多比特机电存储器件及其制造方法技术

在存储器件及其形成方法中，在一个实施例中，存储器件包括：衬底；以及衬底上沿第一方向延伸的位线。将第一字线结构设置在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线结构沿横穿第一方向的第二方向延伸。电极与位线相连，在第一字线结构之上延伸并且与第一字线结构间隔第一间隙。第二字线结构在电极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结构沿第二方向延伸。电极在第一字线结构和第二字线结构之间是悬臂形式的，使得电极偏转以通过第一间隙与在第一弯曲位置第一字线结构的顶部电连接，以及偏转以通过第二间隙在第二弯曲位置与第二字线结构的底部电连接，并且电极在止动位置与第一字线结构和第二字线结构相隔离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储器件，具体地，涉及一种多比特机电存 储器件及其制造方法。本申请根据35 U. S. C. 119要求2006年8月24日递交的韩国专利 申请No. 10-2006-0080203的优先权，将其全部内容一并在此作为参考。
技术介绍
半导体存储器件包括用于存储电子信息的存储单元。非易失性存储 器件广泛使用，因为它们的相关存储单元即使当禁用或去除电源时也能 保持信息。该特征使非易失性存储器件尤其对用于便携电子设备是有吸 引力的。随着更高集成度连续趋势，高密度布局、低功耗操作和高操作 速度针对此种器件是普遍考虑的。称作闪速存储器的一种非易失性存储器件已经变得流行，因为其相 对便宜地生产，并且因为其以相对较低的功率要求操作；然而，已知闪 速存储器一般存在较低的操作速度、相对较弱的数据保持可靠性、以及 相对较短的使用期限的缺陷。此外，此种器件是基于传统晶体管的操作， 并且随着进一步集成的压力，它们日益遭受到短沟道效应、击穿电压降 低、以及栅极结的可靠性由于重复的编程/擦除周期而降低的困扰。此外， 因为晶体管尺寸的减小，存在单元间干扰增加的可能性，这可能进一步 不利地影响性能和可靠性。
技术实现思路
本专利技术实施例涉及一种，解决且 减少了传统器件的上述限制。具体地，本专利技术实施例提出了一种多比特 机电存储器件以及此种器件的形成方法，所述存储器件除了其他特征之外，还实现了高密度存储、低电压编程和擦除电压、高速操作、增强的 数据保持力和较高的长期耐久性。本专利技术实施例可应用于非易失性和易 失性存储器件格式。在一个方面，存储器件包括衬底；位线，在衬底上沿第一方向延 伸；第一字线结构，在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线结构沿 横穿第一方向的第二方向延伸；电极，与位线相连，在第一字线结构之 上延伸，并且与第一字线结构间隔第一间隙；以及第二字线结构，在电 极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结构沿第二方向延伸，其中， 电极在第一字线结构和第二字线结构之间是悬臂形式的，使得电极偏转 以通过第一间隙在第一弯曲位置与第一字线结构的顶部电连接，以及偏 转以通过第二间隙在第二弯曲位置与第二字线结构的底部电连接，并且 电极在止动位置与第一字线结构和第二字线结构相隔离。在一个实施例中，第一字线结构包括写字线，并且第二字线结构包 括读字线。在另一个实施例中，存储器件还包括第一电介质，沿相对于衬底的 垂直方向隔离第一字线结构和位线。在另一个实施例中，存储器件还包括第二电介质，沿相对于衬底的 水平方向隔离第一字线结构的一侧和电极。在另一个实施例中，第二电介质包括在第一字线结构的侧壁处的隔板。在另一个实施例中，电极包括第一部分，沿第一字线结构的侧壁 方向延伸；以及第二部分，在第一字线结构和第二字线结构之间沿第一 字线结构的顶部方向从第一部分伸出。在另一个实施例中，电极的第一部分包括第一端，固定(anchored) 于第二部分；以及第二端，偏转通过第一间隙和第二间隙。在另一个实施例中，电极包括可弹性变形的材料。在另一个实施例中，电极包括从以下材料组成的组中选定的至少一 种材料金、银、铜、铝、钨、氮化钛、导电金属、成型的记忆储合金 和纳米管。在另一个实施例中，第一字线结构和第二字线结构的每一个均包括 导体，并且其中存储器件包括易失性存储器件。在另一个实施例中，第一字线结构和第二字线结构的至少之一包 括导电层；以及在导电层与电极之间、并且与电极间隔第一和第二间 隙的相应之一的电荷俘获结构，其中存储器件包括非易失性存储器件。在另一个实施例中，在第一弯曲位置和第二弯曲位置的至少之一 中，电极与相应的至少一个第一字线结构和第二字线结构的电荷俘获结 构电容性地相连。在另一个实施例中，在第一弯曲位置和第二弯曲位置的至少之一 中，电极还与相应的至少一个第一字线结构和第二字线结构的导电层电 容性地相连。在另一个实施例中，电荷俘获结构包括从以下结构组成的组中选择 的结构氧化物-氮化物-氧化物(0N0)结构和氧化物-氮化物-氧化铝(0NA)结构。在另一个实施例中，存储器件还包括第一和第二字线结构的至少之 一的导电层和电荷俘获结构之间的过渡层。在另一个实施例中，第一和第二字线结构之一包括写字线结构，并 且第一和第二字线结构中的另一个包括读字线结构，并且在非易失性存 储器件的编程操作期间，通过在写字线结构和位线之间施加第一电压电 势，使电极处于与写字线结构相接触的弯曲位置以及止动位置中的一个 位置。在另一个实施例中，在导致电极处于与写字线结构相接触的弯曲位 置的非易失性存储器件的第一状态的编程操作期间，电极响应于写字线 结构和位线之间的第一电压电势而弯曲，以在弯曲位置与写字线结构的 电荷俘获结构相接触，并且当去除写字线结构和位线之间的第一电压电 势时，由于电荷被俘获在写字线结构的电荷俘获结构中，电极保持处于 弯曲位置。在另一个实施例中，在处于第一状态的非易失性存储器件的读操作 期间，将第二电压电势施加在位线和读字线结构之间，并且当尽管施加 第二电压电势，电极仍保持处于与写字线结构相接触的弯曲位置时，读 操作导致第一状态的确定。在另一个实施例中，在导致电极处于止动位置的非易失性存储器件 的第二状态的编程操作期间，响应于写字线结构和位线之间的第一电压 电势，使电极在止动位置与写字线结构的电荷俘获结构相隔离，并且当 去除写字线结构和位线之间的第一电压电势时，电极保持处于止动位置。在另一个实施例中，在处于第二状态的非易失性存储器件的读操作 期间，将第二电压电势施加在位线和读字线结构之间，并且当由于施加 第二电压电势而使电极处于与读字线结构相接触的弯曲位置时，读操作 导致第二状态的确定。在另 一个实施例中，第一字线结构包括导电层和导电层上的电荷俘 获结构，电荷俘获结构位于第一字线结构的导电层和电极之间，并且电 荷俘获结构与电极间隔第一间隙，并且其中，存储器件包括非易失性存 储器件。在另一个实施例中，第二字线结构包括导电层和导电层下的电荷俘 获结构，电荷俘获结构位于第二字线结构的导电层和电极之间，并且电 荷俘获结构与电极间隔第二间隙，并且其中，存储器件包括非易失性存储器件。在另一个方面， 一种存储器件包括衬底；位线，在衬底上沿第一 方向延伸；第一字线结构，在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线 结构沿横穿第一方向的第二方向延伸；'电极，与位线相连，在第一字线结构之上延伸，并且与第一字线结构间隔第一间隙；以及第二字线结构， 在电极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结构沿第二方向延伸， 其中，第一字线结构和第二字线结构之一包括在该字线结构的导电层和 电极之间的电荷俘获结构，其中电荷俘获结构与电极间隔相应第一和第 二间隙的相应一个；其中，电极在第一字线结构和第二字线结构之间是 悬臂形式的，使得电极偏转以通过第一间隙在第一弯曲位置与第一字线 结构的顶部电连接，以及偏转以通过第二间隙在第二弯曲位置与第二字 线结构的底部电连接，并且电极在止动位置与第一字线结构和第二字线 结构相隔离。在一个实施例中，第一和第二字线结构的一个包括写字线，以及第 一和第二字线结构的另一个包括读字线。在另一个实施例中，电极包括第一部分，沿第一字线结构的侧壁 方向延伸；以及第二部分，在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：衬底；位线，在衬底上沿第一方向延伸；第一字线结构，在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线结构沿横穿第一方向的第二方向延伸；电极，与位线相连，在第一字线结构之上延伸，并且与第一字线结构间隔第 一间隙；以及第二字线结构，在电极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结构沿第二方向延伸，其中，电极在第一字线结构和第二字线结构之间是悬臂形式的，使得电极偏转以通过第一间隙在第一弯曲位置与第一字线结构的顶部电连接，以及偏转以通 过第二间隙在第二弯曲位置与第二字线结构的底部电连接，并且电极在止动位置与第一字线结构和第二字线结构相隔离。

【技术特征摘要】
KR 2006-8-24 2006-00802031.一种存储器件，包括衬底；位线，在衬底上沿第一方向延伸；第一字线结构，在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线结构沿横穿第一方向的第二方向延伸；电极，与位线相连，在第一字线结构之上延伸，并且与第一字线结构间隔第一间隙；以及第二字线结构，在电极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结构沿第二方向延伸，其中，电极在第一字线结构和第二字线结构之间是悬臂形式的，使得电极偏转以通过第一间隙在第一弯曲位置与第一字线结构的顶部电连接，以及偏转以通过第二间隙在第二弯曲位置与第二字线结构的底部电连接，并且电极在止动位置与第一字线结构和第二字线结构相隔离。2. 如权利要求1所述的存储器件，其中，第一字线结构包括写字 线，并且第二字线结构包括读字线。'3. 如权利要求1所述的存储器件，其中，还包括第一电介质，沿 相对于衬底的垂直方向隔离第一字线结构和位线。4. 如权利要求1所述的存储器件，其中，还包括第二电介质，沿 相对于衬底的水平方向隔离第一字线结构的一侧和电极。5. 如权利要求4所述的存储器件，其中，第二电介质包括在第一 字线结构的侧壁处的隔板。6. 如权利要求1所述的存储器件，其中，电极包括第一部分， 沿第一字线结构的侧壁方向延伸；以及第二部分，在第一字线结构和第 二字线结构之间沿第一字线结构的顶部方向从第一部分伸出。7. 如权利要求6所述的存储器件，其中，电极的第一部分包括-第一端，固定于第二部分；以及第二端，偏转通过第一间隙和第二间隙。8. 如权利要求1所述的存储器件，其中，电极包括可弹性变形的 材料。9. 如权利要求8所述的存储器件，其中，电极包括从以下材料组 成的组中选定的至少一种材料金、银、铜、铝、钨、氮化钛、导电金 属、成型的记忆合金和纳米管。10. 如权利要求1所述的存储器件，其中，第一字线结构和第二字 线结构每一个均包括导体，并且存储器件包括易失性存储器件。11. 如权利要求1所述的存储器件，其中，第一字线结构和第二字 线结构的至少之一包括 .导电层；以及在导电层与电极之间、并且与电极间隔第一和第二间隙的相应之一 的电荷俘获结构，其中存储器件包括非易失性存储器件。12. 如权利要求11所述的存储器件，其中，在第一弯曲位置和第二弯曲位置中的至少之一，电极与相应的至少一个第一字线结构和第二 字线结构的电荷俘获结构电容性地相连。13. 如权利要求12所述的存储器件，其中，在第一弯曲位置和第二弯曲位置中的至少之一，电极还与相应的至少一个第一字线结构和第 二字线结构的导电层电容性地相连。14. 如权利要求11所述的存储器件，其中，电荷俘获结构包括从 以下结构组成的组中选择的结构:氧化物-氮化物-氧化物结构和氧化物-氮化物-氧化铝结构。15. 如权利要求11所述的存储器件，其中，还包括第一和第二字线结构的至少之一的导电层和电荷俘获结构之间的过渡层。16. 如权利要求11所述的存储器件，其中，第一和第二字线结构之一包括写字线结构，并且第一和第二字线结构中的另一个包括读字线 结构，并且在非易失性存储器件的编程操作期间，通过在写字线结构和 位线之间施加第一电压电势，使电极处于与写字线结构相接触的弯曲位 置和止动位置中的一个位置。17. 如权利要求16所述的存储器件，其中，在导致电极处于与写 字线结构相接触的弯曲位置的非易失性存储器件的第一状态的编程操作 期间，电极响应于写字线结构和位线之间的第一电压电势而弯曲，以在弯曲位置与写字线结构的电荷俘获结构相接触，并且当去除写字线结构 和位线之间的第一电压电势时，由于电荷被俘获在写字线结构的电荷俘 获结构中，电极保持处于弯曲位置。18. 如权利要求17所述的存储器件，其中，在处于第一状态的非 易失性存储器件的读操作期间，将第二电压电势施加在位线和读字线结 构之间，并且当尽管施加第二电压电势，电极仍保持处于与写字线结构 相接触的弯曲位置时，读操作导致第一状态的确定。19. 如权利要求16所述的存储器件，其中，在导致电极处于止动位置的非易失性存储器件的第二状态的编程操作期间，响应于写字线结 构和位线之间的第一电压电势，电极在止动位置与写字线结构的电荷俘 获结构相隔离，并且当去除写字线结构和位线之间的第一电压电势时， 电极保持处于止动位置。20. 如权利要求19所述的存储器件，其中，在处于第二状态的非 易失性存储器件的读操作期间，将第二电压电势施加在位线和读字线结 构之间，并且当由于施加第二电压电势而使电极处于与读字线结构相接 触的弯曲位置时，读操作导致第二状态的确定。21. 如权利要求l所述的存储器件，其中，第一字线结构包括导电 层和在导电层上的电荷俘获结构，电荷俘获结构位于第一字线结构的导 电层和电极之间，并且电荷俘获结构与电极间隔第一间隙，并且存储器 件包括非易失性存储器件。22. 如权利要求l所述的存储器件，其中，第二字线结构包括导电 层和在导电层下的电荷俘获结构，电荷俘获结构位于第二字线结构的导 电层和电极之间，并且电荷俘获结构与电极间隔第二间隙，并且存储器 件包括非易失性存储器件。23. —种存储器件，包括 衬底；位线，在衬底上沿第一方向延伸；第一字线结构，在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线结构沿 横穿第一方向的第二方向延伸；电极，与位线相连，在第一字线结构之上延伸，并且与第一字线结构间隔第一间隙；以及第二字线结构，在电极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结 构沿第二方向延伸，其中，第一字线结构和第二字线结构之一包括在该字线结构的导电 层和电极之间的电荷俘获结构，其中电荷俘获结构与电极间隔相应第一和第二间隙中的相应一个；其中，电极在第一字线结构和第二字线结构之间是悬臂形式的，使 得电极偏转以通过第一间隙在第一弯曲位置与第一字线结构的顶部电连 接，以及偏转以通过第二间隙在第二弯曲位置与第二字线结构的底部电 连接，并且电极在止动位置与第一字线结构和第二字线结构相隔离。24. 如权利要求23所述的存储器件，其中，第一和第二字线结构 之一包括写字线，以及第一和第二字线结构中的另一个包括读字线。25. 如权利要求23所述的存储器件，其中，电极包括第一部分， 沿第一字线结构的侧壁方向延伸；以及第二部分，在第一字线结构和第 二字线结构之间沿第一字线结构的顶部方向从第一部分伸出。26. 如权利要求25所述的存储器件，其中，电极的第一部分包括 第一端，固定于第二部分；以及第二端，偏转通过第一间隙和第二间隙。27. 如权利要求23所述的存储器件，其中，电极包括可弹性变形 的材料。28. 如权利要求27所述的存储器件，其中，电极包括从以下材料 组成的组中选定的至少一种材料金、银、铜、铝、钨、氮化钛、导电 金属、成型的记忆合金和纳米管。29. 如权利要求23所述的存储器件，其中，在第一弯曲位置和第 二弯曲位置中的至少之一，电极与相应的至少一个第一字线结构和第二 字线结构的电荷俘获结构电容性地相连。30. 如权利要求29所述的存储器件，其中，在第一弯曲位置和第 二弯曲位置中的至少之一，电极还与相应的至少一个第一字线结构和第 二字线结构的导电层电容性地相连。31. 如权利要求23所述的存储器件，其中，电荷俘获结构包括从 以下结构组成的组中选择的结构:氧化物-氮化物-氧化物结构和氧化物- 氮化物-氧化铝结构。32. 如权利要求23所述的存储器件，其中，还包括第一和第二字线结构的至少之一的导电层和电荷俘获结构之间的过渡层。33. 如权利要求23所述的存储器件，其中，第一和第二字线结构 之一包括写字线结构，并且第一和第二字线结构中的另一个包括读字线 结构，并且在非易失性存储器件的编程操作期间，通过在写字线结构和 位线之间施加第一电压电势，使电极处于与写字线结构相接触的弯曲位 置和止动位置中的一个位置。34. 如权利要求33所述的存储器件，其中，在导致电极处于与写 字线结构相接触的弯曲位置的非易失性存储器件的第一状态的编程操作 期间，电极响应于写字线结构和位线之间的第一电压电势而弯曲，以在 弯曲位置与写字线结构的电荷俘获结构相接触，并且当去除写字线结构 和位线之间的第一电压电势时，由于电荷被俘获在写字线结构的电荷俘 获结构中，电极保持处于弯曲位置。35. 如权利要求34所述的存储器件，其中，在处于第一状态的非 易失性存储器件的读操作期间，将第二电压电势施加在位线和读字线结 构之间，并且当尽管施加第二电压电势，电极仍保持处于与写字线结构 相接触的弯曲位置时，读操作导致第一状态的确定。36. 如权利要求33所述的存储器件，其中，在导致电极处于止动 位置的非易失性存储器件的第二状态的编程操作期间，响应于写字线结 构和位线之间的第一电压电势，电极在止动位置与写字线结构的电荷俘 获结构相隔离，并且当去除写字线结构和位线之间的第一电压电势时， 电极保持处于止动位置。37. 如权利要求36所述的存储器件，其中，在处于第二状态的非 易失性存储器件的读操作期间，将第二电压电势施加在位线和读字线结 构之间，并且当由于施加第二电压电势而使电极处于与读字线结构相接 触的弯曲位置时，读操作导致第二状态的确定。38. —种双比特存储器件，包括 衬底；位线，在衬底上沿第一方向延伸； 位线上的第一和第二下部字线结构，第一和第二下部字线结构彼此 间隔，并且与位线间隔且绝缘，第一和第二下部字线结构的每一个均沿 横穿第一方向的第二方向延伸；第一和第二电极，与位线相连，第一电极在第一下部字线结构之上 延伸并且与第一下部字线结构间隔第一下部间隙，第二电极在第二下部字线结构之上延伸并且与第二下部字线结构间隔第二下部间隙；以及在相应第一和第二电极之上的第一和第二上部字线结构，第一和第 二上部字线结构彼此间隔，第一上部字线结构与第一电极间隔第一上部 间隙，第二上部字线结构与第二电极间隔第二上部间隙，第一和第二上 部字线结构的每一个均沿第二方向延伸，其中，第一和第二下部字线结构以及第一和第二上部字线结构中的 至少一对包括相应第一和第二字线结构的第一和第二导电层与相应的第 一和第二电极之间的第一和第二电荷俘获结构，其中第一和第二电荷俘 获结构与相应的第一和第二电极间隔相应的第一和第二间隙，其中，第一电极在第一下部字线结构和第一上部字线结构之间是悬 臂形式的，使得第一电极偏转以通过第一下部间隙在第一弯曲位置与第 一下部字线结构的顶部电连接，以及偏转以通过第一上部间隙在第二弯 曲位置与第一上部字线结构的底部电连接，并且第一电极在止动位置与 第一下部字线结构和第一上部字线结构相隔离；以及其中，第二电极在第二下部字线结构和第二上部字线结构之间是悬 臂形式的，使得第二电极偏转以通过第二下部间隙在第一弯曲位置与第 二下部字线结构的顶部电连接，以及偏转以通过第二上部间隙在第二弯 曲位置与第二上部字线结构的底部电连接，并且第二电极在止动位置与 第二下部字线结构和第二上部字线结构相隔离。39. 如权利要求38所述的双比特存储器件，其中，第一和第二电 极的每一个均包括固定的第一端；以及第二端，偏转通过第一间隙和 第二间隙。40. 如权利要求38所述的双比特存储器件，其中，第一和第二电 极的每一个均包括可弹性变形的材料。41. 如权利要求38所述的双比特存储器件，其中，在第一弯曲位 置和第二弯曲位置中的至少之一，电极与相应的至少一个上部和下部字 线结构的电荷俘获结构电容性地相连。42. 如权利要求38所述的双比特存储器件，其中，在第一弯曲位 置和第二弯曲位置中的至少之一，电极还与相应的至少一个上部和下部 字线结构的导电层电容性地相连。43. 如权利要求38所述的双比特存储器件，其中，电荷俘获结构包括从以下结构组成的组中选择的结构氧化物-氮化物-氧化物结构和 氧化物-氮化物-氧化铝结构。44. 如权利要求38所述的双比特存储器件，其中，还包括相应的 至少一个上部和下部字线结构的导电层和电荷俘获结构之间的过渡层。45. 如权利要求38所述的双比特存储器件，其中，第一和第二下 部字线结构以及第一和第二上部字线结构中的一对包括第一和第二写字 线结构，所述第一和第二写字线结构包括相应的第一和第二电荷俘获结 构，第一和第二下部字线结构以及第一和第二上部字线结构中的另一对 包括第一和第二读字线结构，并且在存储器件的编程操作期间通过在第一写字线结构和位线之间施加第一电压电势，使第一电极 或者处于与第一电极的第一状态相对应的、与第一写字线结构的电荷俘 获结构相接触的弯曲位置，或处于与第一电极的第二状态相对应的止动 位置；以及通过在第二写字线结构和位线之间施加第二电压电势，使第二电极 或者处于与第二电极的第一状态相对应的、与第二写字线结构的电荷俘 获结构相接触的弯曲位置，或处于与第二电极的第二状态相对应的止动 位置，各个第一和第二电极的已编程第一和第二状态彼此独立，取决于施 加的相应第一和第二电压电势。46. 如权利要求45所述的双比特存储器件，其中， 当去除第一写字线结构和位线之间的第一电压电势时，由于电荷被俘获在第一写字线结构的第一电荷俘获结构中，第一电极保持处于弯曲 位置；以及当去除第二写字线结构和位线之间的第二电压电势时，由于电荷被 俘获在第二写字线结构的第二电荷俘获结构中，第二电极保持处于弯曲 位置。47. 如权利要求46所述的双比特存储器件，其中，在存储器件的读操作期间将第三电压电势施加在位线和第一读字线结构之间，并且当尽管施 加第三电压电势，第一电极仍保持处于与第一写字线结构的第一电荷俘 获结构相接触的弯曲位置时，读操作导致第一状态的确定，以及当由于 施加第三电压电势而使第一电极处于与第一读字线结构相接触的弯曲位 置时，读操作导致第二状态的确定；以及将第四电压电势施加在位线和第二读字线结构之间，并且当尽管施 加第四电压电势，第二电极仍保持处于与第二写字线结构的第二电荷俘 获结构相接触的弯曲位置时，读操作导致第一状态的确定，以及当由于 施加第四电压电势而使第二电极处于与第二读字线结构相接触的弯曲位 置时，读操作导致第二状态的确定。48. 如权利要求47所述的双比特存储器件，其中，通过在不同时 间施加相应的第三和第四电压电势，来执行各个第一和第二电极的读操作。49. 如权利要求48所述的双比特存储器件，其中，电极包括从以 下材料组成的组中选定的至少一种材料金、银、铜、铝、钨、氮化钛、 导电金属、成型的记忆合金和纳米管。50. —种双比特存储器件，包括 衬底；位线，在衬底上沿第一方向延伸；位线上的第一和第二下部字线，第一和第二下部字线彼此间隔，并 且与位线间隔且绝缘，第一和第二下部字线的每一个均沿横穿第一方向 的第二方向延伸；第一和第二电极，与位线相连，第一电极在第一下部字线之上延伸 并且与第一下部字线间隔第一下部间隙；第二电极在第二下部字线之上 延伸并且与第二下部字线间隔第二下部间隙；以及在相应第一和第二电极之上的第一和第二上部字线，第一和第二上部字线彼此间隔，第一上部字线与第一电极间隔第一上部间隙，第二上 部字线与第二电极间隔第二上部间隙，第一和第二上部字线的每一个均 沿第二方向延伸，其中，第一电极在第一下部字线和第一上部字线之间是悬臂形式 的，使得第一电极偏转以通过第一下部间隙在第一弯曲位置与第一下部 字线的顶部电连接，以及偏转以通过第一上部间隙在第二弯曲位置与第 一上部字线的底部电连接，并且第一电极在止动位置与第一下部字线和 第一上部字线相隔离，以及其中，第二电极在第二下部字线和第二上部字线之间是悬臂形式 的，使得第二电极偏转以通过第二下部间隙在第一弯曲位置与第二下部 字线的顶部电连接，以及偏转以通过第二上部间隙在第二弯曲位置与第 二上部字线的底部电连接，并且第二电极在止动位置与第二下部字线和 第二上部字线相隔离。51. 如权利要求50所述的双比特存储器件，其中，第一和第二电 极的每一个均包括固定的第一端；以及第二端，偏转通过第一间隙和第二间隙。52. 如权利要求50所述的双比特存储器件，其中，第一和第二电极的每一个均包括可弹性变形的材料。53. 如权利要求50所述的双比特存储器件，其中，第一和第二下 部字线以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成泳，金洞院，朴东健，尹恩贞，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]