ID标记、ID卡和ID标签制造技术

作为非接触的ＩＤ标记，ＩＤ标签等被广泛使用，要求以很低的成本制造相当数量的ＩＤ标记。例如，要求附加到产品上的ＩＤ标记以每个１至几日元而制造，或者优选地少于１日元。因而，这种结构和工艺被要求以低成本大量地制造ＩＤ标记。在本发明专利技术的ＩＤ标记、ＩＤ卡和ＩＤ标签中所包含的薄膜集成电路器件，各包括诸如薄膜晶体管（ＴＦＴ）的薄膜有源元件。因此，通过剥离在其上形成ＴＦＴｓ的衬底以分离元件，能够以低成本大量地制造ＩＤ标记等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ID标记(ID label)、ID卡和ID标签(ID tag)，各包括存储器、微处理器(中央处理单元和MPU)等，并主要用于识别人、植物和动物、产品等。
技术介绍
近年来，在诸如食品工业和制造工业的所有工业领域中对产品的安全性和管理控制的加强的要求提高，并且对产品的数据的要求也相应地提高。目前，产品数据还很少，主要是通过十位数字的条码提供诸如制造的国家、制造商、产品数字等。而且，条码必须被人工地逐个读出，这需要时间。今天，利用无线电波使用非接触的IC标签的自动识别技术，这被称作RFID(射频识别)，正吸引着注意力。为了保证植物和动物的安全性(例如原产国、传染病的感染)，如下的系统开始被广泛地使用IC芯片被植入到植物和动物的体内，从而通过数据读出设备(读出器)从外部获得和管理其数据。并且，这些年来，人们携带的卡的数目一直增加。特别是，使用无线电波通信的非接触IC卡开始广泛地用作电子火车票、电子货币等。此外，为了防止复制和滥用纸币、硬币、有价证券、票据等，开始广泛地使用在其内植入IC芯片的技术(参考非专利文献1)。由Nikkei Business Publicatins公司出版的Nikkei Eletroncs，第67-76页，2002年11月18日。
技术实现思路
但是，由于接触和非接触IC芯片被广泛使用，需要以相当低的成本制造可用于人、植物和动物、产品、纸币的大量IC芯片。例如，要求附加到产品、纸币等上的ID芯片以每个1至几日元而制造，或者优选地少于1日元。因而，要求这种集成电路器件，如IC芯片的结构和工艺，以便可以以低成本大量地制造。目前而言，通过在硅晶片上形成多个薄膜集成电路，并且通过研磨(称为背研磨)去除硅晶片从而将薄膜集成电路分离开的方式制作IC芯片。但是，由于昂贵的硅晶片全部被研磨并去除，制造成本增加不可避免。而且，在硅晶片上形成的集成电路较厚，因此将其安装到产品包装上时由于突起和凹陷使得设计上存在限制。本专利技术考虑上面提到的问题而作出，用于提供一种不同于由硅晶片形成的传统集成电路的相当薄的薄膜集成电路的结构和工艺(此后成为薄膜集成电路器件)，使用该薄膜集成电路器件的ID标记、ID卡、ID标签、各种物体，如纸币和硬币的结构和工艺。根据本专利技术的ID标记包括具有薄膜晶体管的薄膜集成电路器件、粘结层和被设置成与标记基底接触的分隔片，在标记基底上形成天线。根据本专利技术的ID标记包括标记基底、具有被设置成与内部基底接触的薄膜晶体管的薄膜集成电路器件、粘结层和分隔片。根据本专利技术的ID卡包括具有被设置成与卡基底接触的薄膜晶体管的薄膜集成电路器件，在该卡基底上形成天线，以及覆盖卡基底的形成天线和薄膜集成电路器件的至少一侧的覆盖物。根据本专利技术的ID卡包括具有被设置成与内部基底接触的薄膜晶体管的薄膜集成电路器件，在该内部基底上形成天线，以及覆盖基底周围的覆盖物。根据本专利技术的ID标签包括具有被设置成与基底接触的薄膜晶体管的薄膜集成电路器件，在该基底上形成天线，以及覆盖基底的形成天线和薄膜集成电路器件的至少一侧的覆盖物。根据本专利技术的ID标签包括具有被设置成与内部基底接触的薄膜晶体管的薄膜集成电路器件，在该内部基底上形成天线，以及覆盖内部基底周围的覆盖物。根据本专利技术的上述ID标记、ID卡和ID标签的每一个的薄膜集成电路器件包括薄膜有源元件，如薄膜晶体管(TFT)。在使用TFT制造薄膜集成电路器件的情况下，例如，在要被剥离的衬底上形成TFT之后，剥离衬底以分离元件，从而由TFT形成的薄膜集成电路器件可以以低成本大量地制造。这里主要的剥离方法是通过蚀刻等去除剥离层的化学剥离，以及通过外部施加压力分离剥离层的物理剥离，但是本专利技术不限于此。薄膜集成电路器件不同于形成在硅晶片上的传统的“IC(集成电路)芯片”，并且包括以TFT(薄膜晶体管)为典型代表的薄膜有源元件、连接薄膜有源元件的布线、连接薄膜有源元件和外部单元(例如非接触ID标记中的天线和接触ID标记中的连接端子)的布线等。不言自明，薄膜集成电路器件的组件不限于这些，并且薄膜集成电路仅需要包括以TFT为典型代表的至少一个薄膜有源元件。注意，用于本专利技术的薄膜集成电路器件不同于传统的IC芯片，而是薄膜，因此被称为IDT芯片(识别薄芯片)等。用于本专利技术的薄膜集成电路器件原则上不使用硅晶片来形成，并且通过使用诸如玻璃衬底和石英衬底的绝缘衬底形成，可将薄膜集成电路器件转移到柔韧的衬底上，因此还称其为IDG芯片(识别玻璃芯片)、IDF芯片(识别柔性芯片)、软芯片等。此后，有时也将薄膜集成电路器件称为IDF芯片。这里，ID标记(识别标记)用于识别在市场上流通的产品并用于存储关于它们的数据，也被称为ID封条、ID粘签等。基本上，ID标记的一侧具有能容易地粘附于产品等上的粘结表面，并且一些还可以重新粘贴多次。不言自明，本专利技术不限于这些，只要其属于标记、封条、粘签、徽章、指示条等构成的组即可。标记基底对应于实际粘结于产品等的部分，天线和薄膜集成电路器件形成在其一个或两个表面以及背表面上。标记基底可以具有单层结构或叠层结构。内部基底对应于在ID标记、ID卡、ID标签内部形成的部分，并且与ID标记、ID卡或ID标签的基底独立地形成。还将其称为进口基底(inlet substratum)等。基本上，内部基底不能从外部看到，但是，在基底由透明物质等形成的情况下可从外部看到内部基底。注意内部基底可以具有单层结构或叠层结构。ID卡对应于包括可存储各种数据的小集成电路器件的卡，如现金卡、信用卡、预付卡、电子火车票、电子货币、电话卡和会员卡。ID标签类似于ID标记，用于识别在市场上流通的产品并用于存储关于它们的数据。通过对产品提供ID标记或ID标签，易于管理产品。在例如产品被偷盗的情况下，通过跟踪产品的路径可迅速抓获罪犯。以这种方式，通过提供ID标签，可流通在所谓跟踪性能上优越的产品(当复杂的制造和流通的每个阶段出现问题时，可通过跟踪路径快速地查找到原因)。而且，由于最近诸如暴力犯罪和失踪的事件有所增加，ID标签可用于识别一个人，以持续地算出每个人的位置，如婴儿、小孩、老人、旅行者的位置，从而他们不会被卷入这种事件中去。提供覆盖物来覆盖卡和标签的基底的至少一侧，在该侧上形成天线和薄膜集成电路器件，并且该覆盖物面对基底而提供。不言自明，基底可以是其中形成薄膜集成电路器件的不同的基底，基底中材料可以与其中形成薄膜集成电路器件的材料相同或不同。而且，覆盖物可用作涂层。注意，本专利技术的适用范围不限于上述ID标记、ID卡、ID标签等。即，还适用于包括薄膜集成电路器件和覆盖物的所有物体，其中薄膜集成电路器件具有被设置成与基底接触的薄膜晶体管，在该基底上形成天线，覆盖物覆盖基底的形成天线和薄膜集成电路器件的至少一侧。或者，根据本专利技术的物体，包括薄膜集成电路器件和覆盖物，其中薄膜集成电路器件具有被设置成与内部基底接触的晶体管，在该内部基底上形成天线，覆盖物覆盖内部基底的周围。另外，优选地，在物体中包括的薄膜集成电路器件的上部分和下部分至少之一上形成由氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的单层或叠层形成的保护层。根据本专利技术的物体中包含的集成电路器件是具有TFT的薄膜集成电路器件，因此可按约5微米或更小(更优选是0.1到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＩＤ标记，包括：　　　　标记基底，在其上形成天线；　　　　薄膜集成电路器件，该薄膜集成电路器件包括薄膜晶体管并被设置成与该标记基底接触；　　　　分隔片；以及　　　　粘结剂，该粘结剂被提供在标记基底和分隔片之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-1-23 015449/20041.一种ID标记，包括标记基底，在其上形成天线；薄膜集成电路器件，该薄膜集成电路器件包括薄膜晶体管并被设置成与该标记基底接触；分隔片；以及粘结剂，该粘结剂被提供在标记基底和分隔片之间。2.根据权利要求1的ID标记，其中所述天线和所述薄膜集成电路器件通过交叉布线而连接。3.根据权利要求1的ID标记，其中在所述薄膜集成电路器件的上表面和下表面至少之一上形成包括含有氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的单层或叠层的保护层。4.根据权利要求1的ID标记，其中在所述薄膜集成电路器件的上表面和下表面上形成所述保护层的情形下，当所述薄膜集成电路器件和顶、底保护膜的总厚度为d时，将所述薄膜集成电路器件放置在(d/2)±30微米或更小的位置处。5.根据权利要求1的ID标记，其中在所述薄膜集成电路器件中包含的薄膜晶体管的半导体膜含有0.0005至5原子％的氢或卤素。6.根据权利要求1的ID标记，其中所述薄膜集成电路器件的尺寸是0.09至25平方毫米。7.根据权利要求1的ID标记，其中所述薄膜集成电路器件的厚度为0.1至3微米。8.一种ID标记，包括集成电路基底，在其上形成天线；标记基底；薄膜集成电路器件，该薄膜集成电路器件包括薄膜晶体管并被设置成与标记基底接触；分隔片；以及粘结剂，该粘结剂被提供在标记基底和分隔片之间。9.根据权利要求8的ID标记，其中所述天线和所述薄膜集成电路器件通过交叉布线而连接。10.根据权利要求8的ID标记，其中在所述薄膜集成电路器件的上部分和下部分至少之一上形成包括含有氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的单层或叠层的保护层。11.根据权利要求8的ID标记，其中在所述薄膜集成电路器件的上部分和下部分上形成所述保护层的情形下，当所述薄膜集成电路器件和顶、底保护膜的总厚度为d时，将所述薄膜集成电路器件放置在(d/2)±30微米或更小的位置处。12.根据权利要求8的ID标记，其中在所述薄膜集成电路器件中包含的薄膜晶体管的半导体膜含有0.0005至5原子％的氢或卤素。13.根据权利要求8的ID标记，其中所述薄膜集成电路器件的尺寸是0.09至25平方毫米。14.根据权利要求8的ID标记，其中所述薄膜集成电路器件的厚度为0.1至3微米。15.一种ID卡，包括卡基底，在其上形成天线；薄膜集成电路，该薄膜集成电路包括薄膜晶体管，并被设置成与卡基底接触；覆盖物，用于至少覆盖卡基底中形成天线和薄膜集成电路器件的一侧。16.根据权利要求15的ID卡，其中所述天线和所述薄膜集成电路器件通过交叉布线而连接。17.根据权利要求15的ID卡，其中所述覆盖物包括树脂并通过层压方法形成。18.根据权利要求15的ID卡，其中在所述薄膜集成电路器件的上表面和下表面至少之一上形成包括含有氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的单层或叠层的保护层。19.一种ID卡，包括内部基底，在其上形成天线；薄膜集成电路器件，该薄膜集成电路器件包括薄膜晶体管并被设置成与内部基底接触；覆盖物，用于覆盖内部基底周围。20.根据权利要求19的ID卡，其中所述天线和...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒井康行，秋叶麻衣，馆村祐子，神野洋平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]