一种LED芯片封装方法技术

本发明专利技术提供一种ＬＥＤ芯片封装方法，其步骤：首先将若干个小尺寸的ＬＥＤ芯片以密集形式接合固定于高密度互连封装基板上对应的导电及导热金属垫上；然后进行金属导线的打线连结；最后再用环氧树脂或硅胶将芯片包覆，形成群集形式的ＬＥＤ的封装。达成大功率照明光源的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种新型的LED封装技术，特别是指一种LED芯片 封装方法。
技术介绍
LED业者为了达到高亮度、高功率的充分发光效果，正积极地开 发大尺寸LED芯片产品，在此技术开发过程中，面临了许多问题，例 如良率过低导致成本过高、芯片内部产生的光线放射到外部过程会严 重衰减以致未能达到预期发光效果、芯片内部吸收的光线会被转化产 生热能，导致降低使用寿命及性能等等。此外，大尺寸LED芯片要想达到高光通量输出、高功率以取代传 统照明的目标，更需克服抑制温升、确保使用寿命、改善发光效率及 发光面的均匀程度等重大课题。传统大功率LED封装形式如图1所示，是将大功率LED芯片1固 定于封装支架或基板2上，然后进行打线封胶等制程。这种传统大功 率LED封装形式，光源及热源均集中在大功率LED芯片周围的 一 小块 范围内，所以会产生散热及发光效率不佳的问题。将LED作为照明光 源，发光面的均匀度的要求是另一个重点，以单一大功率封装形成的 光源面较小，会增加二次光学设计的困难度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种LED芯片封装方法，达成大功率、高光 通量输出照明光源的要求为实现上述目的，本专利技术的解决方案是 一种LED芯片封装方法， 其步骤首先将若干个小尺寸的LED芯片以密集形式接合固定于高密 度互连封装基板上对应的导电及导热金属垫上；然后进行金属导线的 打线连结；最后再用环氧树脂或硅胶将芯片包覆，形成群集形式的 LED的封装。其中芯片的封装使用倒装型芯片封装技术。其中高密度互连封装基板可以是印刷电路板、软性印刷电路板、 金属基板或陶瓷基板。其中高密度互连封装基板上接合固定LED芯片的导电及导热金属垫是铜、任何其它金属或合金构成。其中高密度互连封装基板由光学反射层、芯片的黏接金属垫、封 装基板线路层及封装基板背面的散热金属层依需要任意组合而成。其中高密度互连封装基板上对应的导电及导热金属垫与背面散 热金属层中间以导通孔直接连结。其中散热金属层结合于封装基板背面，是铜、任何其它金属或合 金构成。其中高密度互连封装基板导通孔用导热胶或导热青填满、也可用 电镀或其它方式将金属填满导通孔，达成散热铜箔层与芯片的黏接金 属垫的直接连结。其中高密度互连封装基板、芯片的黏接金属垫、封装基板线路层 与基板背面的散热金属层可用导热绝缘材料作连结。其中小尺寸的LED芯片以密集形式排列可以排列成各种不同的 几4可图形。其中小尺寸的LED芯片是各种波长、各种尺寸的LED芯片。 其中小尺寸的LED芯片为各种结构的LED芯片或是LD芯片。 采用上述方案后，由于本专利技术的LED芯片封装方法，是结合许多 小尺寸的LED芯片排列成的阵列群集、光学反射层、散热铜箔层及直 接导通孔的设计，将小尺寸的LED芯片以密集形式黏接固定于高密度 互连封装基板上对应的导电及导热金属垫上，然后进行金属导线的打 线连结，再用环氧树脂或硅胶将芯片包覆，形成群集形式的LED封装 使多芯片封装的LED元器件，达到高亮度、高功率、高光通量输出的 目的，使之热量分布均匀，更克服散热的问题、确保使用寿命、改善 发光效率及发光特性。附图说明图1为传统大功率LED封装形式示意图； 图2为本专利技术封装基板的设计示意图； 图3为本专利技术封装基板线路层设计示意图； 图4为本专利技术封装基板的背面示意图； 图5与图6为本专利技术封装基板侧面的剖面示意图。 图中符号说明1、 LED芯片 2、封装基板3、 LED芯片的縣接金属垫 4、光学反射层5、封装基板线路层 6、正负电极接点 7、线路层线路8、背面正负电极接点9、散热铜箔层 10、导通孔 11、导热绝缘材料具体实施例方式配合图2所示本专利技术封装基板的设计图，其中LED芯片的縣接金 属垫3以极小的间距如0. lmm或更小间距，排列成密集的阵列群集， 也可以以较大的间距如大于0. lmm排列成较松散的阵列群集形式，达 成不同的取光及发光效果。#占接金属垫3上黏结若干个小尺寸的LED 芯片形成密集排列，因为小尺寸的LED芯片内部光的行程短，较容易 自LED芯片发射出，减少在LED芯片内部被吸收而产生热能的机会， 而达到较高的发光效率。图2中为光学反射层4黏附于封装基板线路层5上，光学反射层 4环绕在LED芯片阵列四周，光学反射面可以依照光学的要求，设定 制造成各种角度，达成不同的发光角度、配光曲线等光学特性的要求。 如无光学特性要求，亦可不用光学反射层。封装基板线路层如图3所示，6为正负电极接点，7为线路层上 的线路，正负电极接点6及线路7可依照LED芯片的排列及电路特性的要求设计成不同的式样及数量。图4为封装基;f反的背面示意图，8为与图3中正负电极接点6导通的接点，可以作为背面电源输入的接入点，方便元器件组装。9为封装基板背面的散热金属层作散热之用。本专利技术具体实施方式中封装基板的层间结构可分成两种不同的形式作具体施行。第一种为利用导通孔10作层间导通达成电路连结及散热目的。 如图5的封装基板侧面的剖面示意图所示，散热铜箔层9与芯片的黏 接金属垫3中间直接用导通孔IO作连结，导通孔10可以用导热胶或 导热膏填满、也可以用电镀或其它方式将金属填满导通孔，达成散热 铜箔层9与芯片的黏接金属垫3的直接连结，使得LED芯片的发热能 够经由导通孔10直接导到散热铜箔层进而达成散热的目的。第二种为利用导热绝缘材料达成层间导通散热目的，如图6的封 装基板侧面的剖面示意图所示，散热铜箔层9与芯片的黏接金属垫3 中间以导热绝缘材料11作连结，直接将LED芯片的发热由LED芯片 导到散热铜箔层9进而达成散热的目的。配合各附图所示，本专利技术的LED芯片封装方法，是结合许多小尺 寸的LED芯片排列成的阵列群集、光学反射层4、散热铜箔层9及直 接导通孔10的设计，将小尺寸的LED芯片以密集形式黏接固定于高 密度互连封装基板2上对应的导电及导热金属垫3上，然后进行金属导线的打线连结，再用环氧树脂或硅胶将芯片包覆，形成群集形式的 LED封装使多芯片封装的LED元器件，达到高亮度、高功率、髙光通 量输出之目标，更克服散热的问题、确保使用寿命、改善发光效率及发光特性。该LED高密度互连封装基板是指采用非常成熟的印刷电路板制 程制造出的LED封装基板，在封装基板上可以放置上千个LED芯片， 以极小的间距排列成发光矩阵，目前成熟工艺可达成75um以下的排 列间隔距离。同时在高密度互连封装基板上可以布置上千个导通线路 及引脚，导通线路及引脚的间隔距离也可以达到75um以下，导通线 路及引脚本身的宽度可以达到75um以下的线路宽度。因为导通线路及引脚的间隔距离及线路宽度非常的细微，同时高 密度互连封装基板可以设计成4、 6、 8或8层以上的多层的结构，中 间以导通孔IO相连结，导通孔10以目前成熟工艺可^故成小于100um 的导通孔，所以可以在高密度互连封装基板上设计出非常复杂的LED 芯片排列形式及电路导通结构，达成一般传统封装所无法达到的多芯 片封装结构及效果。LED高密度互连封装基板可以极低的成本在标准的FR4玻纤布或 其它PCB材料上制作出LED导热金属垫3及线路层，达到散热以及电 极连结的目的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＥＤ芯片封装方法，其步骤：首先将若干个小尺寸的ＬＥＤ芯片以密集形式接合固定于高密度互连封装基板上对应的导电及导热金属垫上；然后进行金属导线的打线连结；最后再用环氧树脂或硅胶将芯片包覆，形成群集形式的ＬＥＤ的封装。

【技术特征摘要】
CN 2006-7-20 20061010716541、一种LED芯片封装方法，其步骤首先将若干个小尺寸的LED芯片以密集形式接合固定于高密度互连封装基板上对应的导电及导热金属垫上；然后进行金属导线的打线连结；最后再用环氧树脂或硅胶将芯片包覆，形成群集形式的LED的封装。2、 如权利要求1所述的一种LED芯片封装方法，其特征在于 其中芯片的封装使用倒装型芯片封装技术。3、 如权利要求1所述的一种LED芯片封装方法，其特征在于 高密度互连封装基板可以是印刷电路板、软性印刷电路板、金属基板 或陶瓷基板。4、 如权利要求1所述的一种LED芯片封装方法，其特征在于 高密度互连封装基板上接合固定LED芯片的导电及导热金属垫是铜、 任何其它金属或合金构成。5、 如权利要求1所述的一种LED芯片封装方法，其特征在于 高密度互连封装基板由光学反射层、芯片的黏接金属垫、封装基板线 路层及封装基板背面的散热金属层依需要任意组合而成。6、 如权利要求1所述的一种LED芯片封装方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：童胜男，张希洽，邱新旺，薛水源，
申请(专利权)人：明达光电厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]