制造OLED或用于形成OLED的坯件的方法以及这种坯件或OLED技术

一种用于制造有机发光器件或者用来形成有机发光器件的坯件的方法以及这种ＯＬＥＤ或坯件，该有机发光器件具有发光区域，所述发光区域两个相对第一侧部和两个相对第二侧部，所述方法至少包括以下步骤：提供衬底；在衬底上沉积并部分去除透明导电材料层，以便形成在第一侧部之间延伸的平行阳极线；沉积并部分地去除至少一个导电层，以便形成连接阳极线的触点；其中，沉积有光刻胶层，从而除了每个阴极线的至少一个接触位置之外，所述光刻胶层在与至少一个第二侧部相邻的触点上方完全延伸，通过所述至少一个接触位置建立了待形成的相应阴极线和相应触点之间的电接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造OLED或用于形成OLED的坯件的方法以及这种坯件或OLED技术领^/
技术介绍
本专利技术涉及一种制造坯件(blank)的方法，该坯件用来形成有 机发光器件，该有机发光器件具有发光区域，该方法至少包括下列 步骤提供衬底；形成沿第一方向延伸的平4于阳极线；形成触点，所述触点连4妄阳才及线，并且其^皮i殳置成用来接触阴 极线；形成阴极隔离体，阴极隔离体沿与第一方向交叉的第二方向延伸。这种方法是已知的并且以此提供的坯件可以设置有发光材料， 在该发光材料之后，发光区域或者由包含吸气剂(getter)的盖覆盖， 或者由封装层系统覆盖。特别是在使用封装层系统将发光区域与环境隔离开时，已经确 定有泄漏发生，这是由于封装层系统质量不足的缘故。对质量不足 的原因的进一步调查显示，触点的边^彖是不身见则的，并且在光刻月交 层的边缘(其中形成有包括像素格(pixel compartment)的岸结构(bank structure ))处存在有孔，该孔不能被封装层系统有效地覆盖。 进一步调查还显示，湿气和氧气/人第二侧部的进入是最强的4旦是从 第 一侧部的进入是几乎不存在的。
技术实现思路
根据本专利技术，方法的前述特征部分的特征在于，沉积光刻月交层 (photoresist layer),从而除了每个阴极线的至少一个接触位置之 外，其在设置成用来与阴极线接触的全部触点上完全延伸，通过所 述至少一个接触位置建立相应阴极线和相应触点的电接触。本专利技术还提供了用来形成有机发光器件的坯件，该坯件包括衬底；平4亍阳才及线，沿第一方向延伸；平行阴极隔离体，沿与第一方向交叉的第二方向延伸；触点，与阳极线电接触，并且设置成用来接触阴极线；其中，除了各阴极线的至少一个接触位置之外，设置成用来接 触阴极线的触点完全由光刻胶层覆盖，通过所述至少一个接触位置 建立了相应阴极线和相应触点之间的电接触。在与至少一个第二側部相邻的触点上完全延伸的光刻胶层4吏 得触点的边缘光滑，并且阻止了如上面所描述的孔的形成。从而， 后来所沉积的封装层系统可以很容易符合该光滑的光刻胶层，而不 会因上面所描述的不规则接触边缘或孔而被破坏。本专利技术还提供了 一种用于制造用来形成有机发光器件的坯件 的方法，所述有机发光器件具有发光区域，该方法至少包括下列步骤提供衬底；形成阳极线，所述阳极线沿第 一方向从一个第 一侧部延伸到另 一个第一側部；形成阴极隔离体，其沿第二方向从一个第二侧部延伸至另 一个 第二侧部，所述第二方向与第一方向交叉；形成触点，所述触点连接于阳极线，并设置成接触阴极线；其中，至少沿第二侧部i殳置i是结构(embankment structure )。本方法还提供了一种用来形成有机发光器件的坯件，该坯件包括衬底；阳极线，沿第一方向平行地从一个第一側部延伸至另 一个第一 侧部；阴极隔离体，沿第二方向平刊4也/人一个第二侧部延伸至另 一个 第二侧部平;f于;也延伸，所述第二方向与第一方向交叉；触点，与阳极线电接触，并且设置成用来接触阴极线；其中，i是结构至少沿所述第二侧部i殳置。湿气和氧气的进入在阴极隔离体的长度方向上是最显著的。这个发现使得了解到沿横向于(transverse to )阴极隔离体的长度方 向的方向，阴极隔离体4是供了用于湿气和氧气的屏障。因此，4艮据 本专利技术，堤结构至少沿发光区域的第二侧部设置，该堤结构沿横向 于阴极隔离体的长度方向提供屏障，所述堤结构优选地类似于阴极 隔离体的结构，在这种意义上，它具有与阴^l隔离体相类似的截面。 应该注意的是，其它结构和材料也可以用于形成i是结构。才艮据本专利技术的进一步改进，i是结构还可以至少沿所述第一侧部 设置。该附加的堤结构提供了用于防止湿气和氧气向发光区域进入 的额外^f呆护。才艮据本专利技术的进一 步改进，上述方法包4舌在已形成阴极线后沉 积封装层系统。封装层系统可以包括层叠的无机层和有机层。该系统(其自身 是已知的)提供了用于防止湿气和氧气的非常薄的且有效的屏蔽。优选地，封装层系统在全部发光区域和光刻月交层上方延伸，该 光刻交层在与所述至少一个第二侧部相邻的全部触点上方延伸，并 且优选地，封装层系统在围绕发光区域和与所述至少一个第二侧部 相邻的触点的区域内与衬底直接接触。上面所提到的i是结构可以包括至少两个平行i是，所述至少两个 平行堤围绕发光区域和与第二侧部相邻的触点，并且与沿至少 一个 第 一侧部设置的、并且与设置成用来与控制芯片的触点相接触的触 点交叉。与第二侧部相邻的内堤也可以设置在覆盖这些触点的光刻 月交层的顶部。为了获得有效的封装，当堤结构直接设置于衬底上时是有利的。当封装层系统在整个堤结构上方延伸时，在封装层系统和衬底 和/或堤结构之间获得了非常好的机械接触。从而，将封装层系统剥 落的风险被降到最小。进一步地，增加了湿气和氧气的移动长度。 另外，湿气和氧气将优选地沿i是结构的长度方向流动，因此而不会 达达发光区域。特別是当两个平行堤围绕发光区域设置时，内堤可以由封装层 系统覆盖，而外堤可以用来形成封装层系统的边界。封装层系统的 有机层可以以液体的形式沉积，并且外堤将会防止位于与所述至少 一个第一侧部相邻的外i是外部的触点部分^皮有才几材并牛覆盖。这些触 点部分应该保持清洁，以便在控制芯片的触点与发光器件的触点之 间提供良好的导电性。本专利技术还涉及包括根据本专利技术的坯件的有机发光器件，其中， 发光材料设置在阳极线上，并且阴极线设置在发光材料上，封装层 系统在发光区域以及与所述至少一个第二侧部相邻的触点上方延 伸。本专利技术还涉及包括具有所述堤结构的坯件的有机发光器件，其 中，发光材料设置在阳极线上，并且阴极线设置在发光材料上，封 装层系统在发光区域、与所述至少一个第二侧部相邻的触点、以及 堤结构的内堤上方延伸。根据本专利技术的进一步改进，发光器件设置有堤结构，该堤结构 在沿所述第 一侧部设置的、待与控制芯片连接的触点的上方延伸，不在^f立于所述i是结构外部的所述触点的一部分上方延伸。附图说明本专利技术将借助于实施例并参照附图作进一步说明，附图中图1示出了现有技术OLED (有机发光器件)的示意性俯视图2示出了图1的细节II;图3示出了图1的细节III;图4示出了图3的细节IV;图5示出了图1的细节V;图6示出了图5的截面VI-VI;图7示出了图5的截面vn-vn;以及图8示出了才艮据本专利技术的OLED实施例的示意性俯^L图。 *本实施方式图1-7中所示的已知OLED具有发光区域1，该发光区域1具 有第一侧部2和第二侧部3。该OLED包括由例如玻璃、透明塑料 等制成的衬底S (参见图7和图8 )。在发光区域1中，平4亍阳极线 设置于在第一側部2之间延伸的衬底上。阳极线优选地由诸如ITO 的透明导电氧化物制成。进一步地，碎于底i殳置有触点5、 6,所述触 点将待形成的阳极线和阴极线连接于连接部分7。在使用中，OLED 将连接至控制芯片，该控制芯片连接至连接部分7。邻近于第一侧 部2中的一个的触点6将阳极线连接至连接体7。邻近于两个第二 侧部3的触点5将阴极线连接至连接体7。发光区域由光刻胶层4 覆盖，该光刻胶层4中设置有像素格8。光刻胶层4在本领域中由 岸结构表示。在发光区域l中，阴极隔离体9(参照图3、 5和 6)设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造坯件的方法，所述坯件用来形成有机发光器件，所述有机发光器件具有发光区域，所述方法至少包括下列步骤：　　　　提供衬底；　　　　形成沿第一方向延伸的平行阳极线；　　　　形成触点，所述触点连接阳极线，并且所述触点用来接触阴极线；　　　　形成阴极隔离体，所述阴极隔离体沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，　　　　其中，沉积有光刻胶层，从而所述光刻胶层在用来与所述阴极线接触的所述触点上方完全延伸，每个阴极线的至少一个接触位置除外，通过所述至少一个接触位置建立相应阴极线与相应触点之间的电接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造坯件的方法，所述坯件用来形成有机发光器件，所述有机发光器件具有发光区域，所述方法至少包括下列步骤提供衬底；形成沿第一方向延伸的平行阳极线；形成触点，所述触点连接阳极线，并且所述触点用来接触阴极线；形成阴极隔离体，所述阴极隔离体沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，其中，沉积有光刻胶层，从而所述光刻胶层在用来与所述阴极线接触的所述触点上方完全延伸，每个阴极线的至少一个接触位置除外，通过所述至少一个接触位置建立相应阴极线与相应触点之间的电接触。2. —种用于制造坯件的方法，所述坯件用于形成有机发光器件， 所述有才几发光器件具有发光区域，所述方法至少包括下列步 骤提供衬底；形成阳才及线，所述阳才及线沿第 一方向从一个第 一側部向 另 一个第一侧部延4申；形成阴极隔离体，所述阴极隔离体沿第二方向从一个第 二侧向另 一个第二侧部延伸，所述第二方向与所述第 一方向相 交叉； 形成触点，所述触点连4妄至所述阳4及线，并且用来接触阴极线；其中，至少沿所述第二侧部设置堤结构。3. 才艮据权利要求1所述的方法，其中，在所述触点上方延伸的所 述光刻胶层还设置有限定像素格的岸结构。4. 根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述阴极隔离 体通过沉积和部分地去除光刻交层而形成。5. —种用于制造有机发光器件的方法，所述方法开始于根据前述 权利要求中任一项所述的方法，其中，所述阴极线在形成所述 阴才及隔离体后通过沉积导电材料层而形成。6. —种用于制造有机发光器件的方法，所述方法开始于根据前述 权利要求中任一项所述的方法，其中，发光材料在形成所述阴 才及线之前沉积在所述阳才及线上。7. —种用于制造有机发光器件的方法，所述方法开始于前述权利 要求中任一项所述的方法，其中，所述发光材料包括HIL层 和LEP层。8. 根据权利要求3和7所述的方法，其中所述发光材料通过喷墨 打印沉积在所述4象素格内。9. 一种用于制造发光器件的方法，所述方法开始于根据前述权利 要求中任一项所述的方法，其中，在已形成所述阴极线后，沉 积封装层系统。10. 根据权利要求9所述的方法，其中，所述封装层系统包括层叠 的无机层和有机层。11. 才艮据权利要求1和9的组合的方法，其中，所述封装层系统在 所述发光区域和所述光刻胶层上方完全延伸，所述光刻月交层在 i殳置成用来4妄触所述阴才及线的所述触点上方延伸。12. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述封装层系统在围绕 所述发光区域和与所述至少 一个第二侧部相邻的所述触点的 区域内与所述衬底直^^妄触。13. 至少根据权利要求2所述的方法，其中，至少沿所述发光区域 的所述第 一侧部i殳置i是结构。14. 才艮据权利要求2或13所述的方法，其中，所述i是结构包括与 阴极隔离体的横截面相同的横截面。15. 根据权利要求2、 13、 14中任一项所述的方法，其中，所述i是 结构包括至少两个平行堤，所述至少两个平行堤围绕所述发光 区i或和与所述至少 一个第二侧部相邻的所述触点，并且与定位 成所述至少一第一侧部相邻的所述触点交叉，所述触点i殳置成 与控制芯片的触点连接。16. 根据权利要求2、 13-15中任一项所述的方法，其中，将所述 :是结构由与所述阴^l隔离体相同的层形成。17. 根据权利要求2、 13-16中任一项所述的方法，其中，将所述 堤结构直接设置于所述衬底之上。18. 根据权利要求2、 13-17中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗西斯库斯科尔内留斯丁斯，伦科莱昂纳德斯约翰内斯罗伯托斯彭，简琼曼，保罗杰曼，斯蒂芬科茨，
申请(专利权)人：OTB集团有限公司，剑桥显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]