使用具有用于二次电子生成的不同平均自由程的中间层或多层堆叠件的极紫外(EUV)光刻制造技术

一种图案化衬底的方法包含提供衬底、以及在该衬底上沉积包含N个层的多层堆叠件。N为大于一的整数。该N个层分别包含用于二次电子的N个平均自由程。该方法包含在该多层堆叠件上沉积光致抗蚀剂层，其中该N个平均自由程会聚于该光致抗蚀剂层中。另一种图案化衬底的方法包含提供衬底以及在该衬底上沉积层。该层包含用于二次电子的不同平均自由程。该方法包含在该层上沉积一光致抗蚀剂层。用于二次电子的该不同平均自由程会聚于该光致抗蚀剂层中。同平均自由程会聚于该光致抗蚀剂层中。同平均自由程会聚于该光致抗蚀剂层中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用具有用于二次电子生成的不同平均自由程的中间层或多层堆叠件的极紫外(EUV)光刻
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2019年5月16日申请的美国临时申请No.62/849,115的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本公开内容涉及衬底处理系统，且尤其涉及使用具有用于二次电子生成的不同平均自由程的中间层或多层堆叠件的EUV光刻。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]先进的光刻一般是使用准分子激光器执行，该准分子激光器具有193nm的波长。为了产生小于193nm的特征尺寸，可执行例如多重图案化、浸没(immersion)和/或光学邻近校正的额外技术，以明显提高低于193nm的分辨度。然而，使用此类型的光刻来进一步减小特征尺寸是不可能的。
[0005]下一代光刻技术使用极紫外光(EUV)波长。在EUV光刻中，功率源将等离子体转换成在13.5nm的光，其比193nm短14倍。然而，由于大部分的材料容易吸收在EUV波长的光子，所以较短的EUV波长需要光刻处理的大幅变动。例如，EUV光刻是利用多个镜来反射光，而非使用透镜。EUV光刻处理还在真空环境中被执行。使用等离子体源来替代激光器以生成用于印刷的光子。
[0006]EUV辐射被掩模图案反射到光致抗蚀剂层上。光致抗蚀剂层吸收EUV光子并且生成二次电子。尤其是，具有足够能量的EUV光子使光致抗蚀剂层中的原子游离，从而释放出二次电子。
[0007]EUV光刻对随机效应(stochastic effects)特别敏感。当使用EUV来印刷特征时，大部分的特征被分辨。由于所到达的光子数量的随机变化，所以被指定印刷的某些区域实际上并未达到印刷的阈值，这会留下未暴露区域或缺陷。故障率与剂量等级有关。然而，在基于EUV的光刻系统中增加剂量等级是困难的。可以使用例如剂量对尺寸(dose
‑
to
‑
size)以及剂量对缺陷(dose
‑
to
‑
defect)的参数来表示在基于EUV的系统中的性能的特性。

技术实现思路

[0008]一种图案化衬底的方法包含：提供衬底；以及在所述衬底上沉积包含N个层的多层堆叠件，其中N为大于一的整数。所述N个层分别包含用于二次电子的N个平均自由程。所述方法包含在所述多层堆叠件上沉积光致抗蚀剂层，其中所述N个平均自由程会聚于所述光致抗蚀剂层中。
[0009]在另一特征中，所述N个层的所述N个平均自由程是不同的。
[0010]在其他特征中，所述N个层被设置在从所述光致抗蚀剂层起算的N个距离处，且所述N个层的所述N个平均自由程分别随着所述N个距离而增加。
[0011]在其他特征中，所述N个层被设置在从所述光致抗蚀剂层起算的N个距离处，且所述N个层的所述N个平均自由程被分别随着所述N个距离而单调增加。
[0012]在其他特征中，所述N个层系设置在自所述光致抗蚀剂层起算的N个距离处，且所述N个层的所述N个平均自由程系分别随着所述N个距离而线性增加。
[0013]在其他特征中，所述N个层分别设置在从所述光致抗蚀剂层起算的N个距离处，并且具有N个吸收率，且所述N个层的所述N个吸收率随着所述N个距离增加而增加。
[0014]在另一特征中，所述N个层中的每一层具有相同的厚度。
[0015]在另一特征中，所述N个层中的每一层具有不同的厚度。
[0016]在另一特征中，所述方法还包含以递增的厚度顺序来排列所述N个层，所述N个层中的最薄层被排列成邻接于所述光致抗蚀剂层，以及所述N个层中的最厚层被排列成邻接于所述衬底。
[0017]在另一特征中，所述方法还包含使所述光致抗蚀剂层暴露至极紫外光辐射。
[0018]在其他特征中，所述方法还包含：使所述光致抗蚀剂层暴露于极紫外光辐射；以及移除所述光致抗蚀剂层的已暴露部分。所述方法还包含移除位于所述光致抗蚀剂层被移除的区域中的所述多层堆叠件的部分。
[0019]在其他特征中，所述方法还包含：使所述光致抗蚀剂层暴露于极紫外光辐射；以及移除所述光致抗蚀剂层的已暴露部分，以形成经图案化的光致抗蚀剂层。所述方法还包含使用所述经图案化的光致抗蚀剂层来执行沉积处理；以及在执行所述沉积处理之后，移除所述光致抗蚀剂层与所述多层堆叠件。
[0020]在其他特征中，所述方法还包含：使所述光致抗蚀剂层暴露于极紫外光辐射；以及移除所述光致抗蚀剂层的已暴露部分，以形成经图案化的光致抗蚀剂层。所述方法还包含使用所述经图案化的光致抗蚀剂层来执行蚀刻处理；以及在执行所述蚀刻处理之后，移除所述光致抗蚀剂层与所述多层堆叠件。
[0021]在还有的其他特征中，一种图案化衬底的方法包含：提供衬底；以及在所述衬底上沉积层。所述层包含用于二次电子的不同平均自由程。所述方法包含在所述层上沉积光致抗蚀剂层。用于二次电子的所述不同平均自由程会聚于所述光致抗蚀剂层中。
[0022]在另一特征中，所述层的所述不同平均自由程随着到所述光致抗蚀剂层的距离而单调增加。
[0023]在另一特征中，所述层的所述不同平均自由程随着到所述光致抗蚀剂层的距离而线性增加。
[0024]在另一特征中，所述层的所述不同平均自由程系随着到所述光致抗蚀剂层的距离而阶梯式增加。
[0025]在另一特征中，所述方法还包含使所述光致抗蚀剂层暴露于极紫外光辐射。
[0026]在其他特征中，所述方法还包含：使所述光致抗蚀剂层暴露于极紫外光辐射；以及移除所述光致抗蚀剂层的已暴露部分。所述方法还包含移除位于所述光致抗蚀剂层被移除的区域中的所述层的部分。
[0027]在其他特征中，所述方法还包含：使所述衬底暴露至极紫外光辐射；以及移除所述光致抗蚀剂层的已暴露部分，以形成经图案化的光致抗蚀剂层。所述方法还包含：使用所述经图案化的光致抗蚀剂层来执行沉积处理；以及在执行所述沉积处理之后，移除所述层与所述光致抗蚀剂层。
[0028]在其他特征中，所述方法还包含：使所述衬底暴露于极紫外光辐射；以及移除所述光致抗蚀剂层的已暴露部分，以形成经图案化的光致抗蚀剂层。所述方法还包含使用所述经图案化的光致抗蚀剂层来执行蚀刻处理；以及在执行所述蚀刻处理之后，移除所述层与所述光致抗蚀剂层。
[0029]根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
[0030]根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
[0031]图1与2为根据本公开内容的包含多层堆叠件的衬底的示例的侧截面图，该多层堆叠件具有用于产生具有不同平均自由程的二次本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图案化衬底的方法，其包含：提供衬底；在所述衬底上沉积包含N个层的多层堆叠件，其中N为大于一的整数，且其中所述N个层分别包含用于二次电子的N个平均自由程；以及在所述多层堆叠件上沉积光致抗蚀剂层，其中所述N个平均自由程会聚于所述光致抗蚀剂层中。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述N个层的所述N个平均自由程是不同的。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述N个层被设置在从所述光致抗蚀剂层起算的N个距离处，且其中所述N个层的所述N个平均自由程分别随着所述N个距离而增加。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述N个层被设置在从所述光致抗蚀剂层起算的N个距离处，且其中所述N个层的所述N个平均自由程被分别随着所述N个距离而单调增加。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述N个层系设置在自所述光致抗蚀剂层起算的N个距离处，且其中所述N个层的所述N个平均自由程系分别随着所述N个距离而线性增加。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述N个层分别设置在从所述光致抗蚀剂层起算的N个距离处，并且具有N个吸收率，且其中所述N个层的所述N个吸收率随着所述N个距离增加而增加。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述N个层中的每一层具有相同的厚度。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述N个层中的每一层具有不同的厚度。9.根据权利要求8所述的方法，其还包含以递增的厚度顺序来排列所述N个层，所述N个层中的最薄层被排列成邻接于所述光致抗蚀剂层，以及所述N个层中的最厚层被排列成邻接于所述衬底。10.根据权利要求1所述的方法，其还包含使所述光致抗蚀剂层暴露至极紫外光辐射。11.根据权利要求1所述的方法，其还包含：使所述光致抗蚀剂层暴露于极紫外光辐射；移除所述光致抗蚀剂层的已暴露部分；以及移除位于所述光致抗蚀剂层被移除的区域中的所述多层堆叠件的部分。12.根据权利要求1所述的方法，其还包含：使所述光致抗蚀剂层暴露于极紫外光辐射；移除所述光致抗蚀剂层的已暴露部分，以形成经图案化的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德鲁，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：