形成纳米簇电荷存储器件的方法技术

通过使用覆盖纳米簇（２４）的中间双多晶硅氮化物控制电极叠层来形成多个存储单元器件。该叠层包括第一成型多晶硅氮化物层（１２６）和第二成型含多晶硅层（２８）。从包含该多个存储单元的区域中去除第二成型含多晶硅层。在一种形式中，第二成型含多晶硅层还包括也将被去除的氮化物部分，由此留下第一成型多晶硅氮化物层用于存储单元器件。在另一种形式中，第二成型含多晶硅层不包含氮化物，而第一成型多晶硅氮化物层的氮化物部分也被去除。在后一种形式中，后面的氮化物层形成在剩下的多晶硅层（２８）之上。保护该器件的顶部免遭氧化。在该存储单元外围的器件的栅电极也使用第二成型含多晶硅层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于形成纳米簇电荷存储器件的方法，包括：提供具有与纳米簇电荷存储器件关联的第一掺杂阱和与没有纳米簇的半导体器件关联的第二掺杂阱的衬底；形成第一栅极叠层，该第一栅极叠层覆盖在第一掺杂阱上并具有形成第一栅极叠层中的栅电极的第 一导电栅极材料层，第一导电栅极材料层覆盖多个内嵌在第一栅极介电层中的纳米簇，第一导电栅极材料层位于一部分第二导电栅极材料层之下；形成覆盖第二掺杂阱的第二栅极叠层，其中使用第二导电栅极材料层中覆盖第二掺杂阱的部分作为第二栅极叠层中的栅 电极，去除第二导电栅极材料层中覆盖在第一导电栅极材料层上的部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉杰施A劳，拉马钱德兰穆拉利德哈，罗伯特F斯蒂姆勒，高里山卡尔L钦达罗尔，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]