【技术实现步骤摘要】
本申请是申请人奥斯兰姆普托半导体股份有限两合公司的申请日为1997年6月26日的专利技术名称为“具有发光变换元件的发光半导体器件”的中国专利申请200310118179.2的分案申请。本专利技术涉及按照权利要求1前序部分的发光半导体器件。这种类型的半导体器件,例如从公开文件的DE 38 04 293中有所了解。文中介绍了一种电激发光二极管或激光二极管的结构。在此结构中,通过一个掺有发荧光的变光有机染料的塑料元件将二极管发射的全部发射光谱向波长较大的方向推移。通过这种措施,使这种结构发射出另一种不同于发光二极管发射的颜色的光。通过在塑料中掺入不同种类的染料,用同一种发光二极管就可以制成发射不同颜色的光的发光二极管结构。在DE-OS 2 347 289中发表了一种红外(IR)固体灯,其中,在一个IR二极管的边沿上涂布荧光剂,从而使该处所发射的IR射线转变成可见光。采用这种措施的目的在于,为了控制的目的,在尽可能小地降低二极管发射的IR射线强度的同时,将其中尽可能小的一部分射线转换成可见光。另外,在EP 486 052中发表了一种发光二极管,其中,在基片与一层有源电激发光层之间至少设置一层半导体光激发光层,将来自该有源层朝向基片发射的第一波长段的光变换成第二波长段的光,从而使该发光二极管总共发射各种不同波长段的光。在发光二极管的许多有发展前途的应用范围中,例如在Kfz仪表盘上的显示元件,飞机和汽车的内部照明,以及在能够发射全色光的发光二极管显示器中,都对发光二极管提出严格的要求,使其能够产生混合光,特别是白光。在JP-07 176 794-A中介绍了一种发射白光的 ...
【技术保护点】
发光半导体器件,具有一个半导体主体(1),其在半导体器件工作时发射电磁射线;具有至少一个第一引线和至少一个第二引线(2,3),其与半导体主体(1)作导电连接;还具有一个至少含有一种荧光剂的发光变换元件, 其特征在于:半导体主体(1)含有一个半导体多层结构(7),其适合于在半导体器件工作时发射由紫外、蓝和/或绿色光谱段形成的第一波长段, 发光变换元件将来自第一波长段发射的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线,从而使该半导体器件发射由第一波长段的射线和第二波长段的射线形成的混合射线。
【技术特征摘要】
DE 1996-6-26 19625622.4;DE 1996-9-20 19638667.51.发光半导体器件,具有一个半导体主体(1),其在半导体器件工作时发射电磁射线;具有至少一个第一引线和至少一个第二引线(2,3),其与半导体主体(1)作导电连接;还具有一个至少含有一种荧光剂的发光变换元件,其特征在于半导体主体(1)含有一个半导体多层结构(7),其适合于在半导体器件工作时发射由紫外、蓝和/或绿色光谱段形成的第一波长段,发光变换元件将来自第一波长段发射的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线,从而使该半导体器件发射由第一波长段的射线和第二波长段的射线形成的混合射线。2.如权利要求1的发光半导体器件,其特征在于,发光变换元件将第一波长段的射线变换成由多种各不相同的光谱段形成的第二波长段的射线,从而使该半导体器件发射由第一波长段的射线和第二波长段形成的混合射线。3.如权利要求1的发光半导体器件,其特征在于,沿着从半导体器件的主发射方向观察,发光变换元件主要是沿着半导体主体(1)配置的。4.如权利要求1至3之一的发光半导体器件,其特征在于,在半导体主体(1)的上方或上面至少具有一层发光变换层(4),作为发光变换元件之用。5.如权利要求1至3之一的发光半导体器件,其特征在于,具有一个发光变换包壳(5),其至少包住半导体主体(1)的一部分以及导电引线(2,3)的部分线段,以此作为发光变换元件之用。6.如权利要求1至5之一的发光半导体器件,其特征在于,第二波长段至少包括一部分波长λ大于第一波长段的波长的部分。7.如权利要求1至6之一的发光半导体器件,其特征在于,半导体主体(1)在工作状态中发射紫外线,发光变换元件至少将该紫外线的一部分变换成可见光。8.如权利要求1至7之一的发光半导体器件,其特征在于,在混合射线中的第一波长段和第二波长段中至少有一部分是互补色,所以产生白光。9.如权利要求2以及权利要求2与权利要求3至7之一相结合的发光半导体器件,其特征在于,由半导体主体发射的第一波长段和两个第二波长段产生的叠加三重色,从而使半导体器件在工作中发射白色光。10.如权利要求1至9之一的发光半导体器件,其特征在于,由半导体主体(1)发射的射线中的兰色光谱段在λ=430nm或在λ=450nm处有一个发光强度最大值。11.如权利要求1至10之一的发光半导体器件,其特征在于,半导体主体(1)设置在一个透光底座(8)的一个缺口(9)中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:U雷,K赫恩,N斯塔施,G韦特,P施洛特,R施米特,J施奈德,
申请(专利权)人:奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。