【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种大幅降低制造成本、并令产品可方便量产化制造的发光二极管蒸着膜图案形成的制法及装置,尤适于应用在发光二极管电极或类似结构的制造。
技术介绍
一般发光二极管的制法,首先制作出III-V化合物芯片后,再于III-V化合物芯片上制作金属电极,而后进行切割以形成发光二极管晶粒,最后进行封装作业,即完成发光二极管的制作。现有的发光二极管金属电极的制作方法,大致可分为二种,第一种方法是先于III-V化合物芯片表面镀上一层金属膜,接续利用微影蚀刻技术形成一图案化光阻层,并以该图案化光阻层为罩幕,蚀刻该金属膜,以完成金属电极的制作;另一种方法则是于III-V化合物芯片上涂布一层光阻并进行微影成像后,镀上一层金属膜,再进行光阻浮离制程,使金属成像完成金属电极的制作。然而,上述该些方法皆需利用微影蚀刻制程才能完成电极的制作,但微影蚀刻制程相当烦琐、复杂,在制作上并具有较高的困难度。因此,提出一种可减化制程、大幅降低制造成本,并使所制出的发光二极管具有所需电极,实为本专利技术的用意。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷,提出一种减化制程、节省制造成本的发光二极管蒸着膜图案形成的制法。本专利技术的次要目的在于,提出一种令发光二极管芯片上具有所需电极的发光二极管蒸着膜图案形成的装置。为达上述目的,本专利技术提供一种发光二极管蒸着膜图案形成的制法其所采取的步骤包括下列步骤a、将载具置于磁性吸附元件上方;b、将芯片放置于载具中;c、再把非磁性金属罩幕置于芯片表面,利用磁性吸附元件的磁力吸附非磁性金属罩幕,而夹住并固定芯片;以及d、将多个上述装 ...
【技术保护点】
一种发光二极管蒸着膜图案形成的方法,其特征在于,包括下列步骤:a、将载具置于磁性吸附元件上方;b、将芯片置于载具上;c、把非磁性金属罩幕置于芯片表面,利用磁性吸附元件吸附非磁性金属罩幕,由此以夹住并固定芯片;以及 d、将多个上述装置重复安装于一蒸镀转盘的球面部上,使点蒸发源以近乎垂直芯片的角度镀膜成像。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管蒸着膜图案形成的方法,其特征在于,包括下列步骤a、将载具置于磁性吸附元件上方;b、将芯片置于载具上;c、把非磁性金属罩幕置于芯片表面,利用磁性吸附元件吸附非磁性金属罩幕,由此以夹住并固定芯片;以及d、将多个上述装置重复安装于一蒸镀转盘的球面部上,使点蒸发源以近乎垂直芯片的角度镀膜成像。2.一种发光二极管蒸着膜图案形成的装置,其特征在于,包括一载具,上、下各设有一容置空间;一磁性吸附元件,配合载具的一容置空间而设,并置于其中;一非磁性金属罩幕,配合载具外形而设的不具磁性的金属薄片,供覆盖...
【专利技术属性】
技术研发人员:龚正,
申请(专利权)人:鼎元光电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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