清洁光罩的方法技术

本发明专利技术是有关于一种清洁光罩的方法，是用来清洁相位移光罩与其他光罩以及含钼表面。在一实施例中，借由准分子氙气雷射所产生的真空紫外光（ＶＵＶ）将氧气转变为臭氧，以用于第一清洁操作中。在真空紫外光／臭氧清洁之后，可进行湿式ＳＣ１化学清洁，且二步骤清洁程序减少相位移损失与增加传送。在另一实施例中，第一步骤可使用其他方法以在含钼表面上形成钼氧化物。在又一实施例中，此多步骤清洁操作是提供湿式化学清洁，例如ＳＣ１或ＳＰＭ或是两者皆有，接着进一步进行化学或物理处理，例如臭氧、烘烤或电解离子水。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件制造工艺，特别是涉及一种在半导体元件制造中所使用的光罩的清洁方法。
技术介绍
在半导体制造业中，光罩制造与保养中最重要的方面之一就是清洁，因为甚至还有更小的污染颗粒可能可转印至晶圆上，而且这些颗粒会破坏元件。光罩清洁的要求比元件形成于其上的晶圆的清洁还严格，因为光罩提供主要的影像且所有的晶圆的图案化均经其而发生。当我们进入90nm世代并伴随应用193nm深紫外光(DUV)微影及更显著地应用相位偏移光罩(PSM)，必须面对着更严峻的挑战。相位偏移或相位移光罩不同于传统光罩，其包括以所需折射率与厚度为特征的半透明材料层，而为了偏移穿过光罩透明部分的光的相位，在光罩上局部加入此半透明材料层。借由使用破坏性干涉，相位偏移会增加图案转移的解析度，且可防止光阻在不应该被暴露出的区域暴露出来。利用硅化钼(MoSi)或其变化物，例如氮氧化硅钼(MoSiON)，来作为相位偏移材料具有优势。所以用以清洁相位移光罩的清洁程序，能有效地清洁硅化钼基与其他相位移材料是不可或缺的。在生产光罩的制程中，以及将应用于生产环境的已完成的光罩的清洁上，均需要清洁光罩的清洁操作。形成光罩的制程包括运用光阻材料的图案化操作，其中在光罩可应用在生产环境中之前，必须将这些光阻材料完全移除。随着在制造环境中必须加以控制的尺寸缺陷的减小，传统清洁方法，例如SC1(氢氧化铵/过氧化氢/去离子水，NH4OH/H2O2/H2O)与百万赫兹超声波硬体清洁技术已不符合要求。这类的传统清洁制程的缺点在于这些制程会在光罩上留下微粒与其他污染物，而可印刷到晶圆上，即半导体基材。由此可见，上述现有的在方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般方法又没有适切的方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的，便成了当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的，能够改进一般现有的，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，克服现有的存在的缺陷，而提供一种新的，所要解决的技术问题是使其有助于且合适于清洁相位移与其他光罩，而使光罩实际上无可印刷的污染物，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种，其包括以下步骤提供一光罩；使用一湿式化学清洁来清洁该光罩；以及进行一物理或干式化学处理，以进一步清洁该光罩。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的，其中所述的物理或干式化学处理在清洁该光罩的步骤之前实施，且进行该物理或干式化学处理的步骤至少包括一第一次清洁，而清洁该光罩的步骤至少包括一第二次清洁，其中该第一次清洁使用以一真空紫外光所产生的一臭氧，且该第二次清洁使用一液态氢氧化铵/过氧化氢/去离子水混合物。前述的，其中所述的光罩包括一含钼表面，且使用该臭氧的该第一次清洁包括在该含钼表面上产生氧化钼。前述的，其更至少包括在该第二次清洁之后，进行一进一步的物理或干式化学处理。前述的，其更至少包括在该第二次清洁之后进行(a)加热该光罩以蒸发在该光罩的一表面上的复数个污染物、(b)使用电解离子水来处理该表面、以及(c)使用臭氧来清洁该光罩中的一个步骤。前述的，其更至少包括在该第二次清洁之后进行一真空紫外光/臭氧清洁操作。前述的，其中所述的物理或干式化学处理为一真空紫外光/臭氧清洁操作。前述的，其中所述的第一次清洁包括使用一准分子氙气雷射来产生该真空紫外光。前述的，其中所述的清洁该光罩的步骤是发生在进行该物理或干式化学处理的步骤之前。前述的，其中所述的清洁该光罩的步骤至少包括先在一清洁溶液中清洁该光罩，其中该清洁溶液包括比例实质为1∶4的一液态硫酸∶过氧化氢混合物；清洗该光罩；使用一液态氢氧化铵/过氧化氢/去离子水混合物来清洁该光罩；以及进一步清洗该光罩。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种，其包括以下步骤提供一光罩；先对该光罩进行一湿式化学清洁，其中该湿式化学清洁包括一液态氢氧化铵/过氧化氢/去离子水混合物与一液态硫酸∶过氧化氢混合物中的至少一者；以及再使用一电解离子水来清洁该光罩。本专利技术的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种，其包括以下步骤提供一光罩；先使用产生自一真空紫外光的一臭氧来清洁该光罩；以及再使用一液态氢氧化铵/过氧化氢/去离子水溶液来清洁该光罩。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本专利技术的主要
技术实现思路
如下为了达到上述目的，本专利技术提供了一种，在一方面中，此方法包括提供一光罩，在光罩上实施一湿式化学清洁以及实施一物理或干式化学处理以进一步地清洁光罩。此方法可包括借由真空紫外光所产生的臭氧所进行的初步清洁以及使用液态氢氧化铵/过氧化氢/去离子水混合物的第二次清洁。另一种选择是，可在湿式化学清洁之后，进行此物理或干式化学处理。另外，为了达到上述目的，本专利技术另提供了一种清洁含钼表面的方法，此方法包括提供一含钼表面，在含钼表面上产生氧化钼(MoO3)以及接着使用液态氢氧化铵/过氧化氢/去离子水混合物来清洁。再者，为了达到上述目的，本专利技术再提供了一种，此方法至少包括提供一光罩，实施一湿式化学清洁，此湿式化学清洁包括液态氢氧化铵/过氧化氢/去离子水混合物与比例约为1∶4的液态硫酸∶过氧化氢(H2SO4∶H2O2)混合物中的至少一者，接着使用电解离子水来清洁光罩。借由上述技术方案，本专利技术至少具有下列优点有助于且合适于清洁相位移与其他光罩，而使光罩实际上无可印刷的污染物。综上所述，本专利技术一种多步骤清洁程序，是用来清洁相位移光罩与其他光罩以及含钼表面。在一实施例中，借由准分子氙气雷射所产生的真空紫外光(VUV)将氧气转变为臭氧，以用于第一清洁操作中。在真空紫外光/臭氧清洁之后，可进行湿式SC1化学清洁，且二步骤清洁程序减少相位移损失与增加传送。在另一实施例中，第一步骤可使用其他方法以在含钼表面上形成钼氧化物。在又一实施例中，此多步骤清洁操作是提供湿式化学清洁，例如SC1或SPM或是两者皆有，接着进一步进行化学或物理处理，例如臭氧、烘烤或电解离子水。本专利技术具有上述诸多优点及实用价值，其不论在方法或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的具有增进的功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1是一种制造光罩的过程顺序的制程流程图，其中此制造光罩的过程运用了本专利技术的清洁程序。2基板 4相位移材料层6不透光层 8光阻图案10开口14光阻材料16开口1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洁光罩的方法，其特征在于其包括以下步骤：　　　　提供一光罩；　　　　使用一湿式化学清洁来清洁该光罩；以及　　　　进行一物理或干式化学处理，以进一步清洁该光罩。

【技术特征摘要】
US 2005-7-18 11/184,7031.一种清洁光罩的方法，其特征在于其包括以下步骤提供一光罩；使用一湿式化学清洁来清洁该光罩；以及进行一物理或干式化学处理，以进一步清洁该光罩。2.根据权利要求1所述的清洁光罩的方法，其特征在于其中所述的物理或干式化学处理在清洁该光罩的步骤之前实施，且进行该物理或干式化学处理的步骤至少包括一第一次清洁，而清洁该光罩的步骤至少包括一第二次清洁，其中该第一次清洁使用以一真空紫外光所产生的一臭氧，且该第二次清洁使用一液态氢氧化铵/过氧化氢/去离子水混合物。3.根据权利要求2所述的清洁光罩的方法，其特征在于其中所述的光罩包括一含钼表面，且使用该臭氧的该第一次清洁包括在该含钼表面上产生氧化钼。4.根据权利要求2所述的清洁光罩的方法，其特征在于其更至少包括在该第二次清洁之后，进行一进一步的物理或干式化学处理。5.根据权利要求2所述的清洁光罩的方法，其特征在于其更至少包括在该第二次清洁之后进行(a)加热该光罩以蒸发在该光罩的一表面上的复数个污染物、(b)使用电解离子水来处理该表面、以及(c)使用臭氧来清洁该光罩中的一个步骤。6.根据权利要求2所述的清洁光罩的方法，其特征在于其更至...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧智彰，唐存正，蔡飞国，李慈莉，邱建明，李正中，苏益辰，林志诚，康东耀，谢弘璋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]