电力供给系统、电力供给方法和批量处理方法技术方案

公开了一种电力供给系统，该电力供给系统包括向处理装置供给电力的电力供给装置、根据批量的状态计算批量从当前位置到达处理装置的到达时间的到达时间计算部、比较到达时间和处理装置的启动时间的比较部和控制电力供给装置的供给控制部。供给控制部在到达时间小于等于启动时间的情况下，向处理装置供给工作电力，在到达时间比启动时间长的情况下，向处理装置供给比工作电力小的节省电力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及批量(批次)处理技术，特别是。
技术介绍
现在，在半导体制造工厂，所使用的电力的消耗量很多。因此，从降低成本以及环境保护的观点考虑，也希望抑制电力消耗。以往，作为节电方法，已知的是在处理装置的待机时间大于等于一定时间时，使处理装置转到节能模式的方法(例如，参见特开2004-200485号公报)。但是，如果一旦将处理装置设置成为节电状态，则在处理下一个批量(批次)时，需要用于使处理装置恢复到工作状态的启动时间。因此，即使批量到达了处理装置也不能立刻开始进行处理，生产量降低。在现在的情况下，不降低生产量而谋求节电化是很困难的。
技术实现思路
本专利技术的第1方面的电力供给系统，包括处理装置；向上述处理装置供给电力的电力供给装置；确定在上述处理装置处理的批量的状态的批量确定部； 根据上述批量的状态，计算上述批量从当前位置到到达上述处理装置的到达时间的到达时间计算部；比较上述到达时间和上述处理装置的启动时间的比较部；以及控制上述电力供给装置的供给控制部，使得当上述到达时间小于等于上述启动时间时，向上述处理装置供给使上述处理装置工作的工作电力，当上述到达时间比上述启动时间长时，向上述处理装置供给比上述工作电力小的节电电力。本专利技术的第2方面的电力供给方法，包括确定在处理装置处理的批量的状态；根据上述批量的状态，计算上述批量从当前位置到达上述处理装置的到达时间；比较上述到达时间和上述处理装置的启动时间；当上述到达时间小于等于上述启动时间时，向上述处理装置供给使上述处理装置工作的工作电力；以及当上述到达时间比上述启动时间长时，向上述处理装置供给比上述工作电力小的节电电力。本专利技术的第3方面的批量处理方法，包括确定在处理装置处理的批量的状态；根据上述批量的状态，计算上述批量从当前位置到达上述处理装置的到达时间；比较上述到达时间和上述处理装置的启动时间；当上述到达时间小于等于上述启动时间时，向上述处理装置供给使上述处理装置工作的工作电力；当上述到达时间比上述启动时间长时，向上述处理装置供给比上述工作电力小的节电电力；以及使用上述处理装置处理上述批量。附图说明图1是示出本专利技术的实施例的电力供给系统的一例的框图。图2是用于说明本专利技术的实施例的电力供给方法的一例的流程图。图3是用于说明本专利技术的实施例的批量处理方法(半导体装置的制造方法)的一例的流程图。图4是示出本专利技术的实施例的第2变形例的处理装置的一例的框图。图5是示出本专利技术的实施例的第3变形例的中央运算处理装置的一例的框图。图6是示出本专利技术的实施例的第3变形例的电力供给系统的一例的框图。图7是示出批量的流动的一例的图。图8是示出利用具有典型的节电模式的电力供给系统时的处理装置的状况的图。图9是示出利用本实施例的电力供给系统时的处理装置的状况的一例的图。具体实施例方式下面，参照附图说明本专利技术的实施例。在以下的附图的记载中，对于相同或类似的部分标以相同或类似的符号。但是，附图是模式图。另外，以下所示的实施例是用于将本专利技术的技术思想具体化的装置或方法的示例，本专利技术的技术思想不将结构部件的材质、形状、构造、配置等特定为以下所述的情况。本专利技术的技术思想在权利要求的范围内可以进行种种变更。如图1所示，本专利技术的实施例的电力供给系统(半导体制造系统)具有处理装置31、32、33、...、3n、批量确定部11、到达时间计算部12、比较部13以及供给控制部14。电力供给装置4向处理装置31、32、33、...、3n供给电力。批量确定部11确定在处理装置31、32、33、...、3n中处理的批量的状态。到达时间计算部12根据批量的状态，计算批量从当前位置到达处理装置31、32、33、...、3n的到达时间。比较部13将到达时间与处理装置31、32、33、...、3n的启动时间进行比较。供给控制部14控制电力供给装置4，以在到达时间小于等于启动时间时向处理装置31、32、33、...、3n供给使处理装置31、32、33、...、3n工作的工作电力。相反，当到达时间比启动时间长时，控制电力供给装置4以向处理装置31、32、33、...、3n供给比工作电力小的节省电力。本例的批量确定部11、到达时间计算部12、比较部13和供给控制部14包含于在中央运算处理装置(CPU)1上工作的模块中。CPU 1、处理装置31、32、33、...、3n、数据存储装置2、电力供给装置4、主存储装置6、输入装置7以及输出装置8等通过总线9或因特网、LAN、无线LAN等通信网络连接。通过将这些装置通过通信网络连接，可以远程地获得适当的信息，从而可以实时地得到信息。本例的处理装置31、32、33、...、3n包含例如离子注入装置、杂质扩散装置、热氧化装置、化学气相沉积(CVD)装置、热处理装置、溅射装置、真空蒸发装置、电镀处理装置、化学机械研磨(CMP)装置、干或湿蚀刻装置、清洗装置、旋转涂敷装置(旋涂机)、曝光装置、切割装置和焊接装置等各种各样的半导体制造装置。离子注入装置例如将形成N型或P型半导体区域的杂质离子注入到半导体基板内。杂质扩散装置例如使注入到半导体基板内的杂质扩散。热氧化装置例如在半导体基板(半导体晶片)的表面上形成氧化硅膜(SiO2膜)。化学气相沉积(CVD)装置例如在半导体基板的表面上沉积SiO2、磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、氮化硅(Si3N4)、多晶硅等。热处理装置在对在半导体基板上形成的PSG膜、BSG膜、BPSG膜等进行回流(熔化)处理、对CVD氧化膜等膜进行致密化处理，使金属与硅反应而形成硅化物膜等的时候使用。溅射装置和真空蒸发装置例如在半导体基板上通过溅射和蒸发形成在布线层等使用的金属。电镀处理装置例如在半导体基板上通过电镀形成金属布线层。化学机械研磨(CMP)装置研磨半导体基板的表面。干或湿蚀刻装置对半导体基板的表面进行蚀刻。清洗装置例如清洗半导体基板的表面，例如除去光致抗蚀剂后的半导体基板的表面。旋转涂敷装置在光刻工序时在半导体基板的表面上旋转涂敷光致抗蚀剂。曝光装置对光致抗蚀剂进行曝光。切割装置将半导体基板切割成IC芯片(半导体集成电路装置)。焊接装置将IC芯片的电极与引线框架连接。此外，在处理装置中也可以包含纯水处理装置或气体的净化装置等附带设备。另外，这些半导体制造装置也可以应用于批量式装置或单个式装置中的任何一个。对于后面所述的所有实施例，也同样可以应用于批量式装置或单个式装置。电力供给装置4向处理装置31、32、33、...、3n供给用于使处理装置31、32、33、...、3n工作的工作电力。电力供给装置4也可以向处理装置31、32、33、...、3n供给比工作电力小的节省电力。处理装置31、32、33、...、3n从供给节省电力的状态到成为供给工作电力而可以进行批量处理的工作状态，需要启动时间。数据存储装置2具有处理条件存储部21和装置信息存储部22。处理条件存储部21存储在处理装置31、32、33、...、3n处理的批量的处理条件。装置信息存储部22存储处理装置31、32、33、...、3n的各自的启动时间等规格。本例的CPU 1具有装置确定部10、批量确定部11、到达时间计算部12、比较部13、供给控制部14和结束判定部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电力供给系统，包括：处理装置；向上述处理装置供给电力的电力供给装置；确定在上述处理装置处理的批量的状态的批量确定部；根据上述批量的状态，计算上述批量从当前位置到达上述处理装置的到达时间的到达时间计算部；比较上述到达时间和上述处理装置的启动时间的比较部；以及供给控制部，其控制上述电力供给装置，使得当上述到达时间小于等于上述启动时间时，向上述处理装置供给使上述处理装置工作的工作电力，当上述到达时间比上述启动时间长时，向上述处理装置供给比上述工作电力小的节省电力。

【技术特征摘要】
JP 2005-8-26 245847/20051.一种电力供给系统，包括处理装置；向上述处理装置供给电力的电力供给装置；确定在上述处理装置处理的批量的状态的批量确定部；根据上述批量的状态，计算上述批量从当前位置到达上述处理装置的到达时间的到达时间计算部；比较上述到达时间和上述处理装置的启动时间的比较部；以及供给控制部，其控制上述电力供给装置，使得当上述到达时间小于等于上述启动时间时，向上述处理装置供给使上述处理装置工作的工作电力，当上述到达时间比上述启动时间长时，向上述处理装置供给比上述工作电力小的节省电力。2.按权利要求1所述的电力供给系统，其特征在于上述供给控制部根据上述到达时间与上述启动时间之差，阶段式地调整上述节省电力。3.按权利要求1所述的电力供给系统，其特征在于上述处理装置具有多个处理部，上述供给控制部向上述处理装置的多个处理部中处理上述批量的处理部供给上述工作电力。4.按权利要求2所述的电力供给系统，其特征在于上述供给控制部向上述处理装置的多个处理部中处理上述批量的处理部供给上述工作电力。5.按权利要求1所述的电力供给系统，其特征在于上述处理装置包括冷却装置；上述电力供给系统还包括控制上述冷却装置的冷却装置控制部，该冷却装置控制部根据上述批量的到达时间和上述处理装置的启动时间，调节上述冷却装置的冷却量。6.一种电力供给方法，包括确定在处理装置处理的批量的状态；根据上述批量的状态，计算上述批量从当前位置到达上述处理装置的到达时间；比较上述到达时间和上述处理装置的启动时间；当上述到达时间小于等于上述启动时间时，向上述处理装置供给使上述处理装置工作的工作电力；以及当上述到达时间比上述启动时间长时，向上述处理装置供给比上述工作电...

【专利技术属性】
技术研发人员：古川伸一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]