N沟道大功率半导体恒电流二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种Ｎ沟道大功率半导体恒电流二极管及其制作方法，利用结型场效应管ＪＦＥＴ作为小电流恒流源，向担任电流扩展的双极型晶体管提供恒定基极电流，经过双极型晶体管成比例（线性）放大（扩展）成为大恒定电流。本发明专利技术的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，不是集成电路和电子模块（组件）的技术。本发明专利技术具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能，而且结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点，表现于现有二极管的一些技术特征，也可以作为恒电流电源直接驱动负载。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Ｎ沟道大功率半导体恒电流二极管制作方法，其特征在于：在Ｎ型半导体衬底（２）上扩散出一个Ｐ型半导体区域（６）和一个Ｐ型半导体区域（３），在Ｐ型半导体区域（６）和Ｐ型半导体区域（３）之间形成Ｎ型半导体（４）作为Ｎ型沟道结型场效应管ＪＦＥＴ；在Ｎ型半导体（４）沟道上扩散Ｎ＋型半导体区域（７），将Ｐ型半导体区域（３）、Ｎ＋型半导体区域（７）、Ｐ型半导体区域（６）通过金属电极（８）互连，形成小电流恒流源；在Ｐ型半导体区域（３）上扩散出Ｎ＋型半导体（５），Ｎ＋型半导体（５）连接金属电极（９）作为负极，Ｎ型半导体衬底（２）下面连接金属电极（１）作为正极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桥，
申请(专利权)人：贵州大学，
类型：发明
国别省市：52[中国|贵州]