【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路的制造工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
现有的金属层间氧化物淀积(IMD)一般分两步(其剖面示意图如图1所示)首先进行高密度等离子淀积(HDP)，该步骤中在氧化膜生长的同时又有等离子体轰击，目的是让氧化硅能在密集铝线间填满，不留下空隙。然后进行等离子体增强四乙基硅酸盐(PE-TEOS)淀积，该步骤是进行主氧化膜生长。两步生长法在实施高密度等离子淀积时，由于等离子体轰击可能造成铝线侧顶端的损伤，使铝线顶层的氮化鈦/鈦(TiN/Ti)膜溅射在下底二氧化硅上，导致铝线间可能存在漏电。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术间题是提供一种，通过改进工艺达到有效降低实施高密度等离子淀积时对铝线的损伤及漏电流。为解决上述技术问题，本专利技术是，首先用化学气相淀积生成一薄氧化层，然后进行高密度等离子淀积，最后进行等离子体增强四乙基硅酸盐淀积。所述的氧化层厚度≤200埃。采用本专利技术的方法，由于在进行高密度等离子淀积前，引入化学气相淀积(CVD)生成一薄氧化层，阻隔等离子体对铝线的轰击损伤，所以可以显著减小漏电流。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1是现有的金属层间氧化物淀积工艺示意图；图2是采用本专利技术的方法效果测试图；图3是本专利技术示意图。具体实施例方式如图3所示，本专利技术是，首先用化学气相淀积生成一薄氧化层，然后进行高密度等离子淀积，最后进行等离子体增强四乙基硅酸盐淀积。由于所述的薄氧化层是采用化学气相淀积生成的，能沿金属界面均匀地生长，所以可很好地覆盖保护金属线。图2是两组对照漏电流实验测试...
【技术保护点】
一种金属层间氧化物淀积方法，其特征在于：首先用化学气相淀积生成一薄氧化层，然后进行高密度等离子淀积，最后进行等离子体增强四乙基硅酸盐淀积。
【技术特征摘要】
1.一种金属层间氧化物淀积方法，其特征在于首先用化学气相淀积生成一薄氧化层，然后进行高密度等离子淀积，最后进行等离子体增强四乙基硅酸盐淀积。2.如权利要求1所述的金属层间氧化物淀积方法，其特征在于所述的氧化层厚度≤200。3.如权利要求1或2所述的金属层间氧化物淀积方法，其特征在于进行薄氧化层淀积的工艺参数如下步骤1，硅烷，步骤结束控制固定时间，淀积时间1S，终点选择无，压力伺服至5mT，顶部/...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗来青，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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