吸杂层形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种吸杂层形成装置，在经过磨削的半导体晶片的背面形成由多晶硅层或氮化硅层构成的吸杂层的情况下，能够使吸杂层产生充分的吸杂效果。本发明专利技术提供吸杂层形成装置（１），其至少由以下部分构成：吸盘工作台（１８），其具有保持半导体晶片的保持面（１８０）；磨削单元（２０、２１），其对表面侧保持在保持面（１８０）上的半导体晶片（Ｗ）的背面（Ｗ２）进行磨削；清洗单元（１５），其对背面（Ｗ２）被磨削了的半导体晶片（Ｗ）进行清洗；吸杂层形成单元（４７），其容纳清洗完的半导体晶片（Ｗ），并在半导体晶片（Ｗ）的背面（Ｗ２）上，形成氮化硅层或多晶硅层中的任一层来作为吸杂层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种吸杂层形成装置，其对在表面上形成有多个器件的半导体晶片的背面进行磨削，并在该背面形成吸杂层，其特征在于，所述吸杂层形成装置至少由以下部分构成：吸盘工作台，其具有保持半导体晶片的保持面；磨削单元，其对表面侧保持在该保持面上的半导体晶片的背面进行磨削；清洗单元，其对该背面被磨削了的半导体晶片进行清洗；吸杂层形成单元，其容纳清洗完的半导体晶片，并在该半导体晶片的背面，形成氮化硅层或多晶硅层中的任一层作为吸杂层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：荒井一尚，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]