【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置。更具体地,本专利技术涉及化学机械抛光浆料以及使用该浆料的化学机械抛光的方法。
技术介绍
半导体装置的高度集成化趋势,导致了引入化学机械抛光(CMP)以获得均匀平整的半导体装置。通过抛光溶液的化学反应,同时进行化学抛光,化学机械抛光获得了高程度平面化。抛光溶液是以浆料的形式来提供的。机械抛光是在半导体装置制造期间通过抛光浆料与抛光垫的作用获得的。化学机械抛光可应用于装置隔离膜的形成工艺中,例如浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation)(STI)技术中。化学机械抛光亦可以应用于凹陷插塞(landing plug)的节点隔离工艺,该凹陷插塞连接在半导体基板的源极与位线之间,或者漏极与储存节点(storage node)之间。图1以及图2说明常规半导体装置的平面化技术。图3-6说明当形成凹陷插塞时常规的节点隔离。参考图1与图2说明STI工艺。使用含有氮化硅膜的掩膜图案在半导体基板中形成沟槽。形成掩埋绝缘膜(buried insulating film)以包埋该沟槽。进行化学机械抛光并且除去该掩膜图案,将作用区域(active region)与半导体基板的装置隔离区域隔开。当使用氮化硅膜作为抛光的终点时,优选确保化学机械抛光对于氧化硅膜比氮化硅膜具有较高的抛光选择性。凹陷插塞的节点隔离可参考图3-6予以说明。在半导体基板上形成栅极叠加体(gate stack)。形成层间介电膜用于包埋该栅极叠加体。选择性地除去该层间介电膜以形成介于栅极叠加体之间的凹陷插塞接触孔。形成导电材料用于掩埋该凹陷插塞接触孔。进行化学机械抛光以 ...
【技术保护点】
一种化学机械抛光的浆料,其包括: 浆料,其含有分散在去离子水中的研磨料;以及 有机粘度改进剂,所添加的粘度改进剂用于将浆料的粘度调整至0.5~3.2cps的范围内。
【技术特征摘要】
KR 2006-5-12 43128/06;KR 2006-7-3 62212/061.一种化学机械抛光的浆料,其包括浆料,其含有分散在去离子水中的研磨料;以及有机粘度改进剂,所添加的粘度改进剂用于将浆料的粘度调整至0.5~3.2cps的范围内。2.如权利要求1所述的浆料,其中该粘度改进剂为含有多元醇的脂肪酸酯。3.如权利要求2所述的浆料,其中该脂肪酸酯粘度改进剂含有甘油。4.如权利要求1所述的浆料,其中该粘度改进剂为含有聚氧乙烯脱水山梨糖醇的脂肪酸酯。5.如权利要求1所述的浆料,其中该研磨料包括氧化铈(CeO2)研磨颗粒。6.如权利要求1所述的浆料,其中该研磨料包括氧化铝(Al2O3)研磨颗粒与蒸气沉积后的氧化铝研磨颗粒之一或两者。7.如权利要求1所述的浆料,其中该粘度改进剂所添加的量相对于浆料的重量高达10wt%。8.如权利要求1所述的浆料,其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为至少1.2cps。9.如权利要求1所述的浆料,其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为1.2~2.2cps的范围内。10.如权利要求1所述的浆料,其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为1.4~2.2cps的范围内。11.如权利要求1所述的浆料,其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为约1.7cps。12.一种使用化学机械抛光(CMP)浆料的抛光方法,包括提供定位的晶圆的抛光目标膜;将浆料提供至抛光垫,该浆料含有分散在去离子水中的研磨料,和有机粘度改进剂,而所添加的粘度改进剂用于将浆料的粘度调整至0.5~3.2cps的范围内;以及利用抛光垫来抛光该抛光目标膜。13.如权利要求12所述的方法,其中该抛光目标膜含有氧化物膜或多晶硅膜中的一种。14.如权利要求12所述的方法,其中该粘度改进剂为含有多元醇的脂肪酸酯。15.如权利要求14所述的方法,其中该脂肪酸酯含有甘油。16.如权利要求12所述的方法,其中该粘度改进剂为含有聚氧乙烯脱水山梨糖醇的脂肪酸酯。17.如权利要求12所述的方法,其中该研磨料包括氧化铈(CeO2)研磨颗粒。18.如权利要求12所述的方法,其中该研磨料包括氧化铝(Al2O3)研磨颗粒与蒸气沉积后的氧化铝研磨颗粒之一或两者。19.如权利要求12所述的方法,其中该粘度改进剂所添加的量相对于浆料的重量高达10wt%。20.如权利要求12所述的方法,其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为至少1.2cps。21.如权利要求12所述的方法,其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为1.2~2.2cps的范围内。22.如权利要求12所述的方法,其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为1.4~2.2cp...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔容寿,崔在建,金奎显,
申请(专利权)人:海力士半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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