新型化合物以及包含上述新型化合物的有机发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种以下述化学式1表示的化合物以及包含上述化合物的有机发光元件：<化学式1>式1>式1>式1>

【技术实现步骤摘要】
新型化合物以及包含上述新型化合物的有机发光元件


[0001]本专利技术涉及一种新型化合物以及包含上述新型化合物的有机发光元件。

技术介绍

[0002]最近，自发光型的可低电压驱动的有机发光元件与平面显示元件的主流即液晶显示屏(LCD，liquid crystal display)相比具有如视野角以及对照比等优秀、不需要背光、可以实现轻量化以及纤薄化、消耗电力少、色彩重现范围广等优点，因此作为新一代的显示元件备受瞩目。
[0003]在有机发光元件中作为有机物层使用的材料大体上可以根据其功能分为发光层材料、空穴注入材料、空穴输送材料、电子输送材料以及电子注入材料等。
[0004]此外，上述发光材料可以根据分子量分为高分子以及单分子，而且可以根据发光机制分为源于电子的单重激发态的荧光材料、源于电子的三重激发态的磷光材料以及源于从三重激发态到单重激发态的电子移动的延迟荧光材料，而发光材料可以根据发光颜色分为蓝色、绿色、为了实现比红色发光材料更加优秀的天然色而需要的黄色以及朱黄色发光材料。
[0005]此外，为了提升色纯度以及基于能量转移的发光效率，作为发光物质还可以使用主剂/掺杂剂型物质。而其原理在于，通过将能量带隙小于主剂的发光物质即掺杂剂少量混入到发光层中，可以使得在主剂中生成的激子转移到掺杂剂并放射出光线。借助于如上所述的原理，可以根据主剂以及掺杂剂的类型获得所需波长的光线。
[0006]目前为止，作为适用于上述有机发光元件的物质，已经有多种化合物被人们所熟知，但是因为使用目前已熟知的物质的有机发光元件具有驱动电压高、效率低以及寿命短等问题，所以仍然需要开发出新型材料。因此，人们一直以来都致力于利用具有优秀特性的物质开发出可实现低电压驱动、具有高亮度以及长使用寿命的有机发光元件。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种在形成较深的最高占据分子轨道(HOMO)的同时具有较高的最低占据分子轨道(LUMO)以及T1，从而可以轻易地实现电子拦截以及激子移动拦截且发光层内的电荷平衡优秀的新型化合物以及有机发光元件。
[0008]此外，本专利技术的目的在于提供一种具有较快的霍尔迁移率，而且因为π
‑
共轭得到提升而可以在形成薄膜时确保优秀的分子排列，从而可以实现低驱动电压以及高效率，而且可以通过对衰减现象进行抑制而实现长使用寿命效果的新型化合物以及有机发光元件。
[0009]进而，本专利技术的目的在于提供一种因为具有较高的玻璃化转变温度(Tg)而可以防止薄膜的重结晶并借此提升驱动稳定性的新型化合物以及有机发光元件。
[0010]接下来，将对如上所述的课题以及追加课题进行详细的说明。
[0011]作为解决上述课题的手段，
[0012]本专利技术的一实施例提供一种以下述化学式1表示的化合物。
[0013]<化学式1>
[0014][0015]在上述化学式1中，
[0016]Ar1为苯基或未取代的C7～C30的稠合芳基，但不包含芴基；
[0017]Ar2为取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，但不包含芴基或咔唑基；
[0018]L1以及L2各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂亚芳基；
[0019]R、R'、R1至R4各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C3～C30的甲硅烷基、取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基；
[0020]l为0至4的整数；
[0021]m为0至2的整数；以及，
[0022]n为0至4的整数。
[0023]此外，作为本专利技术的一实施例，提供一种有机发光元件，包括：
[0024]第1电极；
[0025]有机层，位于上述第1电极上；以及，
[0026]第2电极，位于上述有机层上；
[0027]上述有机层包含如上所述的化合物。
[0028]其中，上述有机层可以是空穴注入层、空穴输送层以及发光辅助层中的1层以上，具体来讲可以是位于空穴输送层与发光层之间的发光辅助层。
[0029]根据本专利技术的化合物具有胺基通过包含邻位芳基(具体来讲为1,2
‑
亚苯基)的连接基结合到芴基的1、3或4号位置上的结构，因此具有较深的最高占据分子轨道(HOMO)和较高的最低占据分子轨道(LUMO)以及T1，从而可以轻易地实现电子拦截以及激子移动拦截且发光层内的电荷平衡优秀。
[0030]尤其是，本专利技术的化合物可以通过包含邻位芳基(具体来讲为1,2
‑
亚苯基)的连接基和末端芳基(化学式1中的Ar2)扩展而增加π
‑
共轭并借此具有较快的霍尔迁移率，而且可以在形成薄膜时确保优秀的分子排列并借此具有较低的驱动电压并实现高效率，还可以通过对衰减现象进行抑制而实现长使用寿命效果。
[0031]此外，通过在胺基的一侧面包含未扩展的芳基结构(化学式1中的Ar1)而维持非常
深的最高占据分子轨道(HOMO)和较高的最低占据分子轨道(LUMO)以及T1，因此可以将发光层内的激子约束效应极大化并借此进一步提升有机发光元件的效率。
[0032]进而，根据本专利技术的化合物可以通过芴基与胺基之间的连接基即邻位芳基的扩展而具有较高的玻璃化转变温度(Tg)，从而防止薄膜的重结晶并借此实现驱动稳定性优秀的有机发光元件。
[0033]接下来，将对如上所述的效果以及追加效果进行详细的说明。
附图说明
[0034]图1是对根据本专利技术的一实施例的有机发光元件的构成进行图示的概要性截面图。
[0035]【符号说明】
[0036]100：基板
[0037]200：空穴注入层
[0038]300：空穴输送层
[0039]400：发光层
[0040]500：电子输送层
[0041]600：电子注入层
[0042]1000：第1电极(阳极)
[0043]2000：第2电极(阴极)
具体实施方式
[0044]在对本专利技术进行详细的说明之前需要理解的是，在本说明书中所使用的术语只是用于对特定的实施例进行记述，并不是为了对本专利技术的范围进行限定，本专利技术的范围只应通过随附的权利要求书的范围做出限定。除非另有明确的说明，否则在本说明书中所使用的所有技术术语以及科学术语的含义与具有一般知识的人员所通常理解的含义相同。
[0045]在整个本说明书以及权利要求书中，除非另有明确的说明，否则被记载为包含(comprise、comprises、comprising)的术语只是表明包含所提及的物件、步骤或一系列物件以及步骤，并不是事先排除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种以下述化学式1表示的化合物：化学式1在上述化学式1中，Ar1为苯基或未取代的C7～C30的稠合芳基，但不包含芴基；Ar2为取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，但不包含芴基或咔唑基；L1以及L2各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂亚芳基；R、R'、R1至R4各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C3～C30的甲硅烷基、取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基；l为0至4的整数；m为0至2的整数；以及，n为0至4的整数。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：R1是氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C3～C30的甲硅烷基、或取代或未取代的C6～C50的芳基。3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：R以及R'是各自独立地为取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C2～C30的杂芳基。4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：上述化学式1是以下述化学式2表示的化合物：化学式2
在上述化学式2中，对Ar1、Ar2、L1、L2、R、R'、R1至R4、l、m以及n的定义与上述化学式1中的定义相同，L2连接到*位置中的任一个。5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：上述化学式1是以下述化学式3表示的化合物：化学式3在上述化学式3中，对Ar1、Ar2、L2、R1至R4、l、m以及n的定义与上述化学式1中的定义相同，上述R以及R'是各自独立地为取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C2～C30的杂芳基，L2连接到*位置中的任一个。6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：上述化学式1是以下述化学式4表示的化合物：化学式4
在上述化学式4中，对Ar2、L2、R1至R4、l、m以及n的定义与上述化学式1中的定义相同，上述R以及R'各自独立地为取代或未取代的C1...

【专利技术属性】
技术研发人员：咸昊完，安贤哲，金东骏，闵丙哲，李萤振，安慈恩，权桐热，李卓宰，诸焕日，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：