一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液制造技术

一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液，由渗透剂、润滑剂、表面活性剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：渗透剂０．１％～１０．０％；润滑剂１０％～４０％；表面活性剂０．１％～１．０％；去离子水为余量。本发明专利技术所制备的半导体倒角液的优点是：采用无金属离子渗透剂和活性剂，无金属离子化学腐蚀，具有高效复合性。该倒角液具有润滑性好，散热性好，化学腐蚀低，可提高刀具寿命，并对设备和刀具起保护作用。本发明专利技术有效解决了微电子工艺中金属杂质沾污，损伤层深，应力大，影响刀具寿命等技术问题，且制备简单，容易操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于半导体晶片加工的倒角液，特别是一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液。
技术介绍
半导体晶片的加工是超大规模集成电路生产的基础，它对后续工艺(外延、氧化、光刻等)有至关重要的作用。以硅片为例，硅片加工主要包括滚圆、切片、结晶定位、倒角、硅片研磨等工序。倒角就是用具有特定刃部轮廓的砂轮磨去硅圆片周围锋利的棱角。由于边缘棱角会给以后表面加工和集成电路工艺带来危害，通过倒角可以防止硅片边缘破裂以及热应力造成的缺陷。在倒角过程中，高性能的倒角液可以减少机械作用造成的微裂和破损，并提高磨具的寿命。而现有倒角液存在散热性较差，不易清洗，影响刀具寿命等缺点
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有倒角液的缺点，提供一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液。本专利技术的技术方案一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液，其特征在于由渗透剂、润滑剂、表面活性剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为渗透剂0.1％～10.0％；润滑剂10％～40％；表面活性剂0.1％～1.0％；去离子水为余量。本专利技术所述渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、磷酸脂或异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯。本专利技术所述润滑剂采用水溶性润滑剂，为乙二醇或聚乙二醇。本专利技术所述表面活性剂采用非离子型表面活性剂，为聚氧乙烯酯或烷基酚聚氧乙烯醚。一种上述用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液的制备方法，其特征在于首先将制备倒角液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室环境内，将各种组分在真空负压的动力下，按其重量百分比通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。本专利技术所制备的半导体倒角液的优点是采用无金属离子渗透剂和活性剂，无金属离子化学腐蚀，具有高效复合性。该倒角液具有润滑性好，散热性好，化学腐蚀低，可提高刀具寿命，并对设备和刀具起保护作用。本专利技术有效解决了微电子工艺中金属杂质沾污，损伤层深，应力大，影响刀具寿命等技术问题，且制备简单，容易操作。具体实施方式实施例1一种用于硅片的倒角液，由脂肪醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇、烷基酚聚氧乙烯醚和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为脂肪醇聚氧乙烯醚5.0％；聚乙二醇30％；烷基酚聚氧乙烯醚0.5％；去离子水为余量。所述半导体倒角液的制备方法是首先将制备倒角液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，按其重量百分比通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。通过实验表明，该倒角液散热性和润滑性良好，刀具寿命提高1倍以上。实施例2一种用于锗晶片的倒角液，由磷酸脂、乙二醇、聚氧乙烯酯和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为磷酸脂7％；乙二醇35％；聚氧乙烯酯1％；去离子水为余量。所述半导体倒角液的制备方法是首先将制备倒角液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，按其重量百分比通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。通过实验表明，该倒角液散热性和润滑性良好，晶片完整且易清洗。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液，其特征在于：由渗透剂、润滑剂、表面活性剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：渗透剂０．１％～１０．０％；润滑剂１０％～４０％；表面活性剂０．１％～１．０％；去离子水为余量。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液，其特征在于由渗透剂、润滑剂、表面活性剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为渗透剂0.1％～10.0％；润滑剂10％～40％；表面活性剂0.1％～1.0％；去离子水为余量。2.根据权利要求1所述的用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液，其特征在于渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、磷酸脂或异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯。3.根据权利要求1所述的用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲跻和，刘玉岭，
申请(专利权)人：天津晶岭电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]