【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种发光元件,尤其关于一种具有微反射结构载体的发光元件。
技术介绍
发光元件的应用颇为广泛,例如,可应用于光学显示装置、激光二极管、交通标志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。在此技艺中,目前技术人员重要课题之一为如何提高发光元件的发光效率。于美国专利公开第2002/0017652号中,公开一种具有埋藏式微反射结构AlGalnP发光元件,如图1所示,其利用蚀刻技术,将一发光元件的外延生长层(磊晶层)蚀刻成一微反射结构,该微反射结构包含半圆球形、金字塔形或角锥形等,接着沉积一金属反射层于该外延生长层上,再将微反射结构外延生长层的顶端与一导电载体(硅晶片)键结在一起,再移除原先外延生长层的不透明基板,使得射向该不透明基板的光线可以射出。该微反射结构可将射向反射结构的光线经由反射带出,以提高发光元件的亮度。由于该发光元件仅靠反射结构的顶端与该载体局部相接合,接触面积较小,此结构的机械强度不够强,易造成接合面剥离。另外,对外延生长层进行蚀刻形成该微反射结构,因此该外延生长层必须成长到足够的厚度,否则蚀刻形成的微反射结构,无法达成光反射的功能,但是厚外延生长层成长需花费较长的时间,不仅耗时,成本也相对提高。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种具有微反射结构载体的发光元件,该发光元件具有一微反射结构载体,该微反射结构载体是利用蚀刻技术,将一载体蚀刻成具有微反射结构的载体,该微反射结构包含半圆球形、金字塔形或角锥形,再于该载体上形成一反射层,再利用一透明粘接层与一发光叠层粘接在一起;其中不需耗时进行外延生长程序,仅利用一载体便可达 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有微反射结构载体的发光元件,包含一微反射结构载体;一反射层,形成于该微反射结构载体之上;一透明粘接层,形成于该反射层之上;以及一发光叠层,形成于该透明粘接层之上。2.如权利要求1所述的一种具有微反射结构载体的发光元件,其中于该反射层与该透明粘接层之间还包含一第一反应层。3.如权利要求1所述的一种具有微反射结构载体的发光元件,其中于该透明粘接层与该发光叠层之间还包含一第二反应层。4.如权利要求1所述的一种具有微反射结构载体的发光元件,其中于该发光叠层的同一正面形成一第一电极及一第二电极。5.如权利要求1所述的一种具有微反射结构载体的发光元件,其中分别于该发光叠层的正面及微反射结构载体反面形成一第一电极及一第二电极。6.一种具有微反射结构载体的发光元件,包含一微反射结构载体;形成于该微反射结构载体上的一反射层;形成于该反射层上的一第一反应层;形成于该第一反应层上的一透明粘结层;形成于该透明粘结层上的一第二反应层;形成于该第二反应层上的一透明导电层,其中,该透明导电层的上表面包含一第一表面区域与一第二表面区域;形成于该第一表面区域上的一第一接触层;形成于该第一接触层上的一第一束缚层;形成于该第一束缚层上的一发光层;形成于该发光层上的一第二束缚层;形成于该第二束缚层上的一第二接触层;形成于该第二表面区域上的一第一接线电极;以及形成于该第二接触层上的一第二接线电极。7.一种具有微反射结构载体的发光元件,包含一微反射结构载体;形成于该微反射结构载体上的一反射层;形成于该反射层上的一第一反应层;形成于该第一反应层上的一透明粘结层;形成于该透明粘结层上的一第二反应层;形成于该第二反应层上的一透明载体;形成于该透明载体上的一透明导电层,其中,该透明导电层的上表面包含一第一表面区域与一第二表面区域;形成于该第一表面区域上的一第一接触层;形成于该第一接触层上的一第一束缚层;形成于该第一束缚层上的一发光层;形成于该发光层上的一第二束缚层;形成于该第二束缚层上的一第二接触层;形成于该第二表面区域上的一第一接线电极;以及形成于该第二接触层上的一第二接线电极。8.一种具有微反射结构载体的发光元件,包含一微反射结构导电载体;形成于该微反射结构导电载体上的一反射层;形成于该反射层上的一第一反应层;形成于该第一反应层上的一透明导电粘结层;形成于该透明导电粘结层上的一第二反应层;形成于该第二反应层上的一透明导电层;形成于该透明导电层上的一第一接触层;形成于该第一接触层上的一第一束缚层;形成于该第一束缚层上的一发光层;形成于该发光层上的一第二束缚层;形成于该第二束缚层上的一第二接触层;形成于该微反射结构载体下表面上的一第一接线电极;以及形成于该第二接触层上的一第二接线电极。9.如权利要求1、6、7或8所述的一种具有微反射结构载体的发光元件,其中该微反射结构形状,包含选自半圆球形、金字塔形或角锥形所构成形状中的至少一种形状或其他可替代的形状。10.如权利要求1、6或7所述的一种具有微反射结构载体的发光元件,其中该微反射结构载体,包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、Si、SiC、玻璃、BN、AlN或Ge所构成材料组群中的至少一种材料或其他可替代的材料。11.如权利要求8所述的一种具有微反射结构载体的发光元件,其中该微反射结构导电载体,包含选自...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢明勋,刘文煌,
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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