一种超大规模集成电路隔离工艺的方法技术

本发明专利技术公开了一种超大规模集成电路隔离工艺的方法，除包括常规的浅沟漕隔离沟槽形成、沟槽二氧化硅淀积、化学机械抛光等工艺步骤外，还在沟槽二氧化硅淀积后，化学机械抛光前：首先在沟漕再淀积一层保护膜，然后进行图形刻蚀。本发明专利技术可使浅沟漕隔离工艺达到最大程度的平坦化，能很好地控制浅沟漕隔离二氧化硅的厚度和形貌，避免由于沟漕尖角电场不均匀而引起的漏电，从而解决了现有工艺集成中的问题，达到良好的器件隔离。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超大规模集成电路隔离工艺的方法，包括浅沟漕隔离沟槽形成、沟槽二氧化硅淀积、化学机械抛光步骤，其特征在于，在所述沟槽二氧化硅淀积后，化学机械抛光前，还包括：首先在沟漕淀积一层保护膜，然后进行图形刻蚀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈华伦，邝亚镭，钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]