用于高温腐蚀环境的基板支承件盖制造技术

本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，基板支承件盖包括用氟化物涂层涂布的块状构件。在清洁处理期间，基板支承件盖放置在布置在处理腔室中的基板支承件上。氟化物涂层不会与清洁物质反应。基板支承件盖保护基板支承件防止与清洁物质反应，导致降低在腔室部件上形成的凝结，进而导致降低在后续处理中基板的污染。污染。污染。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高温腐蚀环境的基板支承件盖
[0001]背景
[0002]领域
[0003]本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。
[0004]相关技术描述
[0005]在化学气相沉积(CVD)处理期间，反应气体可产生沉积在腔室的内侧表面上的成分。随着这些沉积物的积累，残留物可能剥落并且污染进一步的处理步骤。这种残留沉积物也能不利地影响其他处理条件，例如沉积均匀性、沉积率、膜应力、粒子效能和类似处理条件。
[0006]因此，处理腔室通常被周期性地清洁，以移除残留材料。清洁处理通常涉及等离子体增强干式清洁技术。蚀刻剂通常是含卤素或氧的气体，例如含氟气体或氧气，能与基板支承件的表面反应，以形成氟化物或氧化物。在某些应用中，基板支承件维持在提升的温度下，例如大于500摄氏度。在提升的温度下，氟化物或氧化物升华，并且在比基板支承件更低的温度下的基板部件上凝结，例如喷头。凝结物在CVD处理期间能造成基板的污染，并且能导致CVD处理条件的改变，例如沉积率和均匀性偏移。
[0007]传统上，基板支承件用薄涂层涂布，例如基于钇的涂层，薄涂层是耐清洁气体的。然而，随着基板放置在基板支承件上和从基板支承件移除，涂层可能被刮除。此外，由于附接至基板支承件的尺寸和部件，涂布基板支承件是昂贵和困难的。
[0008]因此，需要强化的设备。

技术实现思路

[0009]本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，一种处理腔室，包括腔室主体；和基板支承件，基板支承件布置在腔室主体中。基板支承件包括表面和连接至表面的侧表面。处理腔室进一步包括基板支承件盖，基板支承件盖可移除地布置在基板支承件上。基板支承件盖包括氟化物材料，并且暴露至处理腔室中的处理区域。
[0010]在另一个实施方式中，一种方法，包括从处理腔室移除基板，和在布置在处理腔室中的基板支承件上放置基板支承件盖。基板支承件盖包括氟化物材料。方法进一步包括当基板支承件盖在基板支承件上时，在处理腔室中实行清洁处理，基板支承件盖的氟化物材料在清洁处理期间暴露至清洁气体或清洁物质(cleaning species)。
[0011]在另一个实施方式中，一种基板支承件盖，包括板，板包括氟化物材料。基板支承件盖进一步包括侧盖，侧盖可移除地耦接至板，并且侧盖延伸穿过板。
附图说明
[0012]以此方式能详细理解本公开内容以上记载的特征，并且以上简要概述的本公开内容的更具体说明可通过参考多个实施方式而获得，某些实施方式图示于附图中。然而，应理解附图仅图示多个示例性实施方式，且因此不应考虑为本公开内容范围的限制，并且可认
可其他多个均等效果的实施方式。
[0013]图1是处理腔室的概要截面侧视图。
[0014]图2A
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图2E是具有基板支承件盖的基板支承件的概要侧视图，该基板支承件盖布置在基板支承件上。
[0015]图3A
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图3F是基板支承件盖的侧视图。
[0016]图4A
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图4C是具有基板支承件盖的基板支承件的概要侧视图，该基板支承件盖布置在基板支承件上。
[0017]图5A
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图5D是基板支承件盖的侧视图。
[0018]图6A
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图6C是基板支承件盖的各种视图。
[0019]图7是流程图，显示用于操作图1的处理腔室的方法。
[0020]为了促进理解，已尽可能地使用相同的附图标记代表图式中共通的相同的元件。应考虑一个实施方式的元件和特征可有益地并入其他多个实施方式中而无须进一步说明。
具体实施方式
[0021]本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，基板支承件盖包括用氟化物涂层涂布的块状构件。在清洁处理期间，基板支承件盖放置在布置在处理腔室中的基板支承件上。氟化物涂层不会与清洁物质反应。基板支承件盖保护基板支承件防止与清洁物质反应，导致降低在腔室部件上形成的凝结，进而导致降低在后续处理中基板的污染，且避免处理条件的改变或偏移。
[0022]图1是根据本文描述的一个实施方式的处理腔室100的概要截面图。处理腔室100可以是等离子体增强的CVD(PECVD)腔室或其他等离子体增强的处理腔室。可从本文描述的多个实施方式获益的示例性处理腔室是可从美国加州圣克拉拉市的应用材料公司取得的PECVD可用腔室的系列。考虑到来自其他制造商的其他类似装备的处理腔室也可从本文描述的实施方式获益。处理腔室100包括腔室主体102，布置在腔室主体102内侧的基板支承件104，和耦接至腔室主体102并且在处理区域120中包覆基板支承件104的盖组件106。盖组件106包括气体分配器，例如喷头112。基板154穿过在腔室主体102中形成的开口126而被提供至处理区域120。
[0023]可以是诸如陶瓷或金属氧化物(例如氧化铝和/或氮化铝)的介电材料的隔绝器110将喷头112从腔室主体102分隔开。喷头112包括开口118，开口118用于导入(admitting)处理气体或清洁气体至处理区域120中。气体可经由导管114供应至处理腔室100，并且气体可在流动穿过开口118之前进入气体混合区域116。排气152形成在腔室主体102中，在低于基板支承件104的位置处。排气152可连接至真空泵(未显示)，以从处理腔室100移除未反应的物质和副产物。
[0024]喷头112可耦接至电功率源141，例如RF产生器或DC功率源。DC功率源可供应连续和/或脉冲的DC功率至喷头112。RF产生器可供应连续和/或脉冲的RF功率至喷头112。电功率源141在操作期间开启，以供应电功率至喷头112，来促进在处理区域120中等离子体的形成。
[0025]基板支承件104包括用于支承基板154的表面142和侧表面144。侧表面144与表面142非共面。在一个实施方式中，侧表面144实质上垂直于表面142。基板154具有尺寸D1，例
如直径，并且基板支承件104具有比尺寸D1更大的尺寸D2，例如直径。基板支承件104可由陶瓷材料形成，例如金属氧化物或氮化物或氧化/氮化混合物，例如铝、氧化铝、氮化铝或氧化/氮化铝混合物。基板支承件104被杆143支承。基板支承件104可接地。加热元件128安装在基板支承件104中。加热元件128可以是板、穿孔的板、网格、丝网或任何其他分布的结构。加热元件128经由连接器130耦接至功率源132。加热元件128可加热基板支承件至一个提升的温度，例如大于500摄氏度。
[0026]图1中所显示的基板支承件104在较低的位置，且基板154被延伸穿过基板支承件104的多个升降杆140支承。基板154可通过穿过开口126的机械手臂(未显示)放置在升降杆140上或从升降杆140移除。在操作期间，基板支承件104抬升至较高的位置，并且基板154布置于表面142上。环160可被基板154或基板支承件104本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理腔室，包含：腔室主体；基板支承件，所述基板支承件布置在所述腔室主体中，所述基板支承件包含表面和连接至所述表面的侧表面；和基板支承件盖，所述基板支承件盖可移除地布置在所述基板支承件上，所述基板支承件盖包含氟化物材料，并且所述基板支承件盖暴露至所述处理腔室中的处理区域。2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述氟化物材料包含氟化镁或氟化稀土。3.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述基板支承件盖进一步包含板，所述板具有与所述基板支承件相同的直径或比所述基板支承件更小的直径。4.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述基板支承件盖进一步包含侧盖，其中所述侧盖布置在所述基板支承件的所述表面的部分上，并且其中所述侧盖面向所述侧表面。5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述基板支承件盖进一步包含与所述基板支承件的所述表面接触的第一表面，与所述第一表面相对的第二表面，从所述第一表面延伸并且面向所述基板支承件的所述侧表面的第三表面，从所述第二表面延伸并且与所述第三表面相对的第四表面，和连接所述第三表面和所述第四表面的第五表面。6.如权利要求5所述的处理腔室，其中所述基板支承件盖进一步包含块状层，所述块状层包括所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面、所述第四表面和所述第五表面，其中所述基板支承件盖进一步包含涂布层，所述涂布层布置在所述块状层的所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面、所述第四表面和所述第五表面的至少一个上，并且所述涂布层包含所述氟化物材料。7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述块状层包含硅、二...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛殊然，林，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：