确定DRAM自刷新次数的方法及装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种确定DRAM自刷新次数的方法及装置，通过向DRAM中的目标字线连接的目标存储单元写入数据，控制DRAM从预设字线开始按照预设规则开始自刷新；根据在经过自刷新后是否能够从目标存储单元中准确读取到数据，确定刷新到目标字线的中间自刷新次数；根据中间自刷新次数控制DRAM从目标字线开始，按照预设规则自刷新，并根据经过自刷新后是否能够从目标存储单元中准确读取到数据，最终确定DRAM的自刷新次数。本申请实施例能够准确地确定DRAM的自刷新次数，进而能够根据自刷新次数对DRAM进行更为有效的评估与测试，提高对DRAM的分析能力。的分析能力。的分析能力。

【技术实现步骤摘要】
确定DRAM自刷新次数的方法及装置


[0001]本申请涉及存储器
，尤其涉及一种确定动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)自刷新次数的方法及装置。

技术介绍

[0002]DRAM是一种动态随机存取存储器，在DRAM中设置有多个存储单元，每个存储单元均可分别在电容内存储电荷的多少来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。
[0003]现有技术中，DRAM存储单元由于器件特性存在漏电现象，使得电容中所存储的电荷量会随着漏电现象而发生变化。因此，DRAM需要不断对存储单元进行自刷新处理，来维持存储单元的电容中所存储的电荷量。例如，DRAM可以根据其多个存储单元所连接的多条字线，根据预设规则，从预设字线开始依次对所述DRAM中的多条字线进行循环自刷新。
[0004]而如何确定DRAM的自刷新次数(refresh counter)，是本领域亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种确定DRAM自刷新次数的方法及装置，能够准确地确定DRAM的自刷新次数，进而能够根据自刷新次数对DRAM进行更为有效的评估与测试，提高对DRAM的分析能力。
[0006]本申请第一方面提供一种确定DRAM自刷新次数的方法，其中，所述DRAM被配置为根据预设规则，从预设字线开始依次对所述DRAM中的多条字线进行循环自刷新；所述方法包括：向所述多条字线中的目标字线所连接的目标存储单元写入数据；控制所述DRAM从所述预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行自刷新，并根据经过多次自刷新后是否能从所述目标存储单元中读取所述数据，确定中间自刷新次数；其中，所述中间自刷新次数为所述DRAM按照所述预设规则，从所述预设字线开始进行自刷新，刷新到所述目标字线的次数；根据所述中间自刷新次数，控制所述DRAM从所述目标字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行自刷新，并根据经过自刷新后是否能从所述目标存储单元中读取所述数据，确定所述DRAM的自刷新次数；其中，所述自刷新次数为所述DRAM按照所述预设规则，从所述目标字线开始进行自刷新，再次刷新到所述目标字线的次数。
[0007]在本申请第一方面一实施例中，所述控制所述DRAM从预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行自刷新，并根据经过多次自刷新后是否能从所述目标存储单元中读取所述数据，确定中间自刷新次数，包括：在第一时间间隔后，控制所述DRAM从所述预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行x次自刷新；在第x次自刷新完成第二时间间隔后，判断是否能从所述目标存储单元中读取所述数据；若是，则确定所述x为所述中间自刷新次数；若否，则对x进行修改后，根据修改后的x再次确定所述中间自刷新次数。
[0008]在本申请第一方面一实施例中，所述根据所述中间自刷新次数，控制所述DRAM从所述目标字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行自刷新，并根据经过自刷新后
是否能从所述目标存储单元中读取所述数据，确定所述DRAM的自刷新次数，包括：控制所述DRAM从预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行所述中间自刷新次数的自刷新；在第三时间间隔后，控制所述DRAM从所述目标字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行y次自刷新；在第y次自刷新完成第四时间间隔后，判断是否能从所述目标存储单元中读取所述数据；若是，则确定所述y为所述DRAM的自刷新次数；若否，则对y进行修改后，根据修改后的y再次确定所述中间自刷新次数。
[0009]在本申请第一方面一实施例中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔之和等于所述存储单元的电荷保持时间的1.2～1.8倍；所述第一时间间隔小于所述存储单元的电荷保持时间；所述第二时间间隔小于所述存储单元的电荷保持时间。
[0010]在本申请第一方面一实施例中，所述第三时间间隔和所述第四时间间隔之和等于所述存储单元的电荷保持时间的1.2～1.8倍；所述第三时间间隔小于所述存储单元的电荷保持时间；所述第四时间间隔小于所述存储单元的电荷保持时间。
[0011]在本申请第一方面一实施例中，所述对x进行修改，包括：将x的取值加上常数a后，得到修改后的x；其中，0≤x≤A，a为大于0的自然数。
[0012]在本申请第一方面一实施例中，所述对y进行修改，包括：将y的取值加上常数b后，得到修改后的y；其中，0≤b≤B，b为大于0的自然数。
[0013]在本申请第一方面一实施例中，所述方法还包括：从所述DRAM的存储单元中，确定在常温状态下电荷保持时间等于预设电荷保持时间的存储单元为所述目标存储单元。
[0014]本申请第二方面提供一种确定DRAM自刷新次数的装置，可用于执行如本申请第一方面提供的方法，该装置包括：写入模块，用于向所述DRAM的存储单元写入数据；读取模块，用于从所述DRAM的存储单元读取数据；自刷新模块，用于按照预设规则对所述DRAM的多条字线进行自刷新；确定模块，用于通过所述写入模块向所述多条字线中的目标字线所连接的目标存储单元写入数据；通过所述自刷新模块从预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行自刷新，并根据经过多次自刷新后是否能通过所述读取模块从所述目标存储单元中读取所述数据，确定中间自刷新次数；其中，所述中间自刷新次数为所述DRAM按照所述预设规则，从所述预设字线开始进行自刷新，刷新到所述目标字线的次数；所述确定模块还用于，根据所述中间自刷新次数，控制所述DRAM从所述目标字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行自刷新，并根据经过自刷新后是否能通过所述读取模块从所述目标存储单元中读取所述数据，确定所述DRAM的自刷新次数；其中，所述自刷新次数为所述DRAM按照所述预设规则，从所述目标字线开始进行自刷新，再次刷新到所述目标字线的次数。
[0015]在本申请第二方面一实施例中，所述确定模块具体用于，在第一时间间隔后，控制所述自刷新模块从所述预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行x次自刷新；在第x次自刷新完成第二时间间隔后，判断是否能通过所述读取模块从所述目标存储单元中读取所述数据；若是，则确定所述x为所述中间自刷新次数；若否，则对x进行修改后，根据修改后的x再次确定所述中间自刷新次数。
[0016]在本申请第二方面一实施例中，所述确定模块具体用于，控制所述自刷新模块从预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行所述中间自刷新次数的自刷新；在第三时间间隔后，控制所述DRAM从所述目标字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行y次自刷新；在第y次自刷新完成第四时间间隔后，判断是否能通过所述读取模块从所
述目标存储单元中读取所述数据；若是，则确定所述y为所述DRAM的自刷新次数；若否，则对y进行修改后，根据修改后的y再次确定所述中间自刷新次数。
[0017]在本申请第二方面一实施例中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔之和等于所述存储单元的电荷保持时间的1.2～1.8倍；所述第一时间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种确定DRAM自刷新次数的方法，其特征在于，所述DRAM被配置为根据预设规则，从预设字线开始依次对所述DRAM中的多条字线进行循环自刷新；所述方法包括：向所述多条字线中的目标字线所连接的目标存储单元写入数据；控制所述DRAM从所述预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行自刷新，并根据经过多次自刷新后是否能从所述目标存储单元中读取所述数据，确定中间自刷新次数；其中，所述中间自刷新次数为所述DRAM按照所述预设规则，从所述预设字线开始进行自刷新，刷新到所述目标字线的次数；根据所述中间自刷新次数，控制所述DRAM从所述目标字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行自刷新，并根据经过自刷新后是否能从所述目标存储单元中读取所述数据，确定所述DRAM的自刷新次数；其中，所述自刷新次数为所述DRAM按照所述预设规则，从所述目标字线开始进行自刷新，再次刷新到所述目标字线的次数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述DRAM从预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行自刷新，并根据经过多次自刷新后是否能从所述目标存储单元中读取所述数据，确定中间自刷新次数，包括：在第一时间间隔后，控制所述DRAM从所述预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行x次自刷新；在第x次自刷新完成第二时间间隔后，判断是否能从所述目标存储单元中读取所述数据；若是，则确定所述x为所述中间自刷新次数；若否，则对x进行修改后，根据修改后的x再次确定所述中间自刷新次数。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述中间自刷新次数，控制所述DRAM从所述目标字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行自刷新，并根据经过自刷新后是否能从所述目标存储单元中读取所述数据，确定所述DRAM的自刷新次数，包括：控制所述DRAM从预设字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行所述中间自刷新次数的自刷新；在第三时间间隔后，控制所述DRAM从所述目标字线开始，按照所述预设规则对所述多条字线进行y次自刷新；在第y次自刷新完成第四时间间隔后，判断是否能从所述目标存储单元中读取所述数据；若是，则确定所述y为所述DRAM的自刷新次数；若否，则对y进行修改后，根据修改后的y再次确定所述中间自刷新次数。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔之和等于所述目标存储单元的电荷保持时间的1.2～1.8倍；所述第一时间间隔小于所述存储单元的电荷保持时间；所述第二时间间隔小于所述存储单元的电荷保持时间。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三时间间隔和所述第四时间间隔之和等于所述目标存储单元的电荷保持时间的1.2～1.8倍；
所述第三时间间隔小于所述存储单元的电荷保持时间；所述第四时间间隔小于所述存储单元的电荷保持时间。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对x进行修改，包括：将x的取值加上常数a后，得到修改后的x；其中，a为大于0的自然数。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对y进行修改，包括：将y的取值加上常数b后，得到修改后的y；其中，b为大于0的自然数。8.根据权利要求1
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7任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：从所述DRAM的存储单元中，确定在常温状态下电荷保持时间等...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，王伟洲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：