【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件,更具体而言,涉及,所述方法可以通过减少位线之间的电容来减少RC延迟。
技术介绍
图1A-1C是描述制造半导体器件的常规方法的横截面图。 参考图1A,在形成有结构(未显示)的半导M底10上形成层间 绝缘层ll。在层间绝缘层ll内形成接触孔,通过所述接触孔暴露半导体 衬底10的特定部分。用导电层填充接触孔,由此形成下接触12。在包含下接触12的整个表面上依次形成蚀刻-停止氮化物层13和 氧化层14。参考图1B,使用蚀刻-停止氮化物层13作为停止层蚀刻氧化物层 14,由此形成沟槽15。通过过蚀刻方法除去沟槽15下面的蚀刻-停止氮 化物层13,由此暴露出下接触12和与下接触12邻近的层间绝缘层11的 特定部分。此时,将蚀刻-停止氮化物层13下面的层间绝缘层11蚀刻 至期望的特定厚度。参考图1C,在包含沟槽15的整个表面上形成阻挡金属层(未显 示).形成导电层来填充沟槽15。进行抛光过程使氧化物层14暴露出, 因此形成位线16。在现有技术中,蚀刻-停止氮化物层13的总厚度位于位线16之间。 氮化物层的介电常数比氧化物层的介电常数高两倍,造成位线电容增 大。因此,增加了 RC延迟。
技术实现思路
本专利技术涉及,所述方法可以通过减少位线 之间的电容来减少RC延迟。在一个实施方案中,包括下列步骤在半 导体衬底上形成层间绝缘层和蚀刻-停止氮化物层,对蚀刻-停止氮化物层和层间绝缘层进行蚀刻以形成接触孔,在接触孔内形成接触,在包 含接触的整个表面上形成氧化物层,采用蚀刻-停止氮化物层作为目标 蚀刻氧化物层,由此形成沟槽,通过所述沟槽暴露所述接触和与所 ...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法,所述方法包括下列步骤:在半导体衬底上形成层间绝缘层和蚀刻-停止氮化物层,对蚀刻-停止氮化物层和层间绝缘层进行蚀刻以形成接触孔;在接触孔内形成接触;在包含接触的整个表面上形成氧化物层;使用蚀刻-停止氮化物层作为目标蚀刻氧化物层,因此形成沟槽,通过所述沟槽暴露接触和与接触邻近的蚀刻-停止氮化物层;和在沟槽内形成位线。
【技术特征摘要】
KR 2006-6-28 10-2006-00587121.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括下列步骤在半导体衬底上形成层间绝缘层和蚀刻-停止氮化物层,对蚀刻-停止氮化物层和层间绝缘层进行蚀刻以形成接触孔;在接触孔内形成接触;在包含接触的整个表面上形成氧化物层;使用蚀刻-停止氮...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵挥元,洪承希,金奭中,郑哲谟,
申请(专利权)人:海力士半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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