薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法，该薄膜晶体管阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；其中所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案，所述金属图案与数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开；可以修复像素区间的数据线或栅极扫描线的断路情况，不增加现有阵列基板的制造工序，且修复简单方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种阵列基板及其制造方法、修复方法，特别是涉及一 种可修复线缺陷的液晶显示用的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复 方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)面板是利用薄膜晶体管(TFT)控 制液晶分子的取向从而控制透光的强弱来显示图像的。 一块完整的TFT LCD面板通常包括背光模组、偏光片、TFT阵列基板、CF(彩膜)基板、夹 在上下基板之间的液晶分子层以及驱动电路。TFT阵列基板上的显示区域 包含多个子像素区域，每个子像素区域一般为两条栅极扫描线与两条数据 线交叉所形成的矩形或者其它形状区域，其内设置有薄膜晶体管以及像素 电极，薄膜晶体管充当开关元件。通常，薄膜晶体管阵列基板上依次形成有栅极及与该栅极电气连接 的栅级扫描线、覆盖栅电极以及栅极扫描线的栅极绝缘层、半导体层、源 /漏极及与源极电气连接的数据线、钝化层、像素电极、取向膜，其制造 流程如图l所示。栅极扫描线与数据线主要用来提供影像信号以驱动像素电极，但是 由于制作时候成膜、微影、刻蚀等制造工艺的影响，栅极扫描线与数据线 容易发生断路，导致线缺陷，因此，在阵列基板的制造过程中，不能完全 避免栅极线或者数据线的断线引起的显示不良。为避免LCD面板生产由于线缺陷而导致的良率下降，需要对线缺陷进行修复，针对栅极扫描线或者 数据线的断线不良,通常的处理方法是在紧接着的检查工序中检出断线不良的位置，用激光成膜(Laser CVD)的方法加以修复。这种方法存在一些 问题1,发生断线不良的位置未被检出，即漏检；2,断线发生在检查以 后的工序中，这种断线无法通过上述方法进行修复。美国专利 US7019805B2中公开了 一种对数据线断路进行修复的液晶显示基板的结 构及其修复方法，该专利利用栅极层遮光线修复数据线的方法，即在液晶 显示屏显示检查发现数据线断线以后，使用激光溶接(Laser Welding)将 断线两侧的数据线和遮光线导通，使信号可以绕过断线位置，从栅极层遮 光线传到断线另一侧的数据线上。但是，该结构只能修复发生在数据线上 的断路，对于发生在栅极线上的断线则无法修复。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种可修复数据线或栅极扫描线断 路的薄膜晶体管阵列基板。本专利技术要解决的另一技术问题是提供一种不增加现有工序、不影响开 口率下实现可修复数据线或栅极扫描线断路的薄膜晶体管阵列基板的制 造方法。本专利技术要解决的再 一技术问题是提供 一种可方便简单修复薄膜晶体 管阵列基板的方法。为实现上述目的，本专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描 线和数据线交叉形成像素区域;设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；其中所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案，所述金属图案与 数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开。所述的栅极扫描线及其上面的金属图案上形成有接触孔，栅极扫描线 上还形成有像素电极层金属图案。本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤 形成一第一金属层在一透明基板上；图案化所述第一金属层，形成一栅极及与栅极电气连接的栅极扫描线；形成一第二金属层在所述基板上； 图案化所述第二金属层，形成一源极、一漏极及与源极电气连接的数据线， 并在栅极扫描线上形成金属图案，且该金属图案与第二金属层上形成的其 它金属图案相互隔开；在漏极上方形成钝化绝缘层，并在钝化绝缘层上刻 蚀出接触孔；在透明基板表面形成透明导电层，光刻后形成像素电极图案。本专利技术提供另一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤: 形成一第一金属层在一透明基板上；图案化所述第一金属层，形成一栅极 及与栅极电气连接的栅极扫描线；形成一第二金属层在所述基板上；图案 化所述第二金属层，形成一源极、 一漏极及与一源极电气连接的数据线； 其中在图案化第一金属层时，保留数据线对应位置的金属图案，且该金属 图案与同层的其它金属图案相互隔开。本专利技术还提供 一 种修复薄膜晶体管阵列基板的方法，该薄膜晶体管阵 列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数 据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜 晶体管和像素电极；其中所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案， 所述金属图案与数据线金属层图案栅极或扫描线金属层图案相互隔开；当栅极扫描线或数据线发生断路时，在断线位置的两侧用激光进行照射连 接，使栅极扫描线或数据线通过金属图案进行连接，形成绕开断路部分的基于上述构思，本专利技术的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复 方法，由于在栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案，克服了现有技术 中只能修复像素区间数据线断路的缺点，不仅可以修复像素区间的数据线 的断路情况，还可以对栅极扫描线的断路进行修复；在制造阵列基板的过 程中，通过在数据线下直接保留部分第一金属层或在栅极扫描线上保留部 分第二金属层实现具有修复功能的薄膜晶体管阵列基板，不增加现有工 序，不影响开口率，只要在断线处的两侧进行激光照射焊接即可达到修复 的目的，修复方便简单。当所述的栅极扫描线及其上面的金属图案上形成 接触孔，栅极扫描线上形成有像素电极层金属图案时，像素电极层金属图 案将栅极扫描线及其上面的金属图案通过接触孔连接，可以减少栅极扫描线上信号传输的延迟UC Delay )。为了更进一 步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术 的详细说明与附图。然而附图仅供参考与辅助说明用，不构成对本专利技术的 限制。 附图说明图4是现有技术中薄膜晶体管阵列基板的制造流程图； 图2是本专利技术实施例一的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图； 图3是本专利技术实施例 一的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图； 图4是本专利技术实施例二的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图5是釆用本专利技术实施例 一结构对栅极扫描线断路进行修复的示意图。附图标号说明10:栅极扫描线 11:金属图案 12、接触孔13:像素电极层图案 14、 15:熔接点20:数据线 21:金属图案30:像素电极40:薄膜晶体管 41:栅极 42:源极 43:漏极 431:接触孔 具体实施例方式下面结合附图及典型实施例对本专利技术作进一步说明。 实施例一图2、图3是本专利技术实施例一的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。 参照图2,薄膜晶体管阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描 线10;多条沿第二方向延伸的数据线20，栅极扫描线10和数据线20交 叉形成像素区域；像素区域内设置薄膜晶体管40和像素电极30,栅极扫 描线10上形成有金属图案11,薄膜晶体管40由栅极41、源极42和漏极 43构成，栅极41与栅极扫描线10电连接，漏极43与数据线20电连接， 源极42通过接触孔41和像素电极30连接，栅极41、栅极扫描线10形 成在第一金属层(Ml)上，源极42、漏极43、数据线20形成在第二金属 层(M2)上，Ml、 M2可为导电性能良好的Al、 Ta或Cr金属层，两层之间 有SiNx绝缘层隔开，源极42和漏极43对称重叠沉积在栅极41两侧，非晶Si层位于栅极41和源、漏极42、 43之间；IT0 (氧化铟锡)像素电极 层沉积在最上层，与源/漏极金属层之间通过SiNx保护层绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；其特征在于所述栅极扫描线上或数据线下形成有金 属图案，所述金属图案与数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；其特征在于所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案，所述金属图案与数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开。2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述的栅极扫描线及 其上面的金属图案上形成有接触孔，栅极扫描线上还形成有像素电极层图 案。3. 根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于所述的栅极扫描 线上的金属图案形成在与数据线相同的层上。4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于所述的金属图案的材 料与数据线的材料相同。5. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述的数据线下的金 属图案形成在与栅极扫描线相同的层上。'6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于所述的金属图案的材 料与栅极扫描线的材料相同。7. —种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤 形成一第一金属层在一透明基板上；图案化所述第一金属层，形成一栅极及与栅极电气连接的栅极扫描线； 形成一第二金属层在所述基板上；图案化所述第二金属层，形成一源极、 一漏极及与源极电气连接的数 据线，并在栅极扫描线上形成金属图案，且该金属图案与第二金属层上形成的其它金属图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：田广彦，
申请(专利权)人：上海广电光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]