半导体基板制造方法及半导体装置制造方法、半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够制造较小的半导体基板的大小（面积）的半导体基板的制造方法以及半导体装置的制造方法、半导体装置。半导体基板（４１）的制造方法，首先，在第一元件分离层（１２）和ＳＯＩ元件形成区域（１３）的边界上形成第一支承体孔（２１）以及第二支承体孔（２２）。接着，形成支承体形成层（２７）以覆盖支承体孔（２１、２２）中以及硅层（１６）上，之后形成支承体（２６）。通过在边界上形成第一支承体孔（２１）以及第二支承体孔（２２），能够减小支承体孔（２１、２２）在ＳＯＩ元件形成区域（１３）中所占的面积。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基材上形成分离元件区域和其它区域的第一元件分离层的工序；在所述半导体基材上形成第一半导体层的工序；在所述第一半导体层上形成蚀刻的选择比小于所述第一半导体层的第二半导 体层的工序；除去所述第二半导体层以及所述第一半导体层中相当于支承体孔的区域的部分而形成所述支承体孔的工序；在所述半导体基材上覆盖所述支承体孔以及所述第二半导体层而形成支承体形成层的工序；留下包括所述支承体孔和所述元件 区域的区域，对其它部分进行蚀刻，由此形成使支承体以及位于所述支承体下方的所述第一半导体层及所述第二半导体层的端部的一部分露出的露出面的工序；经由所述露出面对所述第一半导体层进行蚀刻，由此在所述元件区域的所述第二半导体层和所述半导体基 材之间形成空洞部的工序；在所述空洞部内形成埋入绝缘层的工序；和对所述第二半导体层的上方进行平坦化处理，除去位于所述第二半导体层上的所述支承体的一部分的工序，形成所述支承体孔的工序，在所述元件区域和所述第一元件分离层的 边界上形成第一支承体孔。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：原寿树，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]