一种耐磨数码陶瓷釉料制造技术

本发明专利技术涉及陶瓷生产领域，提供一种耐磨数码陶瓷釉料，用于提高陶瓷砖的耐磨性能。本发明专利技术提供的耐磨数码陶瓷釉料，包括：熔块50~60质量份，高岭土10~20质量份，硅酸锆10~15质量份，氧化锆1~3质量份，锆英石10~20质量份，硫酸钡1~3质量份。通过添加不同粒径的硅酸锆，并结合氧化锆，充分提高了釉料的耐磨性能。充分提高了釉料的耐磨性能。

【技术实现步骤摘要】
一种耐磨数码陶瓷釉料


[0001]本专利技术涉及陶瓷生产领域，具体涉及一种耐磨数码陶瓷釉料。

技术介绍

[0002]陶瓷砖是由粘土和其他无机非金属原料，经成型、烧结等工艺生产的板状或块状陶瓷制品，用于装饰与保护建筑物、构筑物的墙面和地面。通常在室温下通过干压、挤压或其他成型方法成型，然后干燥，在一定温度下烧成。
[0003]釉面发生的磨粒磨损主要有以下形式：泥沙或尘埃等磨粒移动于釉面和另一个摩擦副（如鞋底、家具底部等）表面之间，对釉面产生的磨损，可以称为三体磨粒磨损。通常该磨损状态下磨粒与釉面有较大的接触应力，这种压应力使釉层表面发生脆裂或剥落；釉面和另一个摩擦副在接触面中间没有磨粒的情况下对磨而产生的磨损，摩擦副相当于接触面积极大的磨粒，这种磨损为低应力磨粒磨损；由磨粒在釉层表面相对运动引起的磨损称为二体磨损，其运动方向可分解为与釉面平行及垂直两个方向。平行釉面的摩擦会在釉层表面划出微小犁沟痕迹；垂直釉面的摩擦会在釉面上冲击出凹坑，导致材料从釉面脱落。显然三体磨粒磨损形式是最常发生的釉面磨损形式。
[0004]耐磨性能低的釉料制备出来的抛釉砖很容易磨花，经历长时间的使用后，或多或少地都会受到不同程度的摩损，光泽度下降非常明显，表面暗淡无光。
[0005]目前，通过在釉料中引入超细刚玉微粉，釉料中氧化铝的含量提高后，其硬度也相应提高，可以在一定程度上改善了釉面的耐磨性，但效果仍有待进一步提高。

技术实现思路

[0006]本专利技术解决的技术问题为提高陶瓷砖的耐磨性能，提供耐磨数码陶瓷釉料。
[0007]为了解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：耐磨数码陶瓷釉料，包括：熔块50~60质量份，高岭土10~20质量份，硅酸锆10~15质量份，氧化锆1~3质量份，锆英石10~20质量份，硫酸钡1~3质量份。
[0008]锆英石主要成分是硅酸锆，不同粒径的硅酸锆可以在烧成过程中镶嵌到玻璃熔体内，充分提高釉层的耐磨性能。
[0009]通过添加不同粒径的硅酸锆，并结合氧化锆，充分提高了釉料的耐磨性能。
[0010]优选地，包括：熔块55~60质量份，高岭土15~20质量份，硅酸锆12~15质量份，氧化锆2~3质量份，锆英石13~20质量份，硫酸钡2~3质量份。
[0011]优选地，包括：熔块55质量份，高岭土15质量份，硅酸锆12质量份，氧化锆2质量份，锆英石13质量份，硫酸钡2质量份。
[0012]优选地，所述硅酸锆的晶体尺寸为500~600nm。
[0013]优选地，所述硅酸锆的制备方法包括：取氧氯化锆30~40质量份，正硅酸乙酯15~25质量份，氟化锂0.1~0.5质量份；将氧氯化锆同3~5倍量的去离子水混合，搅拌均匀，加入氟化锂，再搅拌均匀，得到
第一混合液；将正硅酸乙酯同3~5倍量的去离子水混合，搅拌均匀，调节pH至碱性，得到第二混合液；将第一混合液和第二混合液混合，调节pH至9~11，搅拌2~12h，得到前驱体，将前驱体同0.8~1倍量的去离子水混合均匀，干燥，得到硅酸锆。
[0014]优选地，氧氯化锆38~40质量份，正硅酸乙酯20~25质量份，氟化锂0.2~0.5质量份。
[0015]优选地，氧氯化锆38质量份，正硅酸乙酯20质量份，氟化锂0.2质量份。
[0016]优选地，所述熔块为KT1411。
[0017]优选地，所述耐磨数码陶瓷釉料的制备方法包括：将熔块、高岭土、硅酸锆、氧化锆、锆英石、硫酸钡混合均匀，加水球磨8~10h，干燥，得到耐磨陶瓷釉料。
[0018]优选地，所述耐磨数码陶瓷釉料的制备方法包括：将锆英石和硫酸钡混合均匀，高温烧制，水淬，得到中间粉体；将中间粉体与熔块、高岭土、硅酸锆、氧化锆混合均匀，加水球磨8~10h，干燥，得到耐磨陶瓷釉料。
[0019]与现有技术相比，本专利技术具有的有益效果为：通过添加不同粒径的硅酸锆，并结合氧化锆，充分提高了釉料的耐磨性能。在釉料中引入了硬质晶体，该硬质晶体能提高釉层强度、硬度及断裂韧性，同时覆盖在釉层上，起到了抵抗研磨的作用。同时利用氧化锆与硅酸锆共存于釉层中，有效地提高了耐磨效果。
具体实施方式
[0020]以下实施列是对本专利技术的进一步说明，不是对本专利技术的限制。
[0021]实施例1耐磨数码陶瓷釉料，包括：熔块550g，高岭土150g，硅酸锆120g，氧化锆20g，锆英石130g，硫酸钡20g。
[0022]所述硅酸锆的制备方法包括：取氧氯化锆380g，正硅酸乙酯200g，氟化锂2g；将氧氯化锆同2000g的去离子水混合，搅拌均匀，加入氟化锂，再搅拌均匀，得到第一混合液；将正硅酸乙酯同1000g的去离子水混合，搅拌均匀，调节pH至碱性，得到第二混合液；将第一混合液和第二混合液混合，调节pH至9，搅拌10h，得到前驱体，将前驱体同3500g去离子水混合均匀，升温至200℃，反应24h，干燥，得到硅酸锆。所述熔块为KT1411。所述耐磨数码陶瓷釉料的制备方法包括：将熔块、高岭土、硅酸锆、氧化锆、锆英石、硫酸钡混合均匀，加水球磨9h，干燥，得到耐磨陶瓷釉料。
[0023]锆英石主要成分是硅酸锆，不同粒径的硅酸锆可以在烧成过程中镶嵌到玻璃熔体内，充分提高釉层的耐磨性能。
[0024]通过添加不同粒径的硅酸锆，并结合氧化锆，充分提高了釉料的耐磨性能。
[0025]实施例2耐磨数码陶瓷釉料，包括：熔块550g，高岭土150g，硅酸锆120g，氧化锆20g，锆英石130g，硫酸钡20g。
[0026]所述硅酸锆的制备方法包括：取氧氯化锆380g，正硅酸乙酯200g，氟化锂2g；将氧氯化锆同2000g的去离子水混合，搅拌均匀，加入氟化锂，再搅拌均匀，得到第一混合液；将正硅酸乙酯同1000g的去离子水混合，搅拌均匀，调节pH至碱性，得到第二混合液；将第一混合液和第二混合液混合，调节pH至9，搅拌10h，得到前驱体，将前驱体同3500g去离子水混合均匀，升温至200℃，反应24h，干燥，得到硅酸锆。所述熔块为KT1411。
[0027]所述耐磨数码陶瓷釉料的制备方法包括：将锆英石和硫酸钡混合均匀，高温烧制，水淬，粉碎后得到中间粉体；将中间粉体与熔块、高岭土、硅酸锆、氧化锆混合均匀，加水球磨9h，干燥，得到耐磨陶瓷釉料。
[0028]实施例3耐磨数码陶瓷釉料，包括：熔块550g，高岭土150g，硅酸锆120g，氧化锆20g，锆英石130g，硫酸钡20g。
[0029]所述硅酸锆的制备方法包括：取锆英石150g，球磨后干燥，得到包含硅酸锆的粉体。所述熔块为KT1411。所述耐磨数码陶瓷釉料的制备方法包括：将熔块、高岭土、硅酸锆、氧化锆、锆英石、硫酸钡混合均匀，加水球磨9h，干燥，得到耐磨陶瓷釉料。
[0030]对比例1耐磨数码陶瓷釉料，包括：熔块550g，高岭土150g，硅酸锆120g，氧化锆20g。
[0031]所述硅酸锆的制备方法包括：取氧氯化锆380g，正硅酸乙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐磨数码陶瓷釉料，其特征在于，包括：熔块50~60质量份，高岭土10~20质量份，硅酸锆10~15质量份，氧化锆1~3质量份，锆英石10~20质量份，硫酸钡1~3质量份。2.根据权利要求1所述的耐磨数码陶瓷釉料，其特征在于，包括：熔块55~60质量份，高岭土15~20质量份，硅酸锆12~15质量份，氧化锆2~3质量份，锆英石13~20质量份，硫酸钡2~3质量份。3.根据权利要求1所述的耐磨数码陶瓷釉料，其特征在于，包括：熔块55质量份，高岭土15质量份，硅酸锆12质量份，氧化锆2质量份，锆英石13质量份，硫酸钡2质量份。4.根据权利要求2所述的耐磨数码陶瓷釉料，其特征在于，所述硅酸锆的晶体尺寸为亚微米级。5.根据权利要求1所述的耐磨数码陶瓷釉料，其特征在于，所述硅酸锆的制备方法包括：取氧氯化锆30~40质量份，正硅酸乙酯15~25质量份，氟化锂0.1~0.5质量份；将氧氯化锆同3~5倍量的去离子水混合，搅拌均匀，加入氟化锂，再搅拌均匀，得到第一混合液；将正硅酸乙酯同3~5倍量的去离子水混合，搅拌均匀，调节pH至碱...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄大泱，叶建明，王礼，卢佩玉，
申请(专利权)人：广东欧文莱陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：