之间，其中，所述粘合层与所述底部填充层间隔开，并且包括与所述底部填充层的材料不同的材料。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，当在俯视图中观察时，所述封装基板具有中央区域和包围所述中央区域的边缘
区域，其中，所述基板位于所述封装基板的所述中央区域上，其中，所述加强件结构位于所述封装基板的所述边缘区域上，并且其中，所述封装基板的所述边缘区域包括所述拐角区域。11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述封装基板的所述拐角区域与所述封装基板的两个相邻的侧表面彼此汇合处的拐角相邻。12.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基板，当在俯视图中观察时，所述封装基板具有第一区域和包围所述第一区域的第二区域；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述封装基板的所述第一区域上；加强件结构，所述加强件结...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泳龙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：