可防止密封材料溢流的膜上倒装片封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种膜上倒装片封装结构，其包含基板、倒装芯片、多个凸块、第一密封材料以及挡墙。基板具有一上表面以及多条形成于上表面上的引脚。倒装芯片具有一有源面以及形成于有源面上的多个焊垫，其中，这些焊垫中的每一个焊垫对应这些引脚中的一条引脚。每一个凸块接合这些焊垫中的一个焊垫以及对应该焊垫的引脚。涂布第一密封材料以覆盖覆晶芯片的周围。挡墙形成于基板的上表面上，并且围绕倒装芯片的周围，用以防止第一密封材料的溢流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种膜上倒装片封装结构(Flip-chip-on-film packagestructure)，特别是涉及一种可防止密封材料溢流的膜上倒装片封装结构。
技术介绍
请参阅图1，图1为现有技术的芯片封装结构10的示意图。现有技术的芯片封装结构10包含基板12、芯片14以及点涂胶体16。基板12具有上表面120以及形成于上表面120上的引线层122。芯片14具有有源面(Activesurface)140。至少一个凸块(Bump)18形成于芯片14的有源面140上。当芯片14被固定至基板12时，这些凸块18与基板12的引线层122形成电连接。涂布点涂胶体16以密封这些凸块18。随着集成电路往微小化的发展，产品面积因微小化关系必须缩小以制造出最小的成品面积，因此，必须控制涂胶的溢流。此外，基板12上通常会设置多个芯片14，以提高芯片封装结构10的效能。然而，当芯片14的数目增加时，芯片与芯片间的距离便会缩减，使得涂布点涂胶体16时，常会发生溢流，而污染邻近的芯片。因此，本专利技术的主要目的在于提供一种膜上倒装片封装结构，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种膜上倒装片封装结构，该膜上倒装片封装结构利用一形成于基板的上表面上的挡墙(Barricade)，并且围绕倒装芯片(Flip Chip)的周围，用以防止密封材料的溢流。根据一个优选具体实施例，本专利技术的膜上倒装片封装结构包含基板、倒装片芯片、多个凸块、一第一密封材料以及一挡墙。基板具有一上表面以及多条形成于上表面上的引脚(Lead)。倒装片芯片具有一有源面以及形成于有源面上的多个焊垫(Pad)，其中，这些焊垫中的每一个焊垫对应这些引脚中的一条引脚。每一个凸块接合这些焊垫中的一个焊垫以及对应该焊垫的引脚。涂布第一密封材料以覆盖倒装芯片的周围。挡墙形成于基板的上表面上，并且围绕倒装片芯片的周围，用以防止第一密封材料的溢流。因此，通过本专利技术的膜上倒装片封装结构，涂布密封材料以覆盖倒装芯片周围，因围绕倒装芯片周围的挡墙的限制，而不会有密封材料溢流的情况发生。关于本专利技术的优点与精神可以通过以下的专利技术详述及附图得到进一步的了解。附图说明图1为现有技术的芯片封装结构的示意图。图2为根据本专利技术第一优选具体实施例的膜上倒装片封装结构的示意图。图3为图2中膜上倒装片封装结构的上视图。附图标记说明10芯片封装结构 12、32基板120、320上表面 122引线层14芯片 140、340有源面16点涂胶体 18、36凸块30膜上倒装片封装结构322引脚34倒装芯片 38第一密封材料40挡墙具体实施方式请参阅图2以及图3，图2为根据本专利技术第一优选具体实施例的膜上倒装片封装结构30的示意图。图3为图2中膜上倒装片封装结构30的顶视图。膜上倒装片封装结构30包含基板32、倒装芯片34、多个凸块36、第一密封材料38以及挡墙40。基板32具有上表面320以及多条形成于上表面320上的引脚322。在此实施例中，基板32可为柔性电路板(Flexible circuit board)。倒装芯片34具有有源面340以及形成于有源面340上的多个焊垫(未显示于图中)，其中，这些焊垫中的每一个焊垫对应这些引脚322中的一条引脚322。每一个凸块36形成于倒装芯片34的有源面340上或形成于这些引脚322上，用以接合这些焊垫中的一个焊垫以及对应该焊垫的引脚322。在此实施例中，这些凸块36以原子间键合(Interatomic bonding)方式与基板32上的这些引脚322接合。在另一优选具体实施例中，这些凸块36通过一共晶接合工艺(Eutectic bonding process)或一超声波热结合工艺(Ultrasonic-thermobonding process)与基板32上的这些引脚322接合。这些凸块36可为金凸块(Gold bump)或其它类似元件。如图2所示，涂布第一密封材料38以覆盖倒装芯片34的周围以及这些凸块36。在上述的实施例中，第一密封材料38可为底部填充材料(Under-filling material)，并且第一密封材料38具有防水性。如图2以及图3所示，挡墙40形成于基板32的上表面320上，并且围绕倒装芯片34的周围，用以防止第一密封材料38的溢流。在此实施例中，挡墙40由选自树脂(Resin)材料、非导电胶(Non-conductive paste，NCP)、底部填充胶(Under-filling material)以及一焊阻材料(Solder resistance material)的一种材料形成。在此实施例中，挡墙40通过一印刷工艺形成于基板32的上表面320上。藉此，涂布第一密封材料38以覆盖倒装片芯片34周围的，因围绕倒装片芯片34周围的挡墙40的限制，而不会有第一密封材料38溢流的情况发生。在另一优选具体实施例中，本专利技术的膜上倒装片封装结构30可进一步包含第二密封材料(未显示于图中)。第二密封材料涂布于倒装芯片34与基板32之间，致使倒装芯片34固着于基板32上。第二密封材料可为热固性(Thermosetting)材料，并且当热固时具收缩性，或者，第二密封材料由选自非导电胶、各向异性导电胶(Anisotropic conductive paste，ACP)以及一各向异性导电膜(Anisotropic conductive film，ACF)的一种材料形成。与现有技术比较，本专利技术的膜上倒装片封装结构利用一挡墙形成于基板的上表面上，并且围绕倒装芯片的周围，用以防止密封材料的溢流，以控制封装结构成品的尺寸，并且避免相邻的倒装芯片遭受密封材料的污染。通过以上优选具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本专利技术的特征与精神，而并非以上述所公开的优选具体实施例来对本专利技术的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具等同性的安排于本专利技术的权利要求书的范畴内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜上倒装片封装结构，包含：基板，所述基板具有一上表面以及多条形成于所述上表面上的引脚；倒装芯片，所述倒装芯片具有有源面以及形成于所述有源面上的多个焊垫，所述焊垫中的每一个焊垫对应所述引脚中的一条引脚；多个凸块，所 述凸块中的每一个凸块接合所述焊垫中的一个焊垫以及对应所述焊垫的引脚；第一密封材料，涂布所述第一密封材料以覆盖所述倒装芯片的周围；以及挡墙，所述挡墙形成于所述基板的所述上表面上并且围绕所述倒装芯片的周围，用以防止所述第一密封材 料的溢流。

【技术特征摘要】
1.一种膜上倒装片封装结构，包含基板，所述基板具有一上表面以及多条形成于所述上表面上的引脚；倒装芯片，所述倒装芯片具有有源面以及形成于所述有源面上的多个焊垫，所述焊垫中的每一个焊垫对应所述引脚中的一条引脚；多个凸块，所述凸块中的每一个凸块接合所述焊垫中的一个焊垫以及对应所述焊垫的引脚；第一密封材料，涂布所述第一密封材料以覆盖所述倒装芯片的周围；以及挡墙，所述挡墙形成于所述基板的所述上表面上并且围绕所述倒装芯片的周围，用以防止所述第一密封材料的溢流。2.如权利要求1所述的膜上倒装片封装结构，其中，所述挡墙由选自树脂材料、非导电胶、底部填充材以及焊阻材料的一种材料形成。3.如权利要求1所述的膜上倒装片封装结构，其中所述挡墙通过一印刷工艺形成于所述基板的上表面上。4.如权利要求1所述的膜上倒装片封装结构，进一步包含第二密封材料，所述第二密封材料涂布于所述倒装芯片与所述基板之间，致使所述倒装芯片固着于所述基板上。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敏娥，刘光华，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，百慕达南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]