发光元件、发光器件和电子器件制造技术

本发明专利技术的目的是提供一种能够减少由于化合物的氧化和结晶的故障的发光元件。根据本发明专利技术的一个方面，发光元件具有第一电极和第二电极，形成于第一电极与第二电极之间的第一层和第二层，其中第一层包含蒽衍生物和对蒽衍生物表现出电子接受能力的物质，其中第二层包含发光物质。根据本发明专利技术的发光器件的一个方面，以上发光元件的任一种作为象素或光源使用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在一对电极之间具有包含发光物质的层的发光元件，特别为通过电激励发光的发光元件，并且涉及使用该发光元件的发光器件和电子器件。
技术介绍
用作象素、光源等的在一对电极之间具有包含发光物质的层的发光元件被提供用于发光器件例如显示器装置或照明系统。在这类发光器件中，发光元件的可靠性与发光器件的性能密切相关。例如，当在发光元件的一对电极之间产生短路时，显示器图像变形或者不能照射出具有足够强度的光。 因此，近年来已经增进了具有长期稳定性并且具有极少有缺陷元件而能够发光的发光元件的开发。例如，参考1日本专利申请特开No.H9-63771披露了一种通过使用具有高功函的金属氧化物例如氧化钼而采用低驱动电压工作的发光元件的生产技术。另外，还获得了寿命延长效果。 然而，氧化钼容易结晶并且参考1中描述的技术不能充分地减少由于结晶的发光元件故障。另外，还由于短路的产生以及发光元件的预期寿命而造成故障；因此这些起因的反措施是必要的。 专利技术披露 本专利技术的目的是提供一种能够减少由于含有发光物质的层中化合物的氧化和结晶的故障的发光元件。 用于实施本专利技术的蒽衍生物由以下通式(1)或(2)表示。 在通式(1)中，R1-R8独立地是氢和具有1-4个碳原子的烷基的任何一种，或者R1和R2、R3和R4、R5和R6以及R7和R8独立地连接形成芳环。R1和R2的连接、R3和R4的连接、R5和R6的连接以及R7和R8的连接彼此独立。 在通式(2)中，R11-R18独立地是氢和具有1-4个碳原子的烷基的任何一种，或者R11和R12、R12和R13、R15和R16以及R16和R17独立地连接形成芳环。R11和R12的连接、R12和R13的连接、R15和R16的连接以及R16和R17的连接彼此独立。 根据本专利技术的一个方面，发光元件在第一电极与第二电极之间具有产生空穴的层。该产生空穴的层含有由通式(1)或(2)表示的蒽衍生物和金属氧化物。 根据本专利技术的另一个方面，发光元件在第一电极与第二电极之间具有产生空穴的层和含有发光物质的层。这里，产生空穴的层含有由通式(1)或(2)表示的蒽衍生物和金属氧化物。该金属氧化物对由通式(1)或(2)表示的蒽衍生物表现出电子接受能力。含有发光物质的层可以是单层或多层。另外，在多层的情形中，仅仅需要至少一个层含有发光物质。 根据本专利技术的另一个方面，发光元件在第一电极与第二电极之间具有产生空穴的层、含有发光物质的层和产生电子的层。产生空穴的层被提供在含有发光物质的层与第一电极之间。另外，产生电子的层被提供在含有发光物质的层与第二电极之间。这里，产生空穴的层含有由通式(1)或(2)表示的蒽衍生物和金属氧化物。该金属氧化物对由通式(1)或(2)表示的蒽衍生物表现出电子接受能力。含有发光物质的层可以是单层或多层。另外，在多层的情形中，仅仅需要至少一个层含有发光物质。 根据本专利技术的另一个方面，发光元件在第一电极与第二电极之间具有第一层、第二层和第三层。该第一层是产生空穴的层，第二层是产生电子的层。另外，第三层是含有发光物质的层。第一层比第二层更近地提供在第一电极侧，第三层比第二层更近地提供在第二电极侧。第一层含有由通式(1)或(2)表示的蒽衍生物和金属氧化物。该金属氧化物对由通式(1)或(2)表示的蒽衍生物表现出电子接受能力。此外，当施加电压使得第一电极的电势低于第二电极时，进行第二层和第三层的接合以使得电子从第二层注射到第三层；由此发光。含有发光物质的层可以是单层或多层。另外，在多层的情形中，仅仅需要至少一个层含有发光物质。 根据本专利技术的发光器件的一个方面，以上发光元件的任一种被用作象素或光源。 根据本专利技术的发光器件的一个方面，使用以上发光元件的任一种作为象素的发光器件用于显示器部分。 根据本专利技术的发光器件的另一个方面，使用以上发光元件的任一种作为光源的发光器件用于照明部分。 由于用于实施本专利技术的蒽衍生物对氧化反应的重复具有抗性，因此可以通过实施本专利技术获得具有极少由于氧化反应的故障的发光元件。另外，通过将用于实施本专利技术的蒽衍生物和金属氧化物混合，蒽衍生物和金属氧化物彼此阻碍结晶；因此，可以通过实施本专利技术获得具有极少由于空穴产生层结晶的故障的发光元件。 用于实施本专利技术的发光元件具有极少的由于氧化反应和结晶的故障；因此，可以通过实施本专利技术获得具有极少由于发光元件的缺陷的显示缺陷等的发光器件。 由于用于实施本专利技术的发光器件使用了具有极少由于氧化反应和结晶的故障的发光元件，因此极少有由于发光元件故障的显示缺陷等。因此，通过实施本专利技术，极少有由于发光器件中的显示缺陷的图像错误识别；因此，可以获得能够通过显示图像将准确的信息传输给使用者的电子器件。 附图简述 在附图中 附图说明图1是解释根据本专利技术的发光元件的一个例子的图； 图2是解释根据本专利技术的发光元件的一个例子的图； 图3是解释根据本专利技术的发光元件的一个例子的图； 图4是解释根据本专利技术的发光元件的一个例子的图； 图5是解释根据本专利技术的发光元件的一个例子的图； 图6是解释根据本专利技术的发光元件的一个例子的图； 图7是解释根据本专利技术的发光元件的一个例子的顶视图； 图8是解释驱动提供用于根据本专利技术的发光元件的象素的电路的一个例子的图； 图9是解释包含在根据本专利技术的发光器件中的象素部分的一个例子的图； 图10是解释用于驱动包含在根据本专利技术的发光器件中的象素的驱动方法的图； 图11A-11C是各自解释根据本专利技术的发光器件的横截面的一个例子的图； 图12是解释根据本专利技术的发光器件的一个例子的图； 图13A-13C是各自解释通过实施本专利技术制造的电子器件的一个例子的图； 图14是解释通过实施本专利技术制造的照明系统的图； 图15是表示在相对于蒽衍生物进行CV测量情形中的测量结果的图； 图16是用于实施方案2中的样品1和2的吸收光谱； 图17是解释制造实施方案3的发光元件的方法的图； 图18是表示实施方案3的发光元件的电压-亮度特征的图； 图19是实施方案3的发光元件的电流密度-亮度特征；和 图20是实施方案3的发光元件的发光光谱。 实施本专利技术的最好模式 在下文中将参照附图描述根据本专利技术的实施方案模式。本领域那些技术人员容易理解的是，这里披露的实施方案模式和细节可以各种方式改进，只要不偏离本专利技术的目的和范围。本专利技术不应该被解释为限于下面给出的实施方案模式的描述。 实施方案模式1 将参照图1解释本专利技术的发光元件的一个例子。 图1示出了在第一电极101与第二电极102之间具有空穴产生层111的发光元件。空穴传输层112、发光层113、电子传输层114和电子产生层115提供在空穴产生层111与第二电极102之间。当将电压施加在第一电极101和第二电极102上使得第一电极101的电势高于第二电极102时，从第一电极101侧将空穴注入发光层113并且从第二电极102侧将电子注入发光层113。然后，注入发光层113的空穴和电子重新组合。发光层113含有发光物质，该物质通过由于重新组合产生的激发能而变成激发态。当从激发态返回到基态时，发光物质发光。 空穴产生层11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其包括：第一电极和第二电极，形成于第一电极与第二电极之间的第一层和第二层，其中第一层包含由通式（１）表示的蒽衍生物和对蒽衍生物表现出电子接受能力的物质，其中第二层包含发光物质，＊＊＊ （１）其中Ｒ↑［１］－Ｒ↑［８］独立地是氢和具有１－４个碳原子的烷基的任何一种，或者Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］、Ｒ↑［５］和Ｒ↑［６］以及Ｒ↑［７］和Ｒ↑［８］独立地连接形成芳环，其中Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２ ］的连接、Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］的连接、Ｒ↑［５］和Ｒ↑［６］的连接以及Ｒ↑［７］和Ｒ↑［８］的连接彼此独立。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-11-26 342717/20041.一种发光元件，其包括第一电极和第二电极，形成于第一电极与第二电极之间的第一层和第二层，其中第一层包含由通式(1)表示的蒽衍生物和对蒽衍生物表现出电子接受能力的物质，其中第二层包含发光物质，其中R1-R8独立地是氢和具有1-4个碳原子的烷基的任何一种，或者R1和R2、R3和R4、R5和R6以及R7和R8独立地连接形成芳环，其中R1和R2的连接、R3和R4的连接、R5和R6的连接以及R7和R8的连接彼此独立。2.一种发光元件，其包括第一电极和第二电极，形成于第一电极与第二电极之间的第一层和第二层，其中第一层包含由通式(2)表示的蒽衍生物和对蒽衍生物表现出电子接受能力的物质，其中第二层包含发光物质，其中R11-R18独立地是氢和具有1-4个碳原子的烷基的任何一种，或者R11和R12、R12和R13、R15和R16以及R16和R17独立地连接形成芳环，其中R11和R12的连接、R12和R13的连接、R15和R16的连接以及R16和R17的连接彼此独立。3.根据权利要求1的发光元件，其中所述物质是选自氧化钼、氧化钒、氧化钌和氧化铼的金属氧化物的至少一种。4.根据权利要求2的发光元件，其中所述物质是选自氧化钼、氧化钒、氧化钌和氧化铼的金属氧化物的至少一种。5.一种发光元件，其包括第一电极和第二电极，形成于第一电极与第二电极之间的第一层、第二层和第三层，其中第一层包含由通式(1)表示的蒽衍生物和对蒽衍生物表现出电子接受能力的第一物质，其中第二层包含发光物质，并且其中第三层包含具有1×10-6cm2/Vs或更大的电子迁移率的第二物质和对第二物质表现出电子接受能力的第三物质，其中R1-R8独立地是氢和具有1-4个碳原子的烷基的任何一种，或者R1和R2、R3和R4、R5和R6以及R7和R8独立地连接形成芳环，其中R1和R2的连接、R3和R4的连接、R5和R6的连接以及R7和R8的连接彼此独立。6.一种发光元件，其包括第一电极和第二电极，形成于第一电极与第二电极之间的第一层、第二层和第三层，其中第一层包含由通式(2)表示的蒽衍生物和对蒽衍生物表现出电子接受能力的物质，其中第二层包含发光物质，并且其中第三层包含具有1×10-6cm2/Vs或更大的电子迁移率的第二物质和对第二物质表现出电子接受能力的第三物质，其中R11-R18独立地是氢和具有1-4个碳原子的烷基的任何一种，或者R11和R12、R12和R13、R15和R16以及R16和R17独立地连接形成芳环，其中R11和R12的连接、R12和R13的连接、R15和R16的连接以及R16和R17的连接彼此独立。7.根据权利要求5的发光元件，其中第一物质是选自氧化钼、氧化钒、氧化钌和氧化铼的物质的至少一种，并且其中第三物质是选自氧化锂、氧化钙、氧化钠、氧化钾、氧化镁、氟化锂、氟化铯和氟化钙的物质的至少一种。8.根据权利要求6的发光元件，其中第一物质是选自氧化钼、氧化钒、氧化钌和氧化铼的物质的至少一种，并且其中第三物质是选自氧化锂、氧化钙、氧化钠、氧化钾、氧化镁、氟化锂、氟化铯和氟化钙的物质的至少一种。9.一种发光元件，其包括第一电极和第二电极，形成于第一电极与第二电极之间的第一层、第二层和第三层，其中第一层包含由通式(1)表示的蒽衍生物和对蒽衍生物表现出电子接受能力的第一物质，其中第二层包含具有1×10-6cm2/Vs或更大的电子迁移率的第二物质和对第二物质表现出电子接受能力的第三物质，其中第三层包含发光物质，其中第一层比第二层更近地提供在第一电极侧，其中第三层比第二层更近地提供在第二电极侧，并且其中当施加电压使得第一电极的电势低于第二电极时，第二层和第三层发光，其中R1-R8独立地是氢和具有1-4个碳原子的烷基的任何一种，或者R1和R2、R3和R4、R5和R6...

【专利技术属性】
技术研发人员：川上祥子，小岛久味，濑尾哲史，野村亮二，熊木大介，池田寿雄，坂田淳一郎，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]