一种信息处理方法、装置、介质、校正器、模组及设备制造方法及图纸

本发明专利技术属于微电子技术领域，尤其涉及一种信息处理方法、装置、介质、校正器、模组及设备。基于光邻近效应的仿真和校正，通过对工艺参数的预处理，使得相关的测试过程的效率提高、失效率降低，该方法对于光刻工艺窗口较窄的应用场景，有较强的适应性，在预设的焦距能量矩阵范围内，提升了信息获取的效率。提升了信息获取的效率。提升了信息获取的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种信息处理方法、装置、介质、校正器、模组及设备


[0001]本专利技术属于微电子
，尤其涉及一种信息处理方法、装置、介质、校正器、模组及设备。

技术介绍

[0002]由于光邻近效应（Proximity Effect）的存在，掩膜版明暗交界区域图形分辨率的提高面临诸多技术问题，当图形物理尺寸进一步减小并与光线波长相当时，这一问题尤为突出。
[0003]专利技术人研究发现，在进行显微观测时，以版图信息作为观测设备的脚本往往难以克服光邻近效应带来的影响，进而导致观测失效。
[0004]如图18
‑
20所示，是现有技术中量测失效的示例，将结合本
技术实现思路
做对比说明。

技术实现思路

[0005]本专利技术公开了一种工艺信息处理方法，目的在于提高测试脚本的创建效率，降低相关测量的失效率。
[0006]通过获取第一工艺数据和第二工艺数据，完成系统的初始化，为后续测量提供基础数据支撑；其中：第一工艺数据包括第一版图数据；第一版图数据为预设的工艺数据，第一版图数据包括第一图形数据。
[0007]在半导体的加工制程中，第一图形数据经图形化工艺转移到晶圆内和/或晶圆表面；而第二工艺数据包括第一观测数据；第一观测数据由观测和/或显微观测获得，第一观测数据包括第二图形数据；第二图形数据是第一图形数据转移到晶圆内和/或晶圆表面后，经观测和/或显微观测获得。
[0008]为了克服邻近效应产生的畸变，通过构造第一图形数据的第一仿真数据来实现量测脚本的优化：将第一仿真数据按照预设转换方法由第一图形数据转化而来；或者按照邻近效应校正算法、规则和/或经验数据，由第一图形数据转换而来。
[0009]其中，邻近效应校正算法、规则和/或经验用于模拟和/或补偿第一图形数据在光刻中的畸变。
[0010]为了提升本专利技术方法的适用性，满足不同光刻工艺窗口（Process Window）对图像、图形分辨率（Image Resolution）的要求，通过调整观测数据的显微观测条件，即光能和/或光焦条件，来扩充相关数据测试样本。
[0011]进一步地，以临近效应模型和/或光刻胶模型为依据，获取第一版图数据的仿真图形和/或图像；刷新第二工艺数据；并完成本专利技术方法的其它相关或必要步骤。
[0012]进一步地，通过获取量测区域的待测数据，合并第一工艺数据与第二工艺数据获得第三工艺数据；其中，待测数据包括量测区域的一维特征信息，合并部分具有相同的数据结构、维度和/或类型。
[0013]通过比较第一仿真数据与所述第一观测数据；可以验证相关校正算法的有效性；
其中，还包括第三图形数据；该第三图形数据是将第一仿真数据与第一观测数据中的第二图形数据叠加得到的；根据第一仿真数据选取第一观测数据的量测区域，以便完成相应的量测。
[0014]具体地，以第一仿真数据作为脚本，指示相关执行机构、观测设备执行相关的测量和/或分析。
[0015]进一步地，根据调整后的观测条件，构造焦距能量矩阵FEM；根据焦距能量矩阵FEM获取对应于焦距能量矩阵FEM各观测条件的量测区域，并完成其它相关步骤。
[0016]具体地，本方法适用于采用扫描电镜在内的显微观测方法或制程，可以用于改进相关测试脚本的获取和优化。
[0017]其中，以第一工艺数据为量测脚本，在扫描电镜中收取量测数据及影像；扫描电镜采用预设的标准设计尺寸，例如DG（Design Gauge）作为脚本，构建光刻邻近校正模型。
[0018]该光刻邻近校正模型用于补偿第一图形数据在光刻工艺中的缺陷和/或由光邻近效应产生的畸变；该光刻邻近校正模型还可用于第一仿真数据的构建。
[0019]进一步地，第三工艺数据包括FEM（Focus Energy Matrix）数据和/或PWQ数据；图形化工艺包括光刻、光掩模、掩膜、去除氧化膜、去除金属膜和微光刻等步骤。
[0020]一种用于实施上述方法的装置，包括输入单元、仿真单元和输出单元；其中：输入单元获取第一工艺数据及第二工艺数据；仿真单元构造第一图形数据的第一仿真数据；其相关元素的定义和相互关系如前文，在此不再赘述。
[0021]本专利技术装置还包括输出单元，用以向本装置以外的单元输出第一工艺数据、第二工艺数据和/或第一仿真数据。
[0022]进一步地，本专利技术装置还包括比较单元和综合单元；其中：比较单元调整观测数据的显微观测条件；即光能和/或光焦条件，用以扩展观测时的工艺窗口；综合单元以临近效应模型和/或光刻胶模型为依据，获取第一版图数据的仿真图形和/或图像；通过刷新第二工艺数据；即可完成其它相关或必要步骤。
[0023]具体地，比较单元还获取量测区域的待测数据；包括量测区域的一维特征信息等；综合单元还合并第一工艺数据与第二工艺数据获得第三工艺数据；其中，合并部分具有相同的数据结构、维度和/或类型。
[0024]进一步地，比较单元比较第一仿真数据与第一观测数据；比较单元还包括第三图形数据；其中，第三图形数据是将第一仿真数据中的第一图形数据与第一观测数据中的第二图形数据叠加得到的。
[0025]根据第一仿真数据选取第一观测数据的量测区域；包括，以第一仿真数据作为脚本，指示相关执行机构、观测设备执行相关的测量和/或分析。
[0026]进一步地，比较单元根据调整后的观测条件，构造焦距能量矩阵FEM；并根据焦距能量矩阵FEM获取对应的各观测条件下的量测区域。
[0027]其中，显微观测包括采用扫描电镜进行观测；从而以第一工艺数据为量测脚本，在扫描电镜中收取量测数据及影像。
[0028]进一步地，扫描电镜可采用预设的标准设计尺寸作为脚本；构建光刻邻近校正模型；该光刻邻近校正模型用于补偿第一图形数据在光刻工艺中的缺陷和/或由光邻近效应产生的畸变。
[0029]光刻邻近校正模型还可用于第一仿真数据构建；其中，第三工艺数据包括FEM数据和/或PWQ数据；图形化工艺包括光刻、光掩模、掩膜、去除氧化膜、去除金属膜和微光刻。
[0030]需要说明的是，在本文中采用的“第一”、“第二”等类似的语汇，仅仅是为了描述技术方案中的各组成要素，并不构成对技术方案的限定，也不能理解为对相应要素重要性的指示或暗示；带有“第一”、“第二”等类似语汇的要素，表示在对应技术方案中，该要素至少包含一个。
[0031]本专利技术公开的方法和装置通过对版图数据的预处理，改善了测量脚本的获取效率和量测区域的选取过程，对于焦距能量矩阵中不同的区域取得了可靠的测量结果，克服了光邻近效应在OPC（Optical Proximity Correction）过程中相关畸变带来的不利影响。
[0032]对于光邻近校正验证OPCV（Optical Proximity Correction Verification）建立相关量测脚本，提供了可靠、有效的解决方案。对于光刻工艺窗口（Process Window）较窄或影响成像分辨率（Image Resolutio本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工艺信息处理方法，其特征在于包括：获取第一工艺数据；所述第一工艺数据包括第一版图数据；所述第一版图数据为预设的工艺数据，所述第一版图数据包括第一图形数据（10、101、102、103、104），所述第一图形数据（10、101、102、103、104）经图形化工艺转移到晶圆内和/或晶圆表面；获取第二工艺数据；所述第二工艺数据包括第一观测数据；所述第一观测数据由观测和/或显微观测获得，所述第一观测数据包括第二图形数据（11、111、112、113、114） ；所述第二图形数据（11、111、112、113、114）是所述第一图形数据（10、101、102、103、104）转移到所述晶圆内和/或所述晶圆表面后，经观测和/或显微观测获得的；构造所述第一图形数据（10、101、102、103、104）的第一仿真数据（20，201，202、203、204）；所述第一仿真数据（20，201，202、203、204）按照预设转换方法由所述第一图形数据（10、101、102、103、104）获得或按照邻近效应校正算法、规则和/或经验数据，由所述第一图形数据（10、101、102、103、104）转换而来；所述邻近效应校正算法、规则和/或经验用于模拟和/或补偿所述第一图形数据（10、101、102、103、104）在光刻中的畸变。2.如权利要求1所述的信息处理方法，其特征还在于：调整所述观测数据的显微观测条件；所述观测条件包括光能和/或光焦条件；以临近效应模型和/或光刻胶模型为依据，获取所述第一版图数据的仿真图形和/或图像；刷新所述第二工艺数据；并完成如权利要求1所述的其它相关或必要步骤。3.如权利要求2所述的信息处理方法，其特征还在于：获取所述量测区域的待测数据；所述待测数据包括所述量测区域的一维特征信息；合并所述第一工艺数据与所述第二工艺数据获得第三工艺数据；其中，合并部分具有相同的数据结构、维度和/或类型。4.如权利要求3所述的信息处理方法，还包括：比较所述第一仿真数据（20，201，202、203、204）与所述第一观测数据；其中，还包括第三图形数据（30、301、302、303、304）；所述第三图形数据（30、301、302、303、304）是将所述第一仿真数据（20，201，202、203、204）与所述第一观测数据中的第二图形数据（11、111、112、113、114）叠加得到的；根据所述第一仿真数据（20，201，202、203、204）选取所述第一观测数据的量测区域；包括，以所述第一仿真数据（20，201，202、203、204）作为脚本，指示相关执行机构、观测设备执行相关的测量和/或分析。5.如权利要求1
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4的任一所述的信息处理方法，还包括：根据调整后的所述观测条件，构造焦距能量矩阵FEM（90、91、92、93、94、95）；根据所述焦距能量矩阵FEM（90、91、92、93、94、95），获取对应于所述焦距能量矩阵FEM（90、91、92、93、94、95）各观测条件的所述量测区域（3、31、32、33、34）；并完成如权利要求1所述的其它相关步骤。6.如权利要求5所述的信息处理方法，其中：所述显微观测包括采用扫描电镜进行观测；
以所述第一工艺数据为量测脚本，在所述扫描电镜中收取量测数据及影像。7.如权利要求6所述的信息处理方法，其中：所述扫描电镜采用预设的标准设计尺寸作为脚本；构建光刻邻近校正模型；所述光刻邻近校正模型用于补偿所述第一图形数据在光刻工艺中的缺陷和/或由光邻近效应产生的畸变；所述光刻邻近校正模型还可用于所述第一仿真数据的构建。8.如权利要求6所述的信息处理方法，其中：所述第三工艺数据包括FEM数据和/或PWQ数据；所述图形化工艺包括光刻、光掩模、掩膜、去除氧化膜、去除金属膜和微光刻。9.一种工艺信息处理装置，包括：输入单元（901）、仿真单元（902）和输出单元（903）；其中，所述输入单元（901）获取第一工艺数据及第二工艺数据；所述第一工艺数据包括第一版图数据；所述第一版图数据为预设的工艺数据，所述第一版图数据包括第一图形数据（10、101、102、103、104），所述第一图形数据（10、101、102、103、104）经图形化工艺转移到晶圆内和/或晶圆表面；所述第二工艺数据包括第一观测数据；所述第一观测数据由...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖振宇，曾鼎程，胡展源，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：