用于改进的对准工艺集成的细长特征部制造技术

对准或覆盖以及其它工艺的改进的集成。诸如衬底之类的对准的半导体部件具有多个特征部，它们可包含于对准标记或覆盖特征部中。在对准特征部附近使用诸如实体模型化特征部之类的细长特征部。例如，可在对准区中采用线形实体模型化特征部，其中来自对准过程的光可与对准特征部和细长特征部两者相互作用。细长特征部可在与对准特征部相同或不同的层上。细长特征部和对准标记根据采用的照明模式（明视场、暗视场）来确定彼此相对的方向以提高对准特征部的对比度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景集成电路可通过形成一系列的图案化层来制造。可用于集成电路的制造的一种工艺是化学机械抛光(CMP)工艺。化学机械抛光工艺利用抛光系统和衬底(例如，晶片)表面之间的化学和物理相互作用来改进表面的平面度。CMP工艺中的一个关注点是将晶片在其整个表面上均匀地抛光，以获得期望的平面度。然而，具有较多特征部的衬底的区域一般以不同于具有较少特征部的区域的速率抛光。为了降低抛光不均匀性，可增加称为“实体模型化”特征部的特定特征部。图1示出包括规则排列的正方形特征部120的实体模型化栅格110。这些特征部可提供更均匀的特征部密度，但对于实际的电路设计是不需要的。因此，实体模型化可提高CMP工艺的均匀性。例如，CMP工艺可通过将实体模型化区的密度与其周围更精密地匹配来改进。然而，当在对准特征部附近使用时，证明特征部110是有问题的。对准特征部一般是由平板印刷系统用于确定与先前层的适当对准，以用与先前的图案化层的正确空间关系来图案化新层的一组平行线。利用明视场(视频)对准或暗视场(衍射)对准来检测对准特征部。采用这些方案中的任一种，位于对准特征部附近的特征部(诸如实体模型化特征部110)可与对准光相互作用，并阻止对准特征部的正确检测。结果，一般在对准特征部附近的区域省略实体模型化。 附图说明图1是实体模型化特征部的栅格。图2示出用于单轴对准的对准特征部。图3A示出具有诸如图2所示的对准特征部的对准区，它具有包含于对准区中的正方形实体模型化特征部。图3B示出基于诸如图3A所示的构造的归一化模拟对比度的曲线图。图4A示出根据现有技术的没有实体模型化的区域中的对准特征部。图4B示出基于诸如图4A所示的特征部的归一化模拟对比度的曲线图。图5A示出根据一个实现的可提供对准和制造工艺的改进集成的细长特征部。图5B示出根据一个实现的对准特征部和细长实体模型化特征部的实现。图5C示出基于如图5B所示的构造的归一化模拟对比度的曲线图。图6A示出包括四个实体模型化区的实现。图6B示出包括KLA覆盖标记特征部的图6A的实现。图7是特征部的周期阵列的横截面视图。图8A示出可与暗视场对准一起使用的细长特征部的实现。图8B示出用于Nikon对准系统的实体模型化特征部的实现。图8C示出用于ASML对准系统的实体模型化特征部的实现。在各个图中相似的参考符号指的是相似的元素。详细描述此处描述的系统和技术可允许对准和制造工艺的改进的集成。图2示出位于正方形实体模型化特征部220附近的对准特征部230A到230C(例如，沟槽)的示例。对准特征部230A到230C可用于对准平板印刷系统，以使连续的层以正确的空间关系图案化。对准特征部230A到230C具有线宽L(它可在约0.1微米到0.4微米之间或更多)，并可由具有约4到约20微米的宽度的间隔分隔。当然，可采用很多种其它的线和间隔宽度。在对准过程中，光沿一个或多个测量轴扫描。光与特征部230A到230C相互作用并在检测器中检测。在对准特征部附近的其它特征部也可与对准光相互作用，因此可使对准特征部的检测更困难。对准特征部230A到230C可限定一个对准区238，它覆盖由特征部230A和230C的外边缘231A和231C限定，并由从特征部230A的顶部232A延伸到特征部230C的顶部232C的线和从特征部230A的底部233A延伸到特征部230C的底部233C的线进一步限定的区域。对准区238延伸到先前的层，以及其中形成对准特征部的层。位于对准区238内的除对准特征部外的特征部(在当前层，或在先前层)可与对准光相互作用，并因此在对准过程中干扰对准特征部的检测。在一些实现中，可限定延伸的对准区235。延伸的对准区235在底部和顶部以对准区238的顶部和底部边界的延伸为边界，而在左侧以线236为边界，并在右侧以线237为边界。线236可以距离外边缘231A约S到2S的距离，而线237可以距离外边缘231C约S到2S之间的距离。延伸的对准区235同样延伸到先前层。延伸的对准区235内的特征部也可与对准光相互作用并使检测对准特征部更困难。例如，区域235中在线236和外边缘231A之间的部分内的特征部可干扰对准标记的边缘的检测。可采用明视场(视频)或暗视场(衍射)对准来实现对准。在明视场对准中，对准特征部被照亮，且利用所检测的图像来确定对准。在暗视场对准中，相干光(例如，来自于激光源的光)入射到对准特征部上。检测所得的衍射图，并利用它来确定平板印刷系统的对准。对准标记可称为单轴或双轴对准标记。单轴标记用于在单一方向(例如，x或y方向)上对准平板印刷系统。为了在x和y两个方向(或等效地，在两个平行方向上，使得这两个方向覆盖对准平面)上对准系统，可采用两个单轴标记。双轴对准标记可用于在两个方向(例如，x和y方向，或覆盖对准平面的其它方向)上对准平板印刷系统。图3A示出一个示例，其中细长的对准特征部包括单轴明视场对准沟槽330A到330C，且其中在对准特征部附近使用实体模型化特征部320。在图3A中，亮区表示线或高起区，而暗区表示诸如孔或沟槽等凹陷区。注意，术语“附近”不仅应用于与对准特征部相同的层上的实体模型化特征部，而且应用于先前层中的实体模型化特征部。在对准过程中，实体模型化特征部在对准特征部“附近”(如果如此放置)，它与对准光相互作用并生成可由配置成检测对准特征部的检测器接收。例如，实体模型化特征部320包含于对准区338中(以及区域338的外部)。实体模型化特征部320可在与对准沟槽330A到330C相同的层上，或者在不同的(例如，先前的)层上。对准区338中的实体模型化特征部320可导致对比度改变，这干扰了检测对准特征部的能力。上述的一个例子示于图3B中。图3B示出诸如叠加在50％密度的正方形实体模型化栅格上的图3A的沟槽330A到330C之类的三个对准沟槽的明视场对比信号模拟。由实体模型化栅格生成的信号使检测对准标记的位置比没有实体模型化特征部的对准区困难。图4A和4B示出解决上述问题的方案。图4A示出没有实体模型化特征部的延伸的对准区435。注意，在图4A的实现中，区域435比类似于图2的对准区238限定的对准区438大。即，对于比由对准特征部自身限定的区域大的区域省略实体模型化特征部。图4B示出通过在y方向上合并图4A的图像获得的明视场对比信号模拟。如图4B所示，可通过在对准特征部附近省略实体模型化区来减小或消除实体模型化区的影响。虽然这允许更容易地检测对准特征部，但它可形成由于工艺改变的问题而引起的工艺集成问题。例如，CMP工艺可使区域435比周围区域和在区域435和晶片的周围部分之间的界面处抛光更多，导致区域435中的凹陷和其它缺陷。图5A示出在不过度地牺牲对准特征部检测的情况下允许改进的工艺集成的多个细长特征部525的实现。注意，虽然特征部525可用于实体模型化特征部，但以下描述适用于可位于对准特征部附近的其它特征部。然而，在以下讨论中，特征部525称为实体模型化特征部，因为它们可用于实体模型化。实体模型化特征部525是细长的即，其长尺寸(例如，长度)比其短尺寸(例如，宽度)大。例如，细长的实体模型化特征部的长度至少是其宽度的三倍。当然，长尺寸与宽尺寸之比可以更大，例如，10比1。实体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在一个或多个半导体部件上形成多个细长特征部，所述细长特征部各自具有相关联的长尺寸和相关联的短尺寸，所述相关联的长尺寸大于所述相关联的短尺寸；以及在所述一个或多个半导体部件中的至少一个上形成多个对准特征部，所述多个对准特征部限定一对准区，所述对准区在平面中以第一外部对准特征部和第二外对部准特征部为边界并向下的延伸，其中所述多个细长特征部中的至少一个的一部分包含于所述对准区中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-6-23 10/875,0811.一种方法，包括在一个或多个半导体部件上形成多个细长特征部，所述细长特征部各自具有相关联的长尺寸和相关联的短尺寸，所述相关联的长尺寸大于所述相关联的短尺寸；以及在所述一个或多个半导体部件中的至少一个上形成多个对准特征部，所述多个对准特征部限定一对准区，所述对准区在平面中以第一外部对准特征部和第二外对部准特征部为边界并向下的延伸，其中所述多个细长特征部中的至少一个的一部分包含于所述对准区中。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述细长特征部包括形成于衬底上的实体模型化特征部。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个细长特征部中的一个或多个至少部分地位于第一对准特征部和第二对准特征部之间。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个对准特征部形成于当前层上，且其中所述多个细长特征部中的一个或多个形成于先前层上。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述细长特征部是线形的。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述细长特征部中的每一个具有相应的线宽，且其中所述细长特征部中的至少一个具有不同于所述细长特征部中的不同的一个的相应线宽。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，邻近的细长特征部由具有对应的间隔宽度的间隔分隔。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，对于第一对邻近的细长特征部的第一相应间隔宽度不同于对于第二对邻近的细长特征部的第二相应间隔宽度。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对准特征部被构造成确定平板印刷系统的对准参数。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对准特征部被构造成确定覆盖参数。11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个半导体部件包括掩模、光罩和衬底中的至少一个。12.一种方法，包括将光发射到具有沿第一轴的长尺寸和短尺寸的多个细长对准特征部，其中所述发射的光在对准过程中与所述多个对准特征部相互作用；将光发射到各自具有沿长轴的相关联的长尺寸和相关联的短尺寸的多个细长特征部，其中所述光在对准过程中与所述多个细长特征部中的至少一个相互作用；接收与所述多个对准特征部相互作用的光以及与所述多个细长特征部相互作用的光作为接收光；以及基于所述接收光来确定对准参数。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述接收光从所述多个对准特征部中的至少一个反射。14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述接收光包...

【专利技术属性】
技术研发人员：K休金斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]