【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，尤其是一种半导体电容。
技术介绍
在现在的CMOS/BiCMOS工艺中，PiP(Poly-Insulator-Poly)电容和N阱电容结构都已广泛被作为电容器件使用。图1为已有技术中PIP电容结构示意图。如图1所示，该电容包括作为电容下极板的底层多晶硅31和作为电容上极板的上层多晶硅32，该两层多晶硅中间填充有绝缘体介质，底层多晶硅31和上层多晶硅32通过填充有金属材料的接触孔33分别与金属层34相连接。图4为一种制作PIP电容的版图。如图4所示，在一般的CMOS/BiCMOS工艺中，制作上述PIP电容的版图中，1为底层多晶硅，2为上层多晶硅，3为接触孔，4为金属层。图2为已有技术中N阱电容结构示意图。如图2所示，该电容包括设置在P型衬底41上的作为电容下极板的N阱42，N阱42上设置有N型扩散区“N+”43，该N型扩散区外侧设置有场隔离44，并且N型扩散区通过接孔空46和金属层47相连接，N阱42上设置有作为该电容上极板的多晶硅45，并在N阱42和多晶硅45之间填充有绝缘体介质，多晶硅45通过接触孔48和金属层47相连接。图5为一种制作Nwell Gate电容的版图。如图5所示，在一般的CMOS/BiCMOS工艺中，制作上述Nwell Gate电容的版图中，1为底层多晶硅，3为接触孔，4为金属层，5为N型扩散区“N+”，6为N阱。但在已有技术种，一般PiP电容会被独立形成在场区，而N阱电容一般也被单独形成。作为大电容使用时，由于单位面积电容的限制，相同的电容往往要占用较大电路面积，提高了生产成本。
技术实现思路
本专利技术所...
【技术保护点】
一种半导体电容，其特征在于，包括以层叠形式相互并联的一个ＰＩＰ电容和一个Ｎ阱电容。
【技术特征摘要】
1.一种半导体电容，其特征在于，包括以层叠形式相互并联的一个PIP电容和一个N阱电容。2.根据权利要求1所述的半导体电容，其特征在于，N阱电容的P型衬底上设置有N阱，N阱上设有N型扩散区，该N型扩散区外侧有场隔离，并且N型扩散区通过填充...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐向明，李平梁，龚顺强，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。