在基材表面上以气相沉积制备硅层的方法技术

本发明专利技术涉及一种从基于硅的前体开始以气相沉积在基材表面上制备硅层的方法，其特征在于，使用四氯化硅作为前体。此外，本发明专利技术还涉及应用本发明专利技术方法制得的薄层太阳能电池或结晶硅薄层太阳能电池。本发明专利技术还涉及四氯化硅在制备基材上的经气相沉积的层中的应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种从基于硅的前体开始通过气相沉积在基材表面上制备硅层的方法，其特征在于，使用四氯化硅作为前体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R桑南舍恩，H劳勒德，HJ霍恩，S勒伯，N施林杰，
申请(专利权)人：德古萨公司，弗劳恩霍弗实用研究促进协会，
类型：发明
国别省市：DE[德国]