本发明专利技术提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。供给等离子体生成用气体。供给等离子体生成用气体。
【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法
[0001]本公开涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
[0002]关于批处理式的热处理装置，已知一种使产生等离子体的等离子体产生部向处理容器内开口来将其以连通状态设置的技术(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004
‑
343017号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本公开的一方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器的内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够抑制微粒向基板的附着。
附图说明
[0012]图1是示出实施方式的等离子体处理装置的一例的概要图。
[0013]图2是用于说明气体喷嘴的配置的图。
[0014]图3是用于说明实施方式的等离子体处理装置中的气体的流动的图。
[0015]图4是用于说明第一例和第二例的气体喷嘴的配置的图。
[0016]图5是示出实施方式的等离子体处理方法的气体供给顺序的第一例的图。
[0017]图6是示出实施方式的等离子体处理方法的气体供给顺序的第二例的图。
[0018]图7是用于说明第三例和第四例的气体喷嘴的配置的图。
[0019]图8是示出实施方式的等离子体处理方法的气体供给顺序的第三例的图。
[0020]图9是示出实施方式的等离子体处理方法的气体供给顺序的第四例的图。
[0021]图10是用于说明参考例的气体喷嘴的配置的图。
[0022]图11是示出参考例的等离子体处理方法的气体供给顺序的一例的图。
[0023]图12是示出参考例的等离子体处理方法的气体供给顺序的另一例的图。
[0024]图13是示出微粒的数量的推移的图。
[0025]图14是用于说明气体喷嘴的位置和种类的图。
[0026]图15是示出SiN膜的膜厚和面内均匀性的图。
[0027]图16是示出SiN膜的膜厚和面内均匀性的图。
[0028]图17是示出SiN膜的WER的图。
[0029]附图标记说明
[0030]1：处理容器；20：气体供给部；22：气体喷嘴；22a：气体孔；23：气体喷嘴；23a：气体孔；31：开口；32：等离子体划分壁；33：等离子体电极；100：等离子体处理装置；P：等离子体生成空间；W：晶圆。
具体实施方式
[0031]下面，参照附图对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。在所有附图中，对相同或相应的构件或部件标注相同或相应的附图标记，省略重复的说明。
[0032]〔等离子体处理装置〕
[0033]参照图1至图3对实施方式的等离子体处理装置的一例进行说明。图1是示出实施方式的等离子体处理装置的一例的概要图。图2是用于说明气体喷嘴的配置的图。图3是用于说明实施方式的等离子体处理装置中的气体的流动的图。
[0034]等离子体处理装置100具有处理容器1。处理容器1具有在下端具备开口的有顶的纵型筒体状。处理容器1的整体例如由石英形成。在处理容器1内的上端附近设置有由石英形成的顶板2，顶板2的下侧的区域是封闭的。在处理容器1的下端的开口处，经由O形环等密封构件4连结有成形为筒体状的金属制的歧管3。
[0035]歧管3支承处理容器1的下端，将多张(例如25张～150张)作为基板的半导体晶圆(下面称为“晶圆W”。)分多层载置的晶圆舟5从歧管3的下方插入到处理容器1内。像这样，在处理容器1内将多张晶圆W以沿着上下方向隔开间隔的方式大致水平地收容。晶圆舟5例如由石英形成。晶圆舟5具有三根杆6(参照图2)，利用形成于杆6的槽(未图示)来支承多张晶圆W。
[0036]晶圆舟5经由由石英形成的保温筒7载置于工作台8上。工作台8被支承于贯通金属(不锈钢)制的盖体9的旋转轴10上，该盖体9对歧管3的下端的开口进行开闭。
[0037]在旋转轴10的贯通部设置有磁性流体密封件11，该磁性流体密封件11将旋转轴10气密地封闭并以能够旋转的方式支承。在盖体9的周边部与歧管3的下端之间设置有用于保持处理容器1内的气密性的密封构件12。
[0038]旋转轴10例如安装于被晶圆舟升降机等的升降机构(未图示)支承的臂13的前端，旋转轴10与晶圆舟5及盖体9一体地进行升降，相对于处理容器1内插入和脱离。此外，也可以是，将工作台8固定地设置于盖体9侧，在不使晶圆舟5旋转的情况下进行晶圆W的处理。
[0039]另外，等离子体处理装置100具有向处理容器1内供给各种气体的气体供给部20。
[0040]气体供给部20具有四根气体喷嘴21～24。但是，气体供给部20除了四根气体喷嘴21～24之外还可以具有其它气体喷嘴。
[0041]气体喷嘴21例如由石英形成，具有贯通到歧管3的侧壁的内侧后向上方弯曲并垂直延伸的L字形状。气体喷嘴21的垂直部分设置于等离子体生成空间P的外部，例如设置于处理容器1内的比该处理容器1的中心C更靠等离子体生成空间P的一侧。但是，气体喷嘴21
的垂直部分例如也可以设置于处理容器1内的比该处理容器1的中心C更靠排气口40的一侧。气体喷嘴21与二氯硅烷(DCS)气体的供给源连接。在气体喷嘴21的垂直部分，遍及上下方向上的与晶圆舟5的晶圆支承范围对应的长度范围地隔开间隔地形成有多个气体孔21a。气体孔21a例如面向处理容器1的中心C，朝向处理容器1的中心C沿水平方向喷出DCS气体。但是，气体孔21a例如也可以面向处理容器1的附近的内壁侧。
[0042]气体喷嘴22例如由石英形成，具有贯通到歧管3的侧壁的内侧后向上方弯曲并垂直地延伸的L字形状。气体喷嘴22的垂直部分设置于等离子体生成空间P的外部，例如设置于处理容器1内的比该处理容器1的中心C更靠等离子体生成空间P的一侧。但是，气体喷嘴22的垂直部分例如也可以设置于处理容器1内的比该处理容器1的中心C更靠排气口40的一侧。气体喷嘴22与氨气的供给源及氢气的供给源连接。氨气和氢气是等离子体生成用气体的一例。在气体喷嘴22的垂直部分，遍及上下方向上的与晶圆舟5的晶圆支承范围对应的长度范围地隔开间隔地形成有多个气体孔22a。气体孔22a例如面向处理容器1的中心C，朝向处理容器1的中心C沿水平方向喷出氨气和氢气。但是，气体孔22a例如也可以面向等离子体生成空间P侧，也可以面向处理容器1的附近的内壁侧本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器的内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述开口在所述处理容器的高度方向上细长地形成。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，所述开口具有能够在高度方向上覆盖所述多个基板全部的长度。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述处理气体供给部包括分散喷嘴，该分散喷嘴沿着所述处理容器的高度方向延伸设置，在该分散喷嘴的长度方向上隔开间隔地形成有多个气体孔。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，具备吹扫气体供给部，该吹扫气体供给部设置于所述等离子体生成空间，供给吹扫气体。6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，所述吹扫气体供给部包括分散喷嘴，该分散喷嘴沿着所述处理容器的高度方向延伸设置，在该分散喷嘴的长度方向上隔开间隔地形成有多个气体孔。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述等离子体电极包括一对电极，所述一对电极以相向的方式配置在所述等离子体划分壁的两侧的外表面。8.根据权利要求1至6中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述等离子体电极包括在所述等离子体划分壁沿着该等离子体划分壁的长度...
【专利技术属性】
技术研发人员：田吹圭司，户根川大和，五十岚一将，矢部和雄，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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