【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子学与分子电子学中的微细加工领域,特别涉及一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法。
技术介绍
随着大规模集成电路的特征尺寸进入到纳米级,传统的硅基集成电路技术面临挑战,新材料及新结构的研究成为热点,纳电子学分支之一的分子电子器件正在蓬勃发展。FET和交叉线是目前主要的分子电子器件的结构,而交叉线结构有利于集成受到广泛关注。目前的交叉线结构的制作流程一般为首先制备下电极,然后生长有机材料,最后完成上电极的制备,其中在上电极的制备过程中会引入污染以及对该有机材料造成损伤,其加工难度较大,并且不利于器件性能的提高。申请号为200510011990.X的中国专利技术专利所公开的交叉阵列结构有机器件制备方法中在上、下电极之间有一定距离,这个距离难以精确控制,给后续工艺造成很大困难;而本专利技术中所采用的无间距自组织生长技术降低了工艺难度以及工艺成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法,它首先制作上下电极结构,然后生长有机材料,从而获得交叉线阵列结构的有机分子器件。它的特点是首先制备得到上下电极,然后再生长有机材料,避免光刻、显影、剥离等工艺对有机材料造成的损伤,解决了该有机材料与微电子工艺的兼容性问题。技术方案其结构的形成是由两次光刻、两次等离子体刻蚀获得的交叉线阵列结构,再在此基础上自组织生长有机材料,然后等离子体干法刻蚀,获得交叉线有机分子器件;其步骤如下1、在基片表面上淀积绝缘薄膜;2、在绝缘薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到电极图形;3、蒸发、剥离金属得到交叉线下电极;4、旋涂抗蚀剂,光刻得到与下电 ...
【技术保护点】
一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法,其结构的形成是由两次光刻、两次金属剥离获得的交叉线阵列结构,再在此基础上自组织生长有机材料,然后等离子体干法刻蚀,获得交叉线有机分子器件;其特征在于,其步骤如下: 步骤1、在基片表面上淀积绝缘薄膜; 步骤2、在绝缘薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到电极图形; 步骤3、蒸发、剥离金属得到交叉线下电极; 步骤4、旋涂抗蚀剂,光刻得到与下电极交叉的上电极图形; 步骤5、蒸发、剥离金属得到上电极; 步骤6、液相法自组织生长有机分子材料; 步骤7、等离子体干法刻蚀,完成交叉线有机分子器件的制备。
【技术特征摘要】
1.一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法,其结构的形成是由两次光刻、两次金属剥离获得的交叉线阵列结构,再在此基础上自组织生长有机材料,然后等离子体干法刻蚀,获得交叉线有机分子器件;其特征在于,其步骤如下步骤1、在基片表面上淀积绝缘薄膜;步骤2、在绝缘薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到电极图形;步骤3、蒸发、剥离金属得到交叉线下电极;步骤4、旋涂抗蚀剂,光刻得到与下电极交叉的上电极图形;步骤5、蒸发、剥离金属得到上电极;步骤6、液相法自组织生长有机分子材料;步骤7、等离子体干法刻蚀,完成交叉线有机分子器件的制备。2.根据权利要求1所述的交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法,其特征在于,其中所述的在基片表面上淀积的薄膜是具有绝缘性质的薄膜。3.根据权利要求1所述的制备交叉线阵列结构有机分子...
【专利技术属性】
技术研发人员:王丛舜,胡文平,涂德钰,姬濯宇,刘明,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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