半导体器件及其制造方法技术

提供一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括在第一导电类型的半导体基板中形成第二导电类型的集电极区域；在集电极区域中形成第一导电类型的基极区域；在基极区域中形成第二导电类型的发射极区域；域在发射极区域中形成发射极；和在集电极区域中形成集电极；以及通过将第一导电类型的高浓度杂质离子注入半导体基板中而在半导体基板中形成基极。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：通过将第二导电类型的杂质离子注入到半导体基板中，而在第一导电类型的半导体基板中形成第二导电类型的集电极区域；通过将第一导电类型的杂质离子注入到集电极区域，而在集电极区域中形成第一导电类型的基极区域；通过将第二导电类型的杂质离子注入到基极区域中，而在基极区域中形成第二导电类型的发射极区域；通过将第二导电类型的高浓度杂质离子注入到发射极区域中，而在发射极区域中形成发射极；通过将第二导电类型的高浓度杂质离子注入到集电极区域中，而在集电极区域中形成集电极；以及通过将第一导电类型的高浓度杂质离子注入到半导体基板中，而在半导体基板中形成基极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高光永，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]