本发明专利技术的一个目的是提供对反复氧化反应有抵抗性的发光物质。本发明专利技术的另一个目的是提供对反复还原反应有抵抗性的发光元件。本发明专利技术的一个方面是用通式（１）表示的蒽衍生物。在通式（１）中，Ｒ↑［１］表示氢或具有１－４个碳原子的烷基；Ｒ↑［２］表示氢、具有１－４个碳原子的烷基和具有６－１２个碳原子的芳基中的任何一个，其可具有取代基或没有取代基；Ｐｈ↑［１］表示苯基，其可具有取代基或没有取代基；Ｘ↑［１］表示具有６－１５个碳原子的亚芳基。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及蒽衍生物，尤其是可用作制造发光元件的材料的蒽衍生物。
技术介绍
近年来，大量用于显示器等的发光元件具有在一对电极之间夹入包含发光物质的层的结构。当通过一个电极发射的电子和另一个电极发射的空穴的重组形成的激子返回到基态时，这种发光元件就发光。 在发光元件领域，为了得到具有高发光效率和高色度的发光元件或可防止光猝灭等的发光元件，已进行了关于能成为制造这种发光元件的材料的物质的各种研究。 例如，专利文献1(日本专利申请公开No.2001-131541)公开了用于具有高发光效率和长寿命的有机EL元件的材料。 另外，在发光元件中，电流通过空穴或电子的传输在电极之间流动。在这种情况下，接受空穴或电子等的发光物质或已被氧化或还原等的发光物质有时不能返回到中性状态，并被转变成具有不同性质的物质。当发光物质的这种性质变化累积时，还会改变发光元件的特性。 因此，需要开发性质难以因氧化或还原而变化的发光物质。 专利技术公开内容 本专利技术的目的是提供对反复氧化反应有高抵抗性并可用作发光元件材料的物质。此外，本专利技术的另一个目的是提供发光元件和发光器件，在它们每一个中，都减少了由反复氧化反应引起的物质特性变化造成的发光元件工作特性的恶化。 本专利技术的一个方面是用通式(1)表示的蒽衍生物。 在通式(1)中，R1表示氢或具有1-4个碳原子的烷基。R2表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个碳原子的芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。Ph1表示苯基。苯基可具有取代基或没有取代基。X1表示具有6-15个碳原子的亚芳基。亚芳基可具有取代基或没有取代基。 本专利技术的另一个方面是用通式(2)表示的蒽衍生物。 在通式(2)中，R3表示氢或具有1-4个碳原子的烷基。R4-R7独立地表示氢，或R4和R5表示彼此键合的芳环，和R6和R7各自表示彼此键合的芳环。R8表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个碳原子的芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。Ph2表示苯基。苯基可具有取代基或没有取代基。 本专利技术的另一个方面是用通式(3)表示的蒽衍生物。 在通式(3)中，R9表示氢或具有1-4个碳原子的烷基。R10表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个碳原子的芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。Ph3表示苯基。苯基可具有取代基或没有取代基。 本专利技术的另一个方面是用通式(4)表示的蒽衍生物。 在通式(4)中，R11表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个碳原子的芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。Ph4表示苯基。苯基可具有取代基或没有取代基。 本专利技术的另一个方面是用通式(5)表示的蒽衍生物。 在通式(5)中，R12表示氢或具有1-4个碳原子的烷基。 本专利技术的另一个方面是用通式(6)表示的蒽衍生物。 在通式(6)中，X2表示具有6-15个碳原子的亚芳基。亚芳基可具有取代基或没有取代基。 本专利技术的另一个方面是用通式(7)表示的蒽衍生物。 在通式(7)中，R13表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个碳原子的芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。 本专利技术的另一个方面为发光元件，其在电极之间具有包含用通式(1)-(7)中任何一个表示的蒽衍生物的层。 本专利技术的另一个方面为使用具有包含用通式(1)-(7)中任何一个表示的蒽衍生物的层的发光元件的发光器件。 本专利技术的另一个方面为发光器件，其在它的像素部分具有包含用通式(1)-(7)中任何一个表示的蒽衍生物的发光元件。 本专利技术的另一个方面为电子设备，其中在显示部分中安装发光器件，发光器件使用包含用通式(1)-(7)中任何一个表示的蒽衍生物的发光元件。 通过实施本专利技术，可得到高度耐反复氧化反应并可用作制造发光元件的材料的物质。另外，通过实施本专利技术，可得到高度耐反复氧化反应和反复还原反应并可用作制造发光元件的材料的物质。 通过实施本专利技术，可得到可以减少由电极之层间中使用的物质的反复氧化反应引起的元件特性恶化的发光元件。还可得到这种发光元件，其能表现出长期稳定的发光，并且因反复氧化反应造成的发光物质性质变化所引起的发光元件特性几乎无变化。 附图简述 在附图中 附图说明图1说明本专利技术的发光元件； 图2说明本专利技术的发光元件； 图3说明本专利技术的发光器件模式； 图4说明本专利技术的发光器件中包括的电路模式； 图5为说明本专利技术的发光器件模式的顶视图； 图6说明本专利技术的发光器件的帧工作模式； 图7说明本专利技术的发光器件中包括的电路模式； 图8A-8C为说明本专利技术的发光器件模式的横截面图； 图9A-9C说明在显示部分中使用本专利技术的发光器件的电子设备； 图10为显示本专利技术的蒽衍生物的吸收光谱的图； 图11为显示本专利技术的蒽衍生物的吸收光谱的图； 图12A和12B为显示本专利技术的蒽衍生物的循环伏安法(CV)测量结果的图； 图13A和13B为YGA的1H-NMR图； 图14A和14B为YGABPA的1H-NMR图； 图15说明在实施方案中制备的发光元件； 图16为显示实施方案2中制造的发光元件的亮度-电压特性的图； 图17为显示实施方案2中制造的发光元件的亮度-电流效率特性的图； 图18为显示实施方案2中制造的发光元件的发光光谱的图； 图19为显示实施方案3中制造的发光元件的亮度-电压特性的图； 图20为显示实施方案3中制造的发光元件的亮度-电流效率特性的图； 图21为显示实施方案3中制造的发光元件的发光光谱的图； 图22为显示实施方案4中制造的发光元件的亮度-电压特性的图； 图23为显示实施方案4中制造的发光元件的亮度-电流效率特性的图； 图24为显示实施方案4中制造的发光元件的发光光谱的图； 图25为显示实施方案5中制造的发光元件的亮度-电压特性的图； 图26为显示实施方案5中制造的发光元件的亮度-电流效率特性的图； 图27为显示实施方案5中制造的发光元件的发光光谱的图； 图28为显示实施方案6中制造的发光元件的亮度-电压特性的图； 图29为显示实施方案6中制造的发光元件的亮度-电流效率特性的图； 图30为显示实施方案6中制造的发光元件的发光光谱的图； 图31为显示实施方案7中制造的发光元件的亮度-电压特性的图； 图32为显示实施方案7中制造的发光元件的亮度-电流效率特性的图； 图33为显示实施方案7中制造的发光元件的发光光谱的图； 图34为显示实施方案8中制造的发光元件的亮度-电压特性的图； 图35为显示实施方案8中制造的发光元件的亮度-电流效率特性的图； 图36为显示实施方案8中制造的发光元件的发光光谱的图； 图37说明本专利技术的发光器件模式； 图38为对实施方案2-8中制造的发光元件各自的色度绘制曲线的色度图； 图39为显示本专利技术的蒽衍生物的吸收光谱的图；和 图40为显示本专利技术的蒽衍生物的发光光谱的图。 实施专利技术的最佳方式 下文中将描述本专利技术的实施方式和本文档来自技高网...
【技术保护点】
用通式（１）表示的蒽衍生物： ＊＊＊ （１） 其中Ｒ↑［１］表示氢或具有１－４个碳原子的烷基， 其中Ｒ↑［２］表示氢、具有１－４个碳原子的烷基和具有６－１２个碳原子的芳基中的任何一个， 其中Ｐｈ↑［１］表示苯基，和 其中Ｘ↑［１］表示具有６－１５个碳原子的亚芳基。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-12-28 381201/2004;JP 2005-7-14 205380/20051.用通式(1)表示的蒽衍生物其中R1表示氢或具有1-4个碳原子的烷基，其中R2表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个碳原子的芳基中的任何一个，其中Ph1表示苯基，和其中X1表示具有6-15个碳原子的亚芳基。2.用通式(2)表示的蒽衍生物。其中R3表示氢或具有1-4个碳原子的烷基，其中R4-R7表示氢，或R4和R5表示彼此键合的芳环，和R6和R7表示彼此键合的芳环，R8表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个碳原子的芳基中的任何一个，和Ph2表示苯基。3.用通式(3)表示的蒽衍生物其中R9表示氢或具有1-4个碳原子的烷基，其中R10表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个...
【专利技术属性】
技术研发人员：川上祥子，中岛晴惠，小岛久味，野村亮二，大泽信晴，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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