用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片制造技术

本发明专利技术涉及用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片，其包括基层材料和通过能量射线可聚合和硬化的压敏粘着剂层，所述压敏粘着剂层布置在所述基层材料的表面上，其中所述压敏粘着剂层包括原料聚合物，基于多官能团丙烯酸酯的低聚物，该低聚物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有１０００至２５００的分子量，以及基于多官能团丙烯酸酯的化合物，该化合物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有２００至７００的分子量。本发明专利技术的压敏粘着片，对于具有深度为约０．４至４０μｍ，例如通过激光照射印刷的标记的微小不平坦性具有出色的随动（ｆｏｌｌｏｗ－ｕｐ）性质，显示出足够的粘着力，并能够在完成粘合的目的后被剥离而不产生粘着剂残留。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于加工电子零件的压敏粘着片，并特别涉及用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片，当将所述半导体晶片或半导体基材切割时使用它。
技术介绍
在半导体晶片或半导体基材的生产中，作为用于粘着于半导体晶片或基材，进行例如切片和延展(expanding)的加工，以及随后拾取和同时安装所述半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片，到目前为止，已经有人提出包括基层材料的压敏粘着片，其中所述基层材料具有在其上提供的压敏粘着剂层，该压敏粘着剂层具有通过紫外射线等照射而聚合的性质。在这些压敏粘着片中，允许所述压敏粘着剂层在完成粘着的目的后通过紫外射线等的照射而经历聚合硬化反应，从而降低所述压敏粘着剂层的粘着力以能够拾取所述半导体晶片或半导体基材。具体地，例如，JP-A-6-49420提出了用于加工半导体晶片的压敏粘着片，其包括对紫外射线和/或辐射具有透明性的基层材料和通过紫外射线和/或辐射经历聚合硬化反应的压敏粘着剂层，其中所述压敏粘着剂层包括原料聚合物、具有分子量为15000至50000的基于多官能团氨基甲乙酸酯丙烯酸酯的低聚物、基于聚酯的增塑剂和光聚合引发剂，并且所述聚酯增塑剂的含量相对于100重量份的原料聚合物为1至50重量份。另外，JP-A-62-153376提出了包括基层材料的压敏粘着片，其中所述基层材料具有施加于其上的压敏粘着剂层，该压敏粘着剂层包含粘着剂和辐射可聚合的化合物，其中具有分子量为约3000至10000的多官能团的聚氨酯丙烯酸酯低聚物用作所述辐射可聚合的化合物。然而最近，具有在其表面上通过激光照射印刷产生的具有深度为约5至10μm的标记的晶片越来越多。另外，在半导体基材中，在用作压敏粘着带待被附着的表面的封装树脂表面上具有约0.4至15μm的粗糙表面的半导体基材，或具有以与所述晶片相同的方式印刷的具有深度为25至40μm的标记的基材也越来越多。在加工这些在它们的表面上具有非常微小的不平坦性的半导体晶片或半导体基材过程中，常规的压敏粘着片对该粘着片待被附着的表面的不平坦性的随动性不足，因此不能获得足够的粘着力。结果，当所述晶片或基材被切割时，芯片飞出导致出现显著降低产量的缺点。另外，已经飞出的芯片与切割刀片碰撞导致出现损坏所述刀片的缺点。另外，所述粘着片不足以随动不平坦性，因此气泡包含在凹陷部分中，导致出现压敏粘着剂层差的硬化，并且在辐射照射后当拾取所述晶片或基材时，特别观察到出现粘着剂残留的缺点。专利文献1JP-A-6-49420专利文献2JP-A-62-153376
技术实现思路
本专利技术的目的是提供用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片，其在半导体晶片或半导体基材加工中，对不平坦性具有出色的随动性质，并良好地随动于通过激光照射的印刷以及在被粘物表面上的微小不平坦以显示出足够的粘着力。本专利技术的另一个目的是提供用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片，其在完成粘着的目的后，可被良好剥离而不发生部分粘着剂残留，因为当照射能量射线时，整个压敏粘着剂层被均匀聚合和硬化。本专利技术的专利技术人为了解决上述问题而进行了深入的研究。结果，本专利技术的专利技术人发现对微小不平坦表面显示出出色随动性质的压敏粘着片可通过将每个都具有特定分子量的原料聚合物和基于多官能团丙烯酸酯的低聚物和基于多官能团丙烯酸酯的化合物组合而组成压敏粘着片获得。本专利技术的详细说明即，本专利技术涉及如下内容。(1)压敏粘着片，其包含基层材料；和通过能量射线可聚合和硬化的压敏粘着剂层，所述压敏粘着剂层布置于所述基层材料的表面上，其中所述的压敏粘着剂层包含原料聚合物，基于多官能团丙烯酸酯的低聚物，该低聚物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有1000-2500的分子量，和基于多官能团丙烯酸酯的化合物，该化合物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有200-700的分子量。(2)根据(1)的压敏粘着片，其用于加工半导体晶片或半导体基材。(3)根据(1)的压敏粘着片，其中所述的原料聚合物为丙烯酸系聚合物，和其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物，所述基于多官能团丙烯酸酯的低聚物的含量为60至130重量份，和所述基于多官能团丙烯酸酯的化合物的含量为3至50重量份。(4)根据(3)的压敏粘着片，其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物，所述基于多官能团丙烯酸酯的低聚物的含量为80至110重量份，和所述基于多官能团丙烯酸酯的化合物的含量为5至30重量份。(5)根据(1)的压敏粘着片，其中所述的原料聚合物为重均分子量为300,000至1,000,000的丙烯酸系聚合物。(6)根据(1)的压敏粘着片，其中所述的基于多官能团丙烯酸酯的低聚物为聚氨酯丙烯酸酯低聚物。(7)根据(1)的压敏粘着片，其中所述的基于多官能团丙烯酸酯的化合物为多官能团丙烯酸烷基酯。(8)根据(1)的压敏粘着片，其用于附着到具有深度为0.4至40μm的凹陷的半导体晶片或基材的表面上，并用于切割所述半导体晶片或基材。(9)加工半导体晶片或半导体基材的方法，其包括将根据(1)的压敏粘着片附着到半导体晶片或基材的表面上；和切割所述半导体晶片或基材。(10)根据(9)的方法，其中所述的半导体晶片或基材具有深度为0.4至40μm的凹陷。本专利技术中的压敏粘着剂层，相对于100重量份的用作原料聚合物的丙烯酸系聚合物的量，包含60至130重量份的基于多官能团丙烯酸酯的低聚物，该低聚物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有1000至2500的分子量，和3至50重量份的基于多官能团丙烯酸酯的化合物，该化合物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有200至700的分子量。本专利技术的用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片可用于附着到具有深度为0.4至40μm深度的凹陷的半导体晶片或基材的表面上，并用于切割该半导体晶片或基材。本专利技术的用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片在对被粘物表面上的不平坦性具有出色的随动性质，显示出足够的粘着力，并可良好地剥离而不发生粘着剂残留，因为当照射能量射线时，其聚合和硬化而不发生降低粘着力的不规则聚合。当利用本专利技术的用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片进行对在其表面上具有深度为0.4至40μm的凹陷的半导体晶片或半导体基材的切片操作时，可进行所述操作而不发生在切片过程中芯片飞出的缺点，并且所述粘着片在能量射线照射后在拾取过程中可被剥离而不发生粘着剂的残留。本专利技术的用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片包括基层材料，该基层材料具有在其上提供的通过能量射线经历聚合硬化反应的压敏粘着剂层，并且在将其附着于例如半导体晶片或基材的被粘物，以及已经完成粘合的目的后，所述压敏粘着剂允许通过能量射线的照射被聚合和硬化，从而能够降低所述压敏粘合剂层的粘着力。尽管如本专利技术中所用的能量射线包括可通过照射引发和进行所述压敏粘着剂层的聚合硬化反应的所有能量射线，但可以例举的有例如电离辐射，如电子束、α-射线、β-射线、γ-射线和中子；以及非电离辐射，如紫外射线。其中，从生产力等的观点出发，可优选采用紫外射线和电子束。基层材料可用于本专利技术的用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片的基层材料没有特别限制，并且取决于在完成粘着的目的后用于所述压敏粘着剂层的聚合硬化反应的能量射线的种类，可选自常规的或常用的基层材料，如塑本文档来自技高网...

【技术保护点】
压敏粘着片，其包含：　　　　基层材料；和　　　　通过能量射线可聚合和硬化的压敏粘着剂层，所述压敏粘着剂层布置于所述基层材料的表面上，　　　　其中所述的压敏粘着剂层包含：　　　　原料聚合物，　　　　基于多官能团丙烯酸酯的低聚物，该低聚物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有１０００－２５００的分子量，和　　　　基于多官能团丙烯酸酯的化合物，该化合物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有２００－７００的分子量。

【技术特征摘要】
JP 2006-5-12 2006-1332341.压敏粘着片，其包含基层材料；和通过能量射线可聚合和硬化的压敏粘着剂层，所述压敏粘着剂层布置于所述基层材料的表面上，其中所述的压敏粘着剂层包含原料聚合物，基于多官能团丙烯酸酯的低聚物，该低聚物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有1000-2500的分子量，和基于多官能团丙烯酸酯的化合物，该化合物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有200-700的分子量。2.根据权利要求1的压敏粘着片，其用于加工半导体晶片或半导体基材。3.根据权利要求1的压敏粘着片，其中所述的原料聚合物为丙烯酸系聚合物，和其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物，所述基于多官能团丙烯酸酯的低聚物的含量为60至130重量份，和所述基于多官能团丙烯酸酯的化合物的含量为3至50重量份。4.根据权利要求3的压敏粘着片，其中相对于100重量...

【专利技术属性】
技术研发人员：新谷寿朗，浅井文辉，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]