加热处理装置和加热处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种加热处理装置，使用该加热处理装置，即使是大型的基板，也能够可靠地防止基板发生破损，同时还能够提高总处理能力。该加热处理装置（２８）具备：作为把基板Ｇ朝着一个方向搬送的搬送通路的滚子搬送机构（５）、和对在搬送通路上搬送的基板Ｇ进行加热的加热机构（７）。加热机构（７）由沿着搬送通路从搬送方向上游侧依次在上述外壳内设置的预备加热部（７ａ）以及主加热部（７ｂ）所构成。主加热部（７ｂ）被设定为第一温度，预备加热部（７ａ）被设定为比第一温度高的第二温度。在预备加热部（７ａ）中把基板加热至第一温度附近之后，在主加热部中（７ｂ）按第一温度进行加热。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对平面显示器(FPD)用的玻璃基板等的基板实施加热处理的加热处理装置、加热处理方法、控制程序、计算机可读取的存储介质。
技术介绍
在FPD的制造中，为了在FPD用的玻璃基板上形成电路图案而使用光刻技术。采用光刻技术形成电路图案是按照如下顺序进行，即在玻璃基板上涂敷抗蚀液而形成抗蚀剂膜，对抗蚀剂膜进行露光以使它与电路图案对应，最后对它进行显影处理。在光刻技术中，一般情况下是在形成抗蚀剂膜之后以及显影处理之后，为了使抗蚀剂膜干燥而对玻璃基板实施加热处理。在这种加热处理过程中使用一种加热处理装置，该加热处理装置具备载置玻璃基板并对基板进行加热的加热板；和能够从加热板上升降使其突出以及缩回，并且把被搬送手臂握着而搬送的玻璃基板放在加热板上的升降销(例如参照专利文献1、2、3)。但是，最近，随着人们对超大FPD的追求，出现了一个边长为2米以上的巨大玻璃基板，随着玻璃基板的大型化，处理性能降低。因此，如果使用上述传统的加热处理装置，那么，如果玻璃基板是大型基板，由于在搬送手臂与升降销之间或者升降销与加热板之间进行搬送时产生的冲击，基板可能会发生破损。另外，通常情况下，加热板的温度控制应答性较差，并被保持在规定的温度，因此，如果使用上述的传统加热处理装置，那么，从玻璃基板被载置在加热板上直至到达所设定的温度，需要花费相当长的时间。而且，由于搬送加热处理前后的玻璃基板也需要更多的时间，因此该加热处理装置的总处理能力低。专利文献1日本特开2002-231792号公报专利文献2日本特开2001-196299号公报专利文献3日本特开平11-204428号公报专利
技术实现思路
本专利技术是鉴于相关事实而专利技术出来的，它的目的在于提供一种加热处理装置、加热处理方法、控制程序、计算机可读取的存储介质，通过本专利技术，即使是大型的基板，也能够确实防止基板的破损，同时，还能够提高总处理能力。为了解决上述课题，本专利技术提供一种加热处理装置，其特征在于，它是一种对基板实施加热处理的加热处理装置，它具备朝着一个方向搬送基板的搬送通路、对在上述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构。上述加热机构沿着上述搬送通路从搬送方向上游侧依次设置预备加热部和主加热部，上述主加热部被设定为第一温度，上述预备加热部被设定为比上述第一温度高的第二温度，在上述预备加热部中把基板加热至上述第一温度附近之后，在上述主加热部中，按上述第一温度进行加热。另外，本专利技术提供一种加热处理装置，其特征在于，它是一种对基板实施加热处理的加热处理装置，它具备朝着一个方向搬送基板的搬送通路、围绕上述搬送通路而设置的外壳、在上述外壳内对在上述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构。上述加热机构沿着搬送通路从搬送方向上游侧依次在上述外壳内设置预备加热部以及主加热部，上述主加热部被设定为第一温度，上述预备加热部被设定为比上述第一温度高的第二温度，在上述预备加热部中把基板加热至上述第一温度附近之后，在上述主加热部中，按上述第一温度进行加热。在本专利技术中，优选在上述外壳的搬送方向两端分别设置对上述外壳内进行排气的排气机构，在这种情况下优选在上述外壳的搬送方向中央部，设置对上述外壳内进行吸气的吸气机构。在上述本专利技术中，优选配置上述预备加热部，使得在上述搬送通路上搬送的基板在被加热到上述第一温度附近时通过。另外，在上述本专利技术中，上述主加热部被设定为上述第一温度，从而使搬送方向下游侧的温度高于搬送方向上游侧的温度。上述预备加热部被设定为上述第二温度，从而使搬送方向上游侧的温度高于搬送方向下游侧的温度。再者，在上述本专利技术中，优选上述主加热部以及上述预备加热部分别被设定为上述第一温度以及上述第二温度，从而使上述搬送通路的宽度方向两侧部的温度比上述搬送通路的宽度方向中央部高。本专利技术提供一种加热处理装置，其特征在于，它是一种对基板实施加热处理的加热处理装置，它具备朝着一个方向搬送基板的搬送通路、对在上述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构、控制上述加热机构的控制部。上述加热机构沿着上述搬送通路从搬送方向上游侧顺次设置预备加热部和主加热部，上述控制部控制上述加热机构，它将上述主加热部设定为第一温度，将上述预备加热部设定为比上述第一温度高的第二温度，基板在上述预备加热部中被加热至上述第一温度左右之后，在上述主加热部中按上述第一温度被加热。在本专利技术中，上述控制部将上述主加热部设定为上述第一温度，以使搬送方向下游侧的温度比搬送方向上游侧的温度高，将上述预备加热部设定为上述第二温度，以使搬送方向上游侧的温度比搬送方向下游侧的温度高。上述控制部优选分别将上述主加热部以及上述预备加热部设定为上述第一温度以及上述第二温度，从而使上述搬送通路的宽度方向两侧部的温度比上述搬送通路的宽度方向中央部的温度高。再者，本专利技术提供一种加热处理方法，其特征在于，该方法使用加热处理装置对于在沿着搬送通路朝一个方向搬送的基板实施加热处理，该加热处理装置沿着上述搬送通路，从搬送方向上游侧顺次配置预备加热部和主加热部，将上述主加热部设定为第一温度，同时，将上述预备加热部设定为高于上述第一温度的第二温度，在上述预备加热部中将基板加热至接近上述第一温度之后，在上述主加热部中按上述第一温度进行加热。再者，本专利技术提供一种控制程序，其特征在于，在计算机上运行该程序时，通过计算机来控制处理单元，从而实施上述加热处理方法。再者，本专利技术提供一种计算机可读取的存储介质，其特征在于，它是一种存储着在计算机上运行的控制程序的计算机可读取的存储介质，上述控制程序在运行时，通过计算机来控制处理单元，从而实施上述加热处理方法。根据本专利技术，由于它是对于沿着搬送通路朝一个方向搬送的基板实施加热处理，因此，搬送所产生的冲击不会作用在基板上，这样就能够同时进行基板的搬送和加热，而且，由于沿着搬送基板的搬送通路，从搬送方向上游侧顺次配置预备加热部和主加热部，将主加热部设定为第一温度，同时，将预备加热部设定为高于第一温度的第二温度，在预备加热部中将基板加热至接近第一温度之后，在主加热部中按第一温度进行加热，所以，例如，通过预备加热部的加热使基板的温度迅速上升至规定的温度之后，能够通过主加热部的加热而保持在规定的温度，因此，与传统的加热处理技术相比，能够大大缩短加热时间。因此，即使基板是超大基板，也能确实防止基板发生破损，同时还能够提高总处理能力。附图说明图1实施在FPD用的玻璃基板上的抗蚀剂膜的形成以及露光处理后的抗蚀剂膜的显影处理的、具备本专利技术所涉及的加热处理装置的抗蚀剂涂敷、显影处理系统的平面简图。图2加热处理装置的平面方向的断面图。图3加热处理装置的侧面方向的断面图。图4构成加热处理装置的第一以及第二平板加热器的平面简图。图5第一以及第二平板加热器的控制系统的概念图。图6说明利用加热处理装置对基板进行加热处理的示意图。图7第一以及第二平板加热器的控制系统的其它例子的概念图。图8说明构成加热处理装置的预备加热部以及主加热部的加热温度分布的模式图。28、31加热处理装置(加热处理装置)5滚子搬送机构6外壳 7加热机构7a预备加热部7b主加热部61搬入口62搬出口67排气口68排气单元69吸气口104加热器控制器(控制部)G基板具体实施方式下面，参照附图对本专利技术的实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加热处理装置，用于对基板实施加热处理，其特征在于，包括；朝着一个方向搬送基板的搬送通路；和对在所述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构，其中所述加热机构沿着所述搬送通路从搬送方向上游侧依次设置有预备加热部和主加 热部，所述主加热部被设定在第一温度，所述预备加热部被设定在比所述第一温度高的第二温度，在所述预备加热部中将基板加热至所述第一温度附近之后，在所述主加热部中，按所述第一温度进行加热。

【技术特征摘要】
JP 2005-12-6 2005-3521311.一种加热处理装置，用于对基板实施加热处理，其特征在于，包括；朝着一个方向搬送基板的搬送通路；和对在所述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构，其中所述加热机构沿着所述搬送通路从搬送方向上游侧依次设置有预备加热部和主加热部，所述主加热部被设定在第一温度，所述预备加热部被设定在比所述第一温度高的第二温度，在所述预备加热部中将基板加热至所述第一温度附近之后，在所述主加热部中，按所述第一温度进行加热。2.一种加热处理装置，用于对基板实施加热处理，其特征在于，包括朝着一个方向搬送基板的搬送通路；围绕所述搬送通路而设置的外壳；在所述外壳内对在所述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构，其中，所述加热机构沿着所述搬送通路从搬送方向上游侧依次在所述外壳内设置有预备加热部以及主加热部，所述主加热部被设定在第一温度，所述预备加热部被设定在比所述第1温度高的第二温度，在所述预备加热部中将基板加热至所述第一温度附近之后，在所述主加热部中，按所述第一温度进行加热。3.根据权利要求2所述的加热处理装置，其特征在于在所述外壳的搬送方向两端部分别设置对所述外壳内进行排气的排气机构。4.权利要求3所述的加热处理装置，其特征在于在所述外壳的搬送方向中央部，设置对所述外壳内进行吸气的吸气机构。5.根据权利要求1至4中任一项所述的加热处理装置，其特征在于配置所述预备加热部，使得在所述搬送通路上搬送的基板被加热到所述第一温度附近时通过。6.根据权利要求1至4中任一项所述的加热处理装置，其特征在于所述主加热部被设定在所述第一温度，从而使搬送方向下游侧的温度高于搬送方向上游侧的温度，所述预备加热部被设定在所述第二温度，从而使搬送方向上游侧的温度高于搬送方向下游侧的温度。7.根据权利要求1至4中任一项所述的加热处理装置，其特征在于所述主加热部以及所述预备加热部分别被设定在所述第一温...

【专利技术属性】
技术研发人员：相马康孝，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]