一种等离子体气相反应制备氮化硅装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及氮化硅加工技术领域，具体为一种等离子体气相反应制备氮化硅装置，包括反应箱，反应箱的内部上段设有沿水平方向分布的第一隔板，反应箱的侧壁且位于第一隔板的上方设有进液管，反应箱的侧壁且位于第一隔板的下方设有进气管，且反应箱的底端设有出料管，第一隔板的顶面设有潜水泵，第一隔板的底面设有喷淋管，且喷淋管的底侧均匀设置有雾化喷嘴，潜水泵的出水端通过供液管道与喷淋管连通。本实用新型专利技术利用活塞板的移动可以改变进行化学反应的空间，从而提升氨气浓度，有助于提高化学反应的效率。高化学反应的效率。高化学反应的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体气相反应制备氮化硅装置


[0001]本技术涉及氮化硅加工
，具体为一种等离子体气相反应制备氮化硅装置。

技术介绍

[0002]目前，利用等离子体气相反应是制取氮化硅的一种常见手段，其原理是利用氯化硅和氨气进行反应，将氯化硅反应生成氮化硅，从而方便进行制备氮化硅薄膜，用于生产太阳能的电池板。现有技术中，公开号为CN207756132U的技术提出了一种等离子体气相反应制备氮化硅装置，包括：反应箱体、内循环装置、下料管隔板、取放门等结构，在具体使用过程中，将氯化硅液体和氨气均通入反应箱体内进行化学反应，用于生产氮化硅。然而，由于该装置中的氯化硅液体和氨气的接触面积有限，因此利用该装置制取氮化硅的生产效率不高，且由于反应箱体内本身即具有空气，导致反应箱体内的氨气浓度较低，这也会进一步影响反应效率。为此，我们提出了一种等离子体气相反应制备氮化硅装置以良好的解决上述弊端。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种等离子体气相反应制备氮化硅装置，用于解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
[0005]一种等离子体气相反应制备氮化硅装置，包括反应箱，所述反应箱的内部上段设有沿水平方向分布的第一隔板，所述反应箱的侧壁且位于第一隔板的上方设有进液管，所述反应箱的侧壁且位于第一隔板的下方设有进气管，且反应箱的底端设有出料管，所述第一隔板的顶面设有潜水泵，第一隔板的底面设有喷淋管，且喷淋管的底侧均匀设置有雾化喷嘴，所述潜水泵的出水端通过供液管道与喷淋管连通；所述反应箱的内部且位于第一隔板的下方滑动连接有可上下升降的活塞板，所述活塞板的底面设有排料管，且排料管上设置有电磁阀。
[0006]优选的，所述反应箱的内部且位于活塞板的下方设有第二隔板，所述第二隔板上贯穿开设有供所述排料管穿过的圆孔，且第二隔板的底面设有用于控制活塞板升降的驱动机构。
[0007]优选的，所述驱动机构包括伺服电机、主动齿轮以及齿条，所述伺服电机固定在第二隔板的底面上，且伺服电机的输出轴与主动齿轮同轴连接，所述齿条沿竖直方向分布且固定贴合在排料管的外壁上，所述主动齿轮与齿条啮合设置。
[0008]优选的，所述活塞板的底面垂直设有多根沿竖直方向分布的导向杆，所述导向杆贯穿第二隔板并延伸至第二隔板的下方，且导向杆的外侧套设有弹簧，所述弹簧的两端分别和活塞板的底面以及第二隔板的顶面贴合。
[0009]优选的，所述第一隔板的底面固定设置有抽气泵，所述抽气泵的出气端连接有软
管，所述软管远离抽气泵的一端通过管卡固定贴合在活塞板的顶面上。
[0010]与现有技术相比，本技术提供了一种等离子体气相反应制备氮化硅装置，具备以下有益效果：
[0011]1.本技术利用活塞板的移动可以改变进行化学反应的空间，从而提升氨气浓度，有助于提高化学反应的效率；
[0012]2.本技术中的氯化硅液体通过雾化喷头喷出，因此充分提高了氯化硅液体和氨气的接触面积，有助于提高生产氮化硅的效率。
附图说明
[0013]图1为本技术结构示意图；
[0014]图2为本技术排料管结构示意图。
[0015]图中：1、反应箱；2、第一隔板；3、进液管；4、进气管；5、出料管；6、潜水泵；7、喷淋管；8、供液管道；9、活塞板；10、排料管；11、第二隔板；12、圆孔；13、伺服电机；14、主动齿轮；15、齿条；16、导向杆；17、弹簧；18、抽气泵；19、软管。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]实施例：请参阅图1，一种等离子体气相反应制备氮化硅装置，包括反应箱1，反应箱1的内部上段设有沿水平方向分布的第一隔板2，反应箱1的侧壁且位于第一隔板2的上方设有进液管3，利用进液管3可以向反应箱1内部通入氯化硅液体，反应箱1的侧壁且位于第一隔板2的下方设有进气管4，利用进气管4可以向反应箱1内部通入氨气，且反应箱1的底端设有出料管5，第一隔板2的顶面设有潜水泵6，第一隔板2的底面设有喷淋管7，且喷淋管7的底侧均匀设置有雾化喷嘴，潜水泵6的出水端通过供液管道8与喷淋管7连通，即潜水泵6将反应箱1内部的氯化硅液体抽入喷淋管7中，然后再通过雾化喷嘴将氯化硅液体喷出；反应箱1的内部且位于第一隔板2的下方滑动连接有可上下升降的活塞板9，活塞板9的底面设有排料管10，且排料管10上设置有电磁阀，活塞板9和第一隔板2之间的空间，即为进行化学反应的空间，活塞板9的侧边贴合设有密封胶圈，作用是防止活塞板9上方的液体从活塞板9和反应箱1的内壁缝隙中泄露。
[0018]第一隔板2的底面固定设置有抽气泵18，抽气泵18的出气端连接有软管19，软管19远离抽气泵18的一端通过管卡固定贴合在活塞板9的顶面上，当活塞板9的上方积累一定氯化硅液体时，可利用抽气泵18将剩余的氨气通入氯化硅液体中，进一步提高反应效率。
[0019]请参阅1和图2，反应箱1的内部且位于活塞板9的下方设有第二隔板11，第二隔板11上贯穿开设有供排料管10穿过的圆孔12，且第二隔板11的底面设有用于控制活塞板9升降的驱动机构，驱动机构包括伺服电机13、主动齿轮14以及齿条15，伺服电机13固定在第二隔板11的底面上，且伺服电机13的输出轴与主动齿轮14同轴连接，齿条15沿竖直方向分布且固定贴合在排料管10的外壁上，主动齿轮14与齿条15啮合设置，因此，通过伺服电机13可
以控制活塞板9上下升降。活塞板9的底面垂直设有多根沿竖直方向分布的导向杆16，导向杆16贯穿第二隔板11并延伸至第二隔板11的下方，且导向杆16的外侧套设有弹簧17，弹簧17的两端分别和活塞板9的底面以及第二隔板11的顶面贴合，导向杆16的作用是提高活塞板9的稳定性，避免导向杆16产生倾斜，另外，弹簧17的自然长度大于第一隔板2和第二隔板11的间距，因此当活塞板9不受系统外力时，活塞板9与第一隔板2的间距为最小值。
[0020]综上所述，本技术在使用过程中，首先将氯化硅液体从进液管3中通入反应箱1内，然后再将氨气从进气管4中通入反应箱1内，且随着反应箱1内部的氨气浓度逐渐增加，活塞板9也会逐渐下降；当氯化硅液体和氨气都输送完毕后，开启潜水泵6，利用潜水泵6将氯化硅液体抽入喷淋管7中，然后再由喷淋管7底侧的雾化喷头喷出；当活塞板9的上方积累一定量的氯化硅液体时，可开启抽气泵18，将反应箱1内部的剩余氨气鼓入氯化硅液体中，从而进一步提高反应效率，带反应完成后，打开排料管10上的电磁阀以及出料管5上的阀门，倒出剩余的废液以及氮化硅生成物。
[0021]需要说明的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体气相反应制备氮化硅装置，包括反应箱(1)，其特征在于：所述反应箱(1)的内部上段设有沿水平方向分布的第一隔板(2)，所述反应箱(1)的侧壁且位于第一隔板(2)的上方设有进液管(3)，所述反应箱(1)的侧壁且位于第一隔板(2)的下方设有进气管(4)，且反应箱(1)的底端设有出料管(5)，所述第一隔板(2)的顶面设有潜水泵(6)，第一隔板(2)的底面设有喷淋管(7)，且喷淋管(7)的底侧均匀设置有雾化喷嘴，所述潜水泵(6)的出水端通过供液管道(8)与喷淋管(7)连通；所述反应箱(1)的内部且位于第一隔板(2)的下方滑动连接有可上下升降的活塞板(9)，所述活塞板(9)的底面设有排料管(10)，且排料管(10)上设置有电磁阀。2.根据权利要求1所述的一种等离子体气相反应制备氮化硅装置，其特征在于：所述反应箱(1)的内部且位于活塞板(9)的下方设有第二隔板(11)，所述第二隔板(11)上贯穿开设有供所述排料管(10)穿过的圆孔(12)，且第二隔板(11)的底面设有用于控制活塞板(9)升降的驱动机构。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，
申请(专利权)人：天津市瓦克新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：